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分析了SPICE BSIM3模型对高压双扩散漏MOSFET(HV double diffuse drain MOSFET)模拟过程中产牛的较大偏差,有针对性地提出一种由nMOSFET,MESFET,二极管等常规SPICE器件组成的高压晶体管宏模型.该宏模型结构简单、使用方便,能准确描述HVMOS的I-V特性.为了提高该模型的尺寸可缩放性(scalability),将MESFET阈值电压对体电压的敏感因子K1进行优化,提取了不同沟道尺寸(W/L)下K1取值的半经验公式,使该宏模型能够适用于不同尺寸的晶体管,大大提高了它的实用价值.该尺寸可缩放宏模型(scalable macromodel)能应用于基于SPICE模型的各种通用EDA软件. 相似文献
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目前LDMOS已经广泛应用于功率集成电路和微波集成电路中,建立LDMOS的SPICE等效电路变得很重要.以往的模型都是将LDMOS分为线性区和饱和区两段来分析,公式复杂而且计算量大.因此在数值模拟的基础上提出了全导通区域的伏安特性方程,建立了LDMOS Ⅰ-Ⅴ特性的宏模型.该模型的特点是参数少,易于提取,得到的SPICE等效电路简单,仿真容易收敛. 相似文献
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目前LDMOS已经广泛应用于功率集成电路和微波集成电路中,建立LDMOS的SPICE等效电路变得很重要。以往的模型都是将LDMOS分为线性区和饱和区两段来分析,公式复杂而且计算量大。因此在数值模拟的基础上提出了全导通区域的伏安特性方程,建立了LDMOSI-V特性的宏模型。该模型的特点是参数少,易于提取,得到的SPICE等效电路简单,仿真容易收敛。 相似文献
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本文介绍一个新的建立统计宏模型的系统,它采用新的方法,得到简化的二次多项式,这种形式便于优化处理,适用于容差设计。 相似文献
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基于高压VDM O S器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDM O S器件三维物理模型,并用数值方法求解。基于该物理模型提出的等效电路,在SP ICE中准确地模拟了高压VDM O S的特性,包括准饱和特性和瞬态特性。在全电压范围内(0~100 V),直流特性与测试结果、瞬态特性(频率≤5 MH z)与M ED IC I模拟结果相差均在5%以内,能够满足HV IC CAD设计的需要。 相似文献
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运用双指数函数模型方法分析了影响 MESFET的 Ti Pt Au-Ga As肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系 ,编制了 MESFET肖特基势垒结结参数提取和 I-V曲线拟合软件 ,实现了通过栅源正向 I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的六个结参数和得到相应结参数下的理论数据 ,与实验数据吻合良好。分析了影响肖特基势垒结 I-V曲线分布的因素 ,提出了进行器件特性、参数稳定性与可靠性研究和定量分析 MESFET肖特基势垒结质量的新方法 相似文献
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在不同漂移区浓度分布下 ,通过二维数值模拟充分地研究了薄膜 SOI高压 MOSFET击穿电压的浓度相关性 ,指出了击穿优化对 MOSFET漂移区杂质浓度分布的要求。分析了MOSFET的电场电位分布随漏源电压的变化 ,提出寄生晶体管击穿有使 SOI MOSFET击穿降低的作用。 相似文献
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4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型 总被引:7,自引:0,他引:7
根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H - Si C射频功率 MESFET直流 I- V特性的准解析模型 ,适于描述短沟道微波段 4H- Si CMESFET的大信号非线性特性 ,计算结果与实验数据有很好的一致性 .同时与 MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较 . 相似文献
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提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件,I-V特性进行了研究.采用一个随栅压变化的平均电容公式,并用一个简单的解析表达式来描述沟道平均迁移率随栅压的变化关系.计算漏电流时考虑了埋沟器件的三种工作模式,推出了各种工作模式下的漏电流表达式,并用实验值对模型进行了验证. 相似文献
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Continuous analytic I-V model for surrounding-gate MOSFETs 总被引:1,自引:0,他引:1
Jimenez D. Iniguez B. Sune J. Marsal L.F. Pallares J. Roig J. Flores D. 《Electron Device Letters, IEEE》2004,25(8):571-573
We present a continuous analytic current-voltage (I-V) model for cylindrical undoped (lightly doped) surrounding gate (SGT) MOSFETs. It is based on the exact solution of the Poisson's equation, and the current continuity equation without the charge-sheet approximation, allowing the inversion charge distribution in the silicon film to be adequately described. It is valid for all the operation regions (linear, saturation, subthreshold) and traces the transition between them without fitting parameters, being ideal for the kernel of SGT MOSFETs compact models. We have demonstrated that the I-V characteristics obtained by this model agree with three-dimensional numerical simulations for all ranges of gate and drain voltages. 相似文献