量子限制器件

叙述了量子阱，量子点，调谐隧穿二极管，单极隧穿晶体管和双极隧穿晶体管的结构框图，电学原理和工艺途径。     

量子限制器件

叙述了量子阱、量子点、调谐隧穿二极管、单极隧穿晶体管和双极隧穿晶体管的结构框图、电学原理和工艺途径。     

半导体量子器件

概述了半导体量子微结构中的量子效应，并介绍了谐振隧道器件，评述了新的量子微结构，如单电子隧道器件，电子波衍射晶体管和量子线量子箱激光器的开发，还讨论了量子微结构的尺寸要求和研究课题。     

纳米电子科技的新亮点——量子点器件简介

<正> 纳米电子科技的新亮点——量子点电子器件,是集成电路(IC)技术发展的必然结果。 1.量子点器件产生的背景 近30年来,IC技术飞速发展的基础来自电路功能器件——金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)特征尺寸(栅长或沟道长度)的不断缩小。通过特征尺     

固体纳米电子器件和分子器件

综述了两类纳米电子器件———固体纳米电子器件和分子电子器件的定义、分类方法及特点,并提出发展纳米电子器件的几点建议。     

固体纳米电子器件的发展及应用

介绍固体纳米电子器件及其应用。固体纳米电子器件包括共振隧穿器件(RTD)、量子点器件(QD)和单电子器件(SED)。单电子器件又分为单电子晶体管(SET)和单电子存储器(SEM)，     

半导体量子器件

概述了半导体量子微结构中的量子效应，并介绍了谐振隧道器件。评述了新的量子微结构，如单电子隧道器件，电子波衍射晶体管和量子线量子箱激光器的开发，还了量子微结构的尺寸要求和研究课题。     

量子器件前程无量

据新出版的英国《自然》杂志载 文报道，美国科学家在量子计算机研究方面获得重大的进展，这使得人们向往已久的量子计算机。又向我们靠近了一大步，使科学家们对利用量子研究领域的新技术研制出超级计算机充满了信心。美国科学家宣布，他们已经实现了４量子位逻辑门，取得了４个锂离子的量子缠结状态，此举使２１世纪量子计算机的研制取得了重大突破。 今年７月４日；德国慕尼黑技术大学和美国哈佛大学等高等学府和科研机构的科学家们，联合宣布研制成功５量子位的核磁共振量子计算机，并且成功地通过了运算试验。此举标志着全球量子理论研…     

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术，近年来，越来越受到世界各国的重视。本文主要介绍纳米光电子学的基本概念，发展模式，纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。     

InP基RTD/HEMT集成的几个关键工艺研究

用MBE设备在半绝缘的InP衬底上依次生长高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料和共振遂穿二极管(RTD)外延材料,在此材料结构基础上研究和分析了RTD与HEMT器件单片集成工艺中的隔离工艺、欧姆接触工艺、HEMT栅挖槽工艺和空气桥工艺等几步关键工艺,给出了这些工艺的相关参数。利用上述工艺成功地制作了RTD和HEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和HEMT器件的电学特性。测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比(PVCR)为3.66;HEMT器件的最大跨导约为370 mS/mm,在Vds=1.5 V时的饱和电流约为391 mA/mm。这将为RTD与HEMT的单片集成研究奠定工艺基础。     

Growth of SiGe/Si quantum well structures by atmospheric pressure chemical vapor deposition

First structural and electrical data are reported for SiGe/Si quantum well structures grown by a new ultra clean low temperature epitaxial deposition process at atmospheric pressure. It is found that the process suppresses the segregation of germanium, possibly by a chemical termination of the surface during the growth. Mutiple-quantum-well structures with controllable well widths and abrupt interfaces have been prepared at temperatures ranging from 550 to 650°C. Magneto-transport measurements of modulation doped quantum wells reveal hole mobilities of 2000 cm²/Vs at 4.2 K at a carrier density of 1.7^*10¹² cm⁻² and a germanium concentration of 18% in the SiGe channel. Resonant tunneling diodes grown by this technique exhibit well resolved regions of negative differential resistance within a very symmetric I-V characteristic.     

RTD与PHEMT集成的几个关键工艺

在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上，研究和分析了分立器件的制作工艺，给出了分立器件的制作工艺参数．利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件，并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性．测试表明：在室温下，RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs＝0.5V时的饱和电流约为270mA/mm．这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础．     

一种新材料结构的RTD器件的设计及实现

设计了一种带有Al0.22Ga0.78As/In0.15Ga0.85As/GaAs发射极空间层和GaAs/In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱的共振隧穿二极管(RTD)材料结构,并且成功地制作了相应的RTD器件.在室温下,测试了RTD器件的直流特性,计算了RTD器件的峰谷电流比和可资电流密度.在分析器件特性的基础上,指出调整材料结构和优化工艺参数将进一步提高RTD器件的性能.     

Design and Realization of Resonant Tunneling Diodes with New Material Structure

A new material structure with Al0.22Ga0.78As/In0.15Ga0.85As/GaAs emitter spacer layer and GaAs/In0.15Ga0.85As/GaAs well for resonant tunneling diodes is designed and the corresponding device is fabricated.RTDs DC characteristics are measured at room temperature. Peak to valley current ratio and the available current density for RTDs at room temperature are computed.Analysis on these results suggests that adjusting material structure and optimizing fabrication processes will be an effective means to improve the quality of RTDs.     

利用超导量子相干装置一步制备W类纠缠态

鉴于一种新形式的W类纠缠态作为纠缠通道可以实现概率为100%的量子隐形传态和密集编码的特殊优势,我们提出一个基于超导量子相干装置在单模谐振腔中制备该W类纠缠态的方案。在这个方案里,只需利用超导量子相干装置和腔场发生共振相互作用,一步便可制备W类纠缠态。在目前的腔QED技术条件下, 该方案是可以实现的。     

量子共振隧穿二极管的频率特性与分析

用HP8510C网络分析仪测量了AlAs/InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的S参数,通过实测曲线拟合提取器件等效电路参数,计算出所研制器件的阻性截止频率为54GHz,并分析了影响器件工作频率的因素.     

量子通信与量子计算

量子通信和量子计算是近年来信息领域基础研究的前沿课题.本文简单介绍了量子通信和量子计算的基本概念和新进展.     

量子通信与量子计算

量子信息学是物理学目前研究的热门领域，它主要包括量子通信和量子计算，文章简要介绍了量子通信和量子计算的理论框架，包括量子纠缠、量子不可克隆定理、量子密钥分配、量子隐形传态、量子并行计算、Shor以及Grover的量子算法，并介绍该领域的研究进展。     

Quantum interference and space charge effects in double barrier structures incorporating wide quantum wells

The current-voltage characteristics of resonant tunneling devices with well widths between 12 and 180 nm are studied. The voltage interval between the resonant peaks in the current is measured as a function of well width. For the wide wells the amplitude of the peaks in the differential conductance is modulated by an “over the barrier” interference effect involving the collector barrier. Space charge buildup and intrinsic bistability effects for a particular resonant state are found to depend critically on its energy difference from the top of the collector barrier and from lower lying standing wave states of the quantum well.