δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性

本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。     

气态源分子束外延InGaP／GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用

本文研究了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构的气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）生长，所得样品晶格失配率△α／α＜８．９５×１０￣（－５），本底载流子浓度为１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）数量级，掺硅ｎ型样品的载流子浓度控制范围可达２×１０￣（１５）～４×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）。研究了Ｐ＿２和Ａｓ＿２气氛的切换条件对ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构界面特性的影响，并成功地生长了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）结构材料，用此材料在国内首次制成的ＨＢＴ器件ｆｒ＝２５ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝４６ＧＨｚ，电流增益β＝４０，最高可达β＝１５０。     

国产金属有机化合物TMGa,TMAl,TMIn和TMSb的MOVPE鉴定

利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构。表征材料纯度的７７Ｋ载流予迁移率分别达到ＧａＡｓ：μ＿ｎ＝５６６００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，Ａｌ＿（０．２５）Ｇａ＿（０．７５）Ａｓ：μ＿ｎ＝５１６０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＩｎＰ：μ＿ｎ＝６５３００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＧａＳｂ：μ＿ｐ＝５０７６ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。由１０个周期的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶Ｘ射线回摆曲线上高达±２０级的卫星峰。ＧａＡｓ／Ａｌ＿（０．３５）Ｇａ＿（０．６５）Ａｓ量子阱最小阱宽为１０，在ｌｉＫ下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为３９０ｍｅＶ，其线宽为１２ｍｅＶ。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。     

光阴极材料GaAs／AlGaAs的组分分析

为探索砷化我阴极的光电灵敏度的影响因素,利用Ｘ射线光电子能谱、二次离子擀谱和电化学方法测试和分析了国内和国外ＧａＡｓ光阴极材料ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ的Ｃ,Ｏ含量的空穴深度分布。实验发现,国内的材料在ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ 面及ＡｌＧａＡｓ层的Ｏ含量分别为７．６％和１０．６％,Ｃ深度分别为５．２×１０＾１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３和１．０×１０＾１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３,而国外的材料的Ｏ含量相应为１．０     

p~＋－GaInAsSb／p－GaInAsSb／n－GaSb异质结红外控测器

ＧａＩｎＡｓＳｂ是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）技术在ｎ型ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层，用ＰＬ谱、红外吸收谱、Ｘ射线衍射和扫描电子超声显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ，ＳＥＡＭ）等实验手段对ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层进行了表征。用ＧａＩｎＡｓＳｂ材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达２．４μｍ，室温探测率Ｄ＊达１×１０９ｃｍＨｚ（１／２）／Ｗ，２．２５μｍ波长时的量子效率为３０％。本文首次给出了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层的扫描电子超声显微镜像（ＳＥＡＭ像），为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。     

聚苯醚磺酸锂／共聚醚复合物的离子导电性研究

合成了３种不同磺化度的聚苯醚磺酸锂（ＳＰＰＯＬｉ）与Ｐ（ＭＥＯ１６－ＡＭ）／ＳＰＰＯＬｉ复合物。研究了复合物的离子导电性与磺化度，组成比及增塑剂含量的关系。含４０％（ｍａｓｓ）增塑剂的复合物具有单离子导电特征，锂离子迁移数高达０．９７，室温电导率达２×１０－５Ｓ／ｃｍ。     

工业铯钟速率变化主要因素的探讨

上海天文台（ＳＯ）原子时实验室的４台工业铯钟１９８３～１９９０年连续工作了４或７年，它们的速率的长期变化与钟房的环境参数和性能参数的变化有关。本文根据有关数据，用不同的方法进行了分析，得到了一些明晰的结果。１）钟的速率变化受湿度的季节性变化影响：在相对湿度变化１％时，Ｃｓ２（１２６７）和Ｃｓ４（１４５７４）的速率变化分别为１．８９５ｕｓ／ｄ（２．２×１０－１４）和０．６１８ｎｓ／ｄ（７．１×１０－１５）。ＳＯ的原子钟房的相对湿度的年变化为２０％～８５％，引起这两台钟的速率年变化分别为１．４３×１０－１２和４．６５×１０－１４２）钟的速率变化受钟的离子泵电流参数的线性变化（从钟束管寿命的中期开始）影响：在离子泵电流参数变化１μＡ时，Ｃｓ３（１６１８０）和Ｃｓｌ（１２９９７）的速率变化分别为０．４３９ｎｓ／ａ（５．０８×１０－１５）和０．５５２ｎｓ／ａ（６．３９×１０－１５）。这两台钟的离子系电流参数的年变化分别为１６．４７μＡ／ａ和６．５３μＡ／ａ，引起的频率漂移率分别为１．６７×１０－１３／ａ（０．０３９５ｎｓ／ｄ２）和８．３×１０１４／ａ（０．０１９７ｎｓ／ｄ２）     

论不锈钢容器中烘烤对出气率与抽速关系的影响

为了研究真空系统中烘烤时对出气率与抽速关系的影响，在室温条件下未经烘烤和在室温条件下经过温度为１００℃和２５０℃烘烤的情况下，对出气率与抽速的关系进行了测量。测量所得出气率ｑ（Ｔｏｒｒ，ｌ／ｓ，ｃｍ＾２）遵循指数规律：ｑ＝（Ｃｓ／Ａ）＾ｍ，其中，ｃ和ｍ（０〈ｍ〈１）为常数：Ｓ／Ａ为抽气参数，其定义为抽速Ｓ（ｌ／ｓ）与真空容器表面积Ａ（ｃｍ＾２）之比，Ｓ／Ａ的变化范围从２．４６×１０＾－５到１．２６     

碳掺杂GaAs的MBE生长

本文在国内首次采用自行设计的碳纤维束源炉及固态源ＭＢＥ技术生长了优质碳掺杂ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ及δ碳掺杂ＧａＡｓ外延层。获得了空穴浓度从４×１０１４ｃｍ－３到２×１０１９ｃｍ－３的ＧａＡｓ材料。用霍尔效应测量仪、电化学ＣＶ剖面仪和Ｘ射线双晶衍射仪分析了外延层的质量。用Ｎｏｍａｒｓｋｉ干涉显微镜和原子力显微镜分析了ＧａＡｓ的生长过程。结果表明碳是ＧａＡｓＩＩＶ族化合物半导体的极好的ｐ型掺杂剂。     

高迁移率AlGaN-GaN二维电子气

用金属有机物气相外延方法在（０００１）蓝宝石衬底上生长了ＡｌｘＧａ１－ｘＮ／ＧａＮ二维电子气结构。Ａｌ０．１３Ｇａ０．８７Ｎ（７００ｎｍ）／ＧａＮ（６００ｎｍ）异质结的室温电子迁移率达１０２４ｃｍ＾２／Ｖｓ,而ＧａＮ体材料的室温电子迁移率为３９０ｃｍ＾２／Ｖｓ;该异质结的７７Ｋ电子迁移率达３５００ｃｍ＾２／Ｖｓ,而ＧａＮ体材料的电子迁移率在１８５Ｋ下达到峰值,为４９０ｃｍ＾２／Ｖｓ,７７Ｋ下下降到     

模态的可观可控度与作动器,传感器的布置

本文给出评价模态可观可控性的一种方法,利用可观、可控格拉姆阵的象空间、零空间与模态可观可控性之间的关系,给出计算可观可控度的计算式,并以此可观可控性度量来确定作动器、传感器的布置.这种方法计算简单,易于应用.     

岩体声发射与微震监测定位技术及其应用

岩体在破坏之前 ,都会出现声发射和微震现象。通过仪器监测声发射和微震 ,就可以判定岩体的失稳状态及其位置。文中论述了监测和定位原理 ,简介了专门开发的单通道监测仪和多通道监测定位系统的结构和功能。该系统的绝对定位误差为 8 6m ,相对误差小于 10 %。在 4个有色金属矿山的实际应用表明 ,利用该系统的监测结果 ,可对采场或空区的稳定性作出及时、准确的评价 ,对岩体的失稳状态作出预报     

与铁电、弛豫铁电相变及畴界有关的内耗和介电损耗

在ＫＤＰ、ＴＧＳ中，Ｔｃ附近分别观测到两个内耗（Ｑ－１）和介电损耗（Ｄ）峰，在ＬＮＰＰ中观测到相应的两个内耗峰，Ｐ１峰起源于二级相变的涨落效应，而Ｐ２与畴有关．考虑到Ｔｃ附近序参量以及由之而引起的畴界密度和畴界运动的粘滞系数随温度的显著变化，计算了与畴界运动有关的内耗和介电损耗，并和实验结果进行了比较．在弛豫铁电体ＰＭＮ—ＰＴ中，Ｔｃ以下也观测到相应于Ｐ２峰的内耗和介电损耗峰，考虑到畴界运动和其它一些因素，对该峰进行了讨论     

与铁电,弛豫铁电变及畴界有关的内耗和介电损耗

在ＫＤＰ，ＴＧＳ中，Ｔｃ附近分别观不则到两个人耗（Ｑ＾－＾１）和介电损耗（Ｄ）峰，在ＬＮＰＰ中观测到相应的两个内耗峰，Ｐ１峰起源于二级相变的涨落效应，而Ｐ２与畴有关，考虑到Ｔｃ附近序参量以及由之而引起的畴界密度和畴界运动的粘滞系数随温度的著变化，计算了与畴界运动有关的内耗和介电损耗，并和实验结果进行了比较，在弛豫铁电体ＰＭＮ－ＰＴ中，Ｔｃ以下也观测到相应于Ｐ２峰的内耗和介电损耗峰，考虑到畴界运动和     

水溶性阳离子和两性聚电解质及其应用

水溶性阳离子和两性聚电解质已成为许多工业部门的重要材料和外加剂。本文简要介绍了它们的合成，表征方法，以及在石油工程，造纸，环境保护和纺织工业中的应用。     

检测实验室与实验室认可

简要介绍了实验室及实验室认可的发展情况、实验室认可发展动态、开展实验室认可的必要性、如何寻求实验室认可以及中国实验室国家认可委员会的有关政策。     

PE-g-MAH及其纳米复合材料的制备与表征

采用反应挤出的方式,首先对非极性的高密度聚乙烯进行功能化处理,得到HDPE-g-MAH,然后将其与有机蒙脱土熔融复合,制得了分散效果良好的纳米复合材料。并用红外对接枝效果进行验证,用XRD,TEM对复合体系的插层效果进行了分析和表征。进一步的热性能分析显示,纳米材料的热稳定性相对于纯聚乙烯有所提高;同时DSC研究结果表明,复合体系的结晶温度也有所提高。     

胍基聚合物的合成及抗菌性能

采用熔融缩聚的方法合成了聚亚己基胍盐酸盐（PHGC）及聚亚己基双胍盐酸盐（PHBG）。应用气相渗透压法（VPO）及粘度法测定了其分子质量，应用元素分析，FT－IR，XPS分析了聚合物的化学组成，抗菌活性的研究结果表明所合成的胍基聚合物具有较强的而且广谱的抗菌性能。     

聚丙烯表面改性及与涂料的粘结

讨论了聚丙烯制品喷涂着色的优点及影响聚丙烯制品与涂料之间粘结强度的各种因素。综述和评价了对聚丙烯进行表面改性的必要性及各种表面改性方法。     

丙交酯与碳酸亚乙酯的共聚及性能表征

以丙交酯和碳酸亚乙酯为原料,使用催化剂氯化亚锡在常压氩气保护下引发丙交酯与碳酸亚乙酯开环共聚,得到了不同组成和分子量的聚乳酸-碳酸亚乙酯的共聚物。用FT-IR,1H-NM R,GPC对丙交酯与碳酸亚乙酯共聚物的结构进行了表征。结果表明,氯化亚锡引发丙交酯和碳酸亚乙酯开环共聚得到的是二者的线型无规共聚物,通过GPC和1H-NM R等方法检测得到了共聚物分子量及其组成。