为振兴我国微电子产业培养人才

我国微电子产业的机遇与挑战微电子科学技术从1947年12月晶体管发明算起到现在，在短短半个多世纪里，已经形成了突破2000亿美元销售额的半导体产业。图1给出了九十年代以来世界半导体产品销售额的情况。集成电路(IC)制造的特征尺寸已达到0.18~0.13微米，芯片集成度已至G级(giga scale，109)；IC的规模已达到把整个系统集成到一个芯片，即系统芯片(SoC)的阶段。微电子科学技术的进展成为人类科技进步史上空前的奇迹。进入信息时代以来，全球信息产业的飞速发展导致对IC的强劲需求，而计算机、通信与网络、消费类电子等产品，只有用芯片…     

GaAs pHEMT外延层转移技术研究

<正>随着化合物半导体技术日益成熟,利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现Si CMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路/系统性能,既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然趋势。南京电子器件研究所开展了基于外延层转移技术的晶体管级异构集成方面的研究,在国内首次将1.5|im厚的76.2 mm(3英寸)GaAs pHEMT外延层薄膜完整地剥离并转移到Si衬底上(如图1所示),     

BGA——新一代表面安装技术

1;IC封装技术的发展 IC发展的总趋势是器件的集成度越来越高,目前国外先进的半导体生产公司已掌握线条宽度为0.2～0.8μm的亚微米级技术,每个芯片上集成的晶体管数量已超过一亿个。     

可编程ASIC技术及其设计

1 引言 电子学设计方法在过去的10年中取得了显著的进步。过去电子产品的设计一直是首先选用标准通用集成电路芯片（例如数字通用芯片74系列等）,然后再由这些芯片和其他元器件自下而上地构成电路、子系统和系统。采用这种方法设计出的电子系统具有元器件的种类和数量较多、体积和功耗大、可靠性低等缺点。随着集成电路技术的不断进步,目前可以把数以亿计的晶体管、几万门及几十万门乃至几百万门的电路集成在一个芯片上。半导体集成电路已从早期的单元集成、部件电路集成发展到整机电路集成和系统电路集成。电子系统的设计方法也由过去集成电路厂家提供通用芯片、整机系统单位采用这些芯片组成电子系统的“Bottom-Up”（自下而上）设计     

九十年代的半导体设备

<正> 送走80年代,迎来90年代。从产品DRAM来看,80年代为K时代,90年代为M时代,90年代DRAM的主流产品为1M、4M、16M、64MDRAM。从芯片加工最小线宽来看,80年代为微米、亚微米时代,90年代为亚微米、半微米时代,即芯片加工最小线宽从0.8μm至0.2μm。从圆片加工尺寸来看,80年代以4、5英寸为主,90年代将以6、8英寸为主。大家都说;“一代设备、一代技术、一代产品。”那么90年代半导体设备是什么?其特点如何?我们该怎么办?     

"十五"计划过半时中国IC芯片制造工艺线建设现状

时间天天在飞驰,好像昨天刚制订了集成电路行业“十五”发展计划,眼睛一眨,“十五”计划时间已过去了一半。我国在"十、五"期间要抓紧建设的重要项目中有关IC芯片生产线建设有三个目标:● 建设3～4条6英寸芯片生产线,扩大市场适销对路产品的生产能力;● 建设6～7条(最初提4～5条)8英寸芯片生产线,形成0.35～0.18微米技术产品的生产加工能力;● 建设1～2条12英寸芯片生产线,形成0.18～0.13微米技术产品的生产加工能力。“十五”计划开始前,2000年底我国共有25条4英寸～8英寸芯片生产线:1条8英寸线(上海华虹NEC)、3条6英寸线(北京首钢日电、…     

集成电路产业的振兴要从设备材料抓起

我们在评论中国足球时最爱用的一句话是：“足球要从娃娃抓起”,说明了基础的重要性。集成电路在中国发展了几十年,最落后的是什么,是设备和材料。30年前国家为了振兴发展半导体产业,陆续开始进口整套集成电路工艺生产线,从3英寸,到6英寸8英寸,直到今天的12英寸,工艺线宽也从微米级发展到纳米级。     

晶体管步入“老年时代”体积已缩小至极限

据国外媒体报道，在晶体管诞生60年后的今天，其体积几乎缩小到了极限，这就意味着它已经步入“老年时代”。 1947年12月16日，Walter Brattain和John Bardeen发明了世界上第一个晶体管。10年后，晶体管被首次应用到硅芯片中。而如今，晶体管的体积已经缩小到一定程度，很难再有较大突破。     

名词术语释义——第一代纳米芯片

2000年，半导体行业开始悄无声息地开始生产“纳米芯片”，这是器件线宽小于100nm的芯片，也就是用栅宽小于100nm的晶体管设计出的电路芯片，由此标志着第一代纳米芯片的诞生，现在市面上集成电路的栅宽都不足50nm，在今天普通台式电脑中，可以见到这些器件。在栅极宽度减少到100nm以下时，晶体管的速度和数量都得到了显著的增长。     

IC舞动中国年代工引领“芯”产业

在来去匆匆的全球半导体产业发展周期第七次高峰之后．中国半导体产业在2005年仍将继续保持一枝独秀的发展态势。而半导体产业结构的优化．则标志着中国半导体产业已经进人量变到质变的关键时刻。CCID预计．2004年中国集成电路产业全年销售收入总规模将达到540亿元．同比增长超过50％．并同时认为中国集成电路产业2005年仍将保持高速增长的势头，预计产业总体规模将超过700亿元。 在芯片制造方面．中国芯片代工产业已经逐渐成熟。根据有关数据显示．中国芯片代工业全球占有率已从2003年5％左右上升至2004年的9％左右。 华润上华于1997年开创了中国大陆纯开放式晶圆专业代工模式．为中国集成电路产业的整体发展开创了新局面。而国内首座12英寸芯片生产线——中芯国际（北京）正式投产，其生产技术达到0.11微米的水平．则标志着中国芯片制造行业巳经开始向国际领先水平看齐。此外．国内现有的各条8英寸生产线的制造技术也基本上完成了由0．25微米向0．18微米乃至0.15微米的提升。中国芯片制造业目前正处于产能不断释放的高速成长期。众所周知．以上海为龙头的长三角地区目前已是中国IC制造的重镇．以中芯国际，宏力．和舰．华虹NEC。台积电．华润上华．先进，新进等12、8、6英寸生产线已成为中国芯片制造业的主流．《半导体行业》开辟“特别报道”栏目，为关心IC产业的读者一个全新的诠释。[编者按]     

晶体管发明50周年

1947年WilliamShoklev，JohnBardeen和WalterBartain发明第一只晶体管（照片）至今已整整走过了50年。在点接触晶体管发明之后，由于硅平面晶体管及其工艺的发展，1958年第一块集成电路研制成功，中小规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路迅猛发展起来，目前已开始向巨大规模集成电路进军。至2000年，1Gbit的DRAM将被研制成功，0．1μm的技术将被突破，单个芯片将集成10亿只晶体管由于晶体管和集成电路的发明，以计算机为代表的信息电子产业已发展为世界上最大的产业。至2000年，半导体集成电路的总市场额将达到3000亿美元…     

93000测试系统测试北大众志CPU

安捷伦科技和北京大学微处理器研究开发中心联合宣布,具有完全自主知识产权的北大众志CPU已经在安捷伦93000系统级芯片系列测试系统上成功进行量产测试。该芯片采用0.25微米工艺流片,集成32位定点CPU和64位浮点协处理器,以及PCI、MAC、EMI等外围电路,其内部拥有八百万个晶体管,为国内规模最大的CPU系统芯片。所有集成电路IP核均完全自主设计和实现,并符合工业标准。www.agilent.com93000测试系统测试北大众志CPU     

SAA7111A在彩色视频FED中的应用

介绍了增强型数字视频处理器SAA7111A芯片的主要性能，着重论述了彩色视频信号数字化技术以及在FED平板显示器件视频驱动电路中的应用。此电路方案已在25英寸彩色FED驱动系统中使用，为系统提供了优质的数字视频源，显示分辨率从QVGA到VGA，FED显示器获得了良好的图像显示效果。     

微波、毫米波GaN HEMT与MMIC的新进展(续)

3 MMIC技术 在芯片上由GaN HEMT有源器件和无源元件(如MIM电容、薄膜电阻和衬底上的通孔等)所组成的微波单片集成电路(MMIC)和GaN HEMT分立晶体管几乎同步发展,MMIC技术的发展使GaNHEMT器件的电路应用能减少体积和质量,适应高频率的需求和批量生产.目前4英寸(1英寸=2.54 cm)圆片级GaN MMIC加工线已经成熟,GaN MMIC的工作频率已覆盖微波到3 mm波段,GaN MMIC的性能向高效率、高功率、宽频带和多功能集成的方向发展.     

VLSI开发周期缩短 IP功能块大有贡献：国际性企业联盟VSIA成立

片上系统、系统级硅片、系统级宏功能等新术语,使用得日益频繁;这些术语所表达的,都是一种可以在一枚芯片上实现大规模系统功能的“设计手法”。如何才能在短时间内将包含有数千万只晶体管的单片解决方案开发出来,纳米(0.35微米以下)硅时代在紧迫地要求半导体厂家及EDA(电子设计自动化)工具供应商拿出对策来。综合利用IP(知识产权)功能块进行VLSI(超大规模集成电路)设计的方式,将是其对策之中的关键技术之一。     

香港厂商做出3V的SRAM

香港一家半导体设计公司 Sintek设计了工作电压为3.3V 和2.7V 的SRAM。这种芯片用0.8微米的 CMOS工艺制成。该公司说,所设计的专利电路对电压相对来说不太敏感,因而可避免因电压较低而引起速度下降;此电路可应用于任何类型的存储器或逻辑芯片。该公司说,大多数其它的设计方法都是把晶体管沟道宽度减小到0.6微米并采用150埃厚的氧化层。     

印制板组件的边界扫描检测技术

电子系统对集成电路性能、封装密度及微型化的要求似乎是永无止境的。当今的“奔腾”(Pentium)芯片是0.8μ的工艺,一共有320万个晶体管,而SIA预言到2001年超亚微米技术(<0.18μ)将成为主要技术。一个芯片将可包含6400万个以上的晶体管,性能将达到600兆赫。器件复杂性和集成度的剧增导致了它的高密度封装(BGA,COB,TAB,MCM等)。就当前的封装技术而言,管脚引线数达到数百甚至更多已不是什么新闻,而其管脚引线间距已从DIT/PGA器件的2.54mm缩小到了SOIC的1.27mm、QFP的0.635mm、TAB的0.203mm了。     

中国首批自主研发8英寸IGBT芯片装车成功试运行

正中国南车株洲所公布,装有中国首批自主研发8英寸IGBT芯片的模块在昆明地铁车辆段完成段内调试,并稳定运行一万公里,各项参数指标均达国际先进水平。这意味着,由中国南车株洲所下属公司南车时代电气自主研制生产的8英寸IGBT芯片已彻底打破国外高端IGBT技术垄断,实现从研发、制造到应用的完全国产化。IGBT是一种新型功率半导体器件,中文全名"绝缘栅双极型晶体管"。作为电力电子装置的     

迈向二十一世纪的集成电路技术

九十年代LSI工艺的发展仍然依照摩尔定律(每三年器件尺寸缩小2/3,芯片面积增加1.5倍和芯片中晶体管数目增加4倍)所预言的发展速度急剧增长。这十年来凝聚着科技工作者无穷智慧的成果给全世界的军事、经济和民生等方方面面带来了始料未及的巨大革命性变化。微细加工技术已从0.6微米提高到0.18微米的水平;0.18微米的1G位DRAM已研制成功;256兆位的DRAM已进入大量生产阶段;具有64位速度为1GHz的微处理器已宣告研制成功。硅CMOS IC在未来的十五年仍将是集成电路发展的主流。     

应对传统摩尔定律微缩挑战需要芯片布线和集成的新方法

<正>从计算机行业的早期开始,芯片设计人员就对晶体管数量的需求永无止境。英特尔于1971年推出了具有2 300个晶体管的4004微处理器,激发了微处理器革命;到了今天,主流CPU已有数百亿的晶体管。在过去多年的发展中,技术的变革在于——如何将更高的晶体管预算转化为更好的芯片和系统。在2000年代初期的丹纳德微缩时代,缩小的晶体管推动了芯片功率（Power）、性能（Performance）和面积成本（Area-cost）即PPAC的同步改进。设计人员可以提高单核CPU的运行速度,以加速现有软