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1.
本文用GSMBE技术生长纯度GaAs和δ-掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度GaAs的GSMBE生长和研究,在低掺Si时,载流子浓度为2×10~(14)cm~(-3),77K时的迁移率可达84,000cm~2/V.s。对于用GSMBE技术生长的δ-掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气材料,在优化了材料结构和生长工艺后,得到了液氮温度和6K迁移率分别为173,583cm~2/V.5和7.67×10~5cm~2/V.s的高质量GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气材料。 相似文献
2.
本文研究了InGaP/GaAs异质结构的气态源分子束外延(GSMBE)生长,所得样品晶格失配率△α/α<8.95×10 ̄(-5),本底载流子浓度为10 ̄(15)cm ̄(-3)数量级,掺硅n型样品的载流子浓度控制范围可达2×10 ̄(15)~4×10 ̄(18)cm ̄(-3)。研究了P_2和As_2气氛的切换条件对InGaP/GaAs异质结构界面特性的影响,并成功地生长了InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)结构材料,用此材料在国内首次制成的HBT器件fr=25GHz,f_(max)=46GHz,电流增益β=40,最高可达β=150。 相似文献
3.
利用我们研制的常压MOVPE设备对国产TMGa、TMAl、TMIn和TMSb进行了鉴定,为此分别生长了GaAs、AlGaAs、InP、GaSb外延层和GaAs/AlAs、GaSb/InGaSb超晶格和GaAs/AlGaAs量子阱结构。表征材料纯度的77K载流予迁移率分别达到GaAs:μ_n=56600cm ̄2/V·s,Al_(0.25)Ga_(0.75)As:μ_n=5160cm ̄2/V·s,InP:μ_n=65300cm ̄2/V·s,GaSb:μ_p=5076cm ̄2/V·s。由10个周期的GaAs/AlAs超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶X射线回摆曲线上高达±20级的卫星峰。GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As量子阱最小阱宽为10,在liK下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为390meV,其线宽为12meV。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。 相似文献
4.
为探索砷化我阴极的光电灵敏度的影响因素,利用X射线光电子能谱、二次离子擀谱和电化学方法测试和分析了国内和国外GaAs光阴极材料GaAs/AlGaAs的C,O含量的空穴深度分布。实验发现,国内的材料在GaAs/AlGaAs 面及AlGaAs层的O含量分别为7.6%和10.6%,C深度分别为5.2×10^18atoms/cm^3和1.0×10^19atoms/cm^3,而国外的材料的O含量相应为1.0 相似文献
5.
GaInAsSb是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积(MOCVD)技术在n型GaSb衬底上成功地生长了GaInAsSb外延层,用PL谱、红外吸收谱、X射线衍射和扫描电子超声显微镜(ScanningElectronAcousticMicroscopy,SEAM)等实验手段对GaInAsSb外延层进行了表征。用GaInAsSb材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达2.4μm,室温探测率D*达1×109cmHz(1/2)/W,2.25μm波长时的量子效率为30%。本文首次给出了GaInAsSb外延层的扫描电子超声显微镜像(SEAM像),为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。 相似文献
6.
聚苯醚磺酸锂/共聚醚复合物的离子导电性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
合成了3种不同磺化度的聚苯醚磺酸锂(SPPOLi)与P(MEO16-AM)/SPPOLi复合物。研究了复合物的离子导电性与磺化度,组成比及增塑剂含量的关系。含40%(mass)增塑剂的复合物具有单离子导电特征,锂离子迁移数高达0.97,室温电导率达2×10-5S/cm。 相似文献
7.
工业铯钟速率变化主要因素的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
上海天文台(SO)原子时实验室的4台工业铯钟1983~1990年连续工作了4或7年,它们的速率的长期变化与钟房的环境参数和性能参数的变化有关。本文根据有关数据,用不同的方法进行了分析,得到了一些明晰的结果。1)钟的速率变化受湿度的季节性变化影响:在相对湿度变化1%时,Cs2(1267)和Cs4(14574)的速率变化分别为1.895us/d(2.2×10-14)和0.618ns/d(7.1×10-15)。SO的原子钟房的相对湿度的年变化为20%~85%,引起这两台钟的速率年变化分别为1.43×10-12和4.65×10-142)钟的速率变化受钟的离子泵电流参数的线性变化(从钟束管寿命的中期开始)影响:在离子泵电流参数变化1μA时,Cs3(16180)和Csl(12997)的速率变化分别为0.439ns/a(5.08×10-15)和0.552ns/a(6.39×10-15)。这两台钟的离子系电流参数的年变化分别为16.47μA/a和6.53μA/a,引起的频率漂移率分别为1.67×10-13/a(0.0395ns/d2)和8.3×1014/a(0.0197ns/d2) 相似文献
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为了研究真空系统中烘烤时对出气率与抽速关系的影响,在室温条件下未经烘烤和在室温条件下经过温度为100℃和250℃烘烤的情况下,对出气率与抽速的关系进行了测量。测量所得出气率q(Torr,l/s,cm^2)遵循指数规律:q=(Cs/A)^m,其中,c和m(0〈m〈1)为常数:S/A为抽气参数,其定义为抽速S(l/s)与真空容器表面积A(cm^2)之比,S/A的变化范围从2.46×10^-5到1.26 相似文献
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本文在国内首次采用自行设计的碳纤维束源炉及固态源MBE技术生长了优质碳掺杂GaAs、AlGaAs及δ碳掺杂GaAs外延层。获得了空穴浓度从4×1014cm-3到2×1019cm-3的GaAs材料。用霍尔效应测量仪、电化学CV剖面仪和X射线双晶衍射仪分析了外延层的质量。用Nomarski干涉显微镜和原子力显微镜分析了GaAs的生长过程。结果表明碳是GaAsIIV族化合物半导体的极好的p型掺杂剂。 相似文献
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模态的可观可控度与作动器,传感器的布置 总被引:1,自引:0,他引:1
本文给出评价模态可观可控性的一种方法,利用可观、可控格拉姆阵的象空间、零空间与模态可观可控性之间的关系,给出计算可观可控度的计算式,并以此可观可控性度量来确定作动器、传感器的布置.这种方法计算简单,易于应用. 相似文献
12.
岩体声发射与微震监测定位技术及其应用 总被引:21,自引:0,他引:21
岩体在破坏之前 ,都会出现声发射和微震现象。通过仪器监测声发射和微震 ,就可以判定岩体的失稳状态及其位置。文中论述了监测和定位原理 ,简介了专门开发的单通道监测仪和多通道监测定位系统的结构和功能。该系统的绝对定位误差为 8 6m ,相对误差小于 10 %。在 4个有色金属矿山的实际应用表明 ,利用该系统的监测结果 ,可对采场或空区的稳定性作出及时、准确的评价 ,对岩体的失稳状态作出预报 相似文献
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水溶性阳离子和两性聚电解质及其应用 总被引:10,自引:1,他引:9
水溶性阳离子和两性聚电解质已成为许多工业部门的重要材料和外加剂。本文简要介绍了它们的合成,表征方法,以及在石油工程,造纸,环境保护和纺织工业中的应用。 相似文献
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检测实验室与实验室认可 总被引:7,自引:0,他引:7
简要介绍了实验室及实验室认可的发展情况、实验室认可发展动态、开展实验室认可的必要性、如何寻求实验室认可以及中国实验室国家认可委员会的有关政策。 相似文献
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采用反应挤出的方式,首先对非极性的高密度聚乙烯进行功能化处理,得到HDPE-g-MAH,然后将其与有机蒙脱土熔融复合,制得了分散效果良好的纳米复合材料。并用红外对接枝效果进行验证,用XRD,TEM对复合体系的插层效果进行了分析和表征。进一步的热性能分析显示,纳米材料的热稳定性相对于纯聚乙烯有所提高;同时DSC研究结果表明,复合体系的结晶温度也有所提高。 相似文献
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胍基聚合物的合成及抗菌性能 总被引:3,自引:0,他引:3
采用熔融缩聚的方法合成了聚亚己基胍盐酸盐(PHGC)及聚亚己基双胍盐酸盐(PHBG)。应用气相渗透压法(VPO)及粘度法测定了其分子质量,应用元素分析,FT-IR,XPS分析了聚合物的化学组成,抗菌活性的研究结果表明所合成的胍基聚合物具有较强的而且广谱的抗菌性能。 相似文献
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聚丙烯表面改性及与涂料的粘结 总被引:3,自引:2,他引:1
刘景江 《高分子材料科学与工程》1992,8(5):1-5
讨论了聚丙烯制品喷涂着色的优点及影响聚丙烯制品与涂料之间粘结强度的各种因素。综述和评价了对聚丙烯进行表面改性的必要性及各种表面改性方法。 相似文献
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以丙交酯和碳酸亚乙酯为原料,使用催化剂氯化亚锡在常压氩气保护下引发丙交酯与碳酸亚乙酯开环共聚,得到了不同组成和分子量的聚乳酸-碳酸亚乙酯的共聚物。用FT-IR,1H-NM R,GPC对丙交酯与碳酸亚乙酯共聚物的结构进行了表征。结果表明,氯化亚锡引发丙交酯和碳酸亚乙酯开环共聚得到的是二者的线型无规共聚物,通过GPC和1H-NM R等方法检测得到了共聚物分子量及其组成。 相似文献