氢化物发生法-ICP-AES测定钽中微量杂质元素

采用氢化还原法,分离富集钽中微量杂质元素,然后采用ICP-AES测定其中铋、硒、碲等杂质元素。方法检出限可达ng/g,回收率在90%以上。     

Sc,La对Al-Mg焊料中杂质元素偏聚的调控作用

采用金相显微镜、扫描电镜、能谱分析和X射线衍射仪,研究了添加微量钪、镧对铝镁焊料中杂质元素偏聚的调控作用. 结果表明,在铝镁焊料合金凝固过程中,铁、硅等杂质元素在晶界有偏聚效应,添加微量钪、镧可以降低铁、硅杂质在晶界的偏聚浓度. 钪与镧减轻杂质元素在晶界偏聚的效果存在差别,添加钪的合金比添加镧的合金晶界处杂质元素偏聚强度明显减弱. 造成这种差别的原因是,钪、镧对杂质元素偏聚的调控机制不同.     

Fe70Ni30合金粉体触媒及合成金刚石中杂质元素的原子发射光谱分析

为了分析合成金刚石中的杂质元素,以粉体Fe70Ni30合金触媒及石墨为原料,用静态高压技术合成出金刚石,分别对触媒和金刚石进行了原子发射光谱分析.测试结果表明:触媒里具有Co、Ca和Mn等22种含量值在0.0001～1.5 wt %之间的杂质元素;合成金刚石中有含量值在0.00005 ～ 0.02 wt %之间的Fe、Ni和Ca等10种杂质元素.这些杂质元素对金刚石质量和性能的影响进行了定性讨论.采用粉末触媒合成金刚石,其合成晶体中含有一定量的杂质元素是很难避免的,除合理采用合成工艺外,还可以通过严格控制原材料纯度等一些措?来降低合成晶体中杂质元素的含量,进而提高合成金刚石的质量.     

TBP萃取剂从铜阳极泥盐酸-氯气浸出液中选择性萃取金（英文）

铜阳极泥的盐酸-氯气氧化性浸出会导致大量杂质元素如Fe、Cu、Pd、Se等的溶解。以TBP作为萃取剂,采用标准的溶剂萃取实验方法,等体积有机相和水相来萃取分离Au、Pd、Pt、Fe、Cu和Se等元素,研究TPB浓度、HCl和氯离子浓度对杂质分离效果的影响。结果表明,在有机相中TBP浓度为0.25 mol/L、水相中HCl浓度为2.5 mol/L的条件下,可以得到高的金萃取率。同时,其他杂质元素的萃取可以忽略不计。对负载有机相采用蒸馏水进行洗涤,可以去除部分杂质元素。采用硫代硫酸钠溶液进行反萃,反萃液中不含任何杂质元素。在反萃液中加入硫酸,反应产生的SO_2气体可还原金离子。     

杂质元素对Al-Zn-In-Mg-Ti牺牲阳极电化学性能的影响

采用Al-Zn-In-Mg-Ti合金作为阳极材料,杂质元素分别为Fe、Si和Cu,通过控制变量法,对牺牲阳极进行电化学性能测试。讨论了杂质元素对Al-Zn-In-Mg-Ti牺牲阳极电化学性能和表面溶解状态的影响。评价了不同杂质元素对Al-Zn-In-Mg-Ti牺牲阳极腐蚀防护性能的影响。结果表明:当Fe元素含量控制在0.1%左右,Si元素含量控制在0.1%左右,Cu元素含量控制在0%的情况下,Al-Zn-In-Mg-Ti牺牲阳极腐蚀防护性能最佳。     

氧化除钌-ICP-AES法测定钌化合物中的杂质元素

利用四氧化钌易挥发的特点,将钌溶液用高氯酸冒烟去除钌,用ICP-AES测定样品中杂质元素。对钌基体干扰、高氯酸用量、杂质元素分析谱线、仪器分析参数等进行了研究,确定了最佳实验条件。结果表明,采用高氯酸冒烟,可将试液中钌含量降低至50 μg/mL以下,有效消除钌对杂质元素的光谱干扰。方法具有较宽的测定范围,对三氯化钌样品中20个杂质元素测定的相对标准偏差(RSD,n=9)为2.0%~3.5%,加标回收率在86.3%~118.0%之间,可满足钌化合物中杂质元素的测定要求。     

发射光谱法同时测定纯铂中21个杂质元素

本文结合国内外各分析方法的长处，对纯铂中杂质元素的测定进行了研究，采用粉末试样直流电弧激发摄谱，同时测定了纯铂中的21个杂质元素，各元素测定的相对标准偏差≤25％，方法简便，适用范围广，可用于99．9％－99．995％Pt中杂质元素的分析。     

WC-Co合金中立方相与杂质相的识别和分析

本文采用金相、扫描电镜及能谱分析方法，研究了WC-Co合金的立方相、再生合金的杂质相，对其进行识别和分析，并探讨了立方相的微观结构及其作用机理，为公司生产工艺控制提供数据支持。结果表明：在合金中加入的添加剂TaC、NbC等形成（Ta,Nb,W）C立方晶体碳化物的立方相，再生合金杂质元素构成含杂质元素的氧化物、氯化物的杂质相，利用SEM及EDS可以识别和分析合金中的立方相及杂质相。     

ICP—AES法测定纯铂中的杂质元素

1.引言采用化学方法分离富集试样中的杂质元素,然后用ICP-AES法测定之,是充分发挥ICP特性和有效利用直读光谱仪分析下限的途径.文献用JY-38型顺序扫描等离子光谱仪测定纯铂中15个杂质元素时,标准中不配进基体,对于固定检测型的仪器分析线波长不能选择.同时,考虑到从铂基体中将杂质元素分离出来,其难度大流程长,故采用不分离基体的方案. 配合贵金属冶金产品的有关研究工作,我们用ICPQ-1015直读光谱仪研究了纯铂中13个杂质元素的测定方法.     

镁电解杂质元素对液镁汇集的影响及控制

采用气冷阴极、电化学工作站等手段对杂质元素对液镁汇集、杂质元素电化学行为和控制进行研究。结果表明:MgO不仅会造成液镁汇集变差,镁颗粒变细,难以汇集,还会引起电极间短路,造成电极泄漏; Fe和Ti杂质元素将优先MgCl_2在阴极析出,不仅造成有效电流损失,还会引起液镁汇集变差,镁损失增加;原料带入为MgO的主要来源途径,通过除渣操作可将其除去,在电化学除杂过程中通过提高电流密度、增加电解质停留时间和减少电解残渣沉积量利于Fe和Ti杂质元素的清除。     

钩形件弯曲工艺及多工位级进模设计

对钩形件的弯曲成形工艺进行了分析和计算 ,设计了钩形件的多工位级进模。该级进模有预弯、成形和切断等3个工位 ,预弯在切断棒料以前完成 ,导料和定位准确 ,弯曲过程中的接触摩擦已改变为滚动摩擦。实践证明 ,工件的表面质量好、尺寸精度较高 ,且操作方便、生产效率高     

CMP中薄膜厚度问题研究

就目前CMP建模当中没有考虑到芯片表面的薄膜氧化所需时间对模型建立所产生的影响,以至最后模型的预测结果与试验结果相差甚多的问题进行探讨.在基于理论分析的基础上提出以椭偏仪法测定出芯片表面薄膜生成厚度与浸泡时间精确的对应关系.试验结果表明:在模型建立时,芯片表面薄膜厚度的生成时间对模型的建立有着重要影响,精确测定其时间对应关系将有助于使得所建模型的预测结果与试验结果进一步吻合.     

控制单工序锻件变形均匀性的研究

以单工序锻件为研究对象，对提高锻件变形均匀性的优化设计进行了研究。给出了优化设计的目标函数，确定了优化设计的设计变量和设计方法，并对一典型的轴对称H型锻件进行了优化设计，取得了明显的效果。     

独立学院的法律地位探析

在我国探索多种办学模式的过程中,独立学院是依托高校的社会声誉、教育资源等无形资产,按民办机制运行的一种新的办学模式。在实施过程中,独立学院存在许多问题,而法律地位的确立对于其生存和发展非常重要。本文从教育法学的角度,通过分析独立学院与政府、社会、投资方、所依托的高校以及它与教师、学生的法律关系,来探讨独立学院的法律地位。同时,针对目前确立独立学院法律地位的现实问题,提出了一些合理化建议。     

径向冲孔模设计

对盒体零件的冲孔工艺方案进行了分析,介绍了各种冲孔工艺方案的优缺点,从而确定了利用凸轮机构,实现了该零件的径向冲孔。介绍了该模具结构及工作过程,给出了零件的工艺计算方法,提出了模具的设计方法,为解决同类零件的冲孔提供了参考。     

变速箱操纵盖压铸模设计方案改进

通过对五十铃变速箱操纵盖压铸模设计方案的分析与改进 ,提高了产品合格率 ,延长了模具使用寿命 ,并阐明了合理设计与布置浇注系统在压铸模设计中的重要性。     

大学批判本性探析

批判是大学的本质属性,大学正是以理性主义和理想主义为基石,从它诞生之日起就是社会的批判中心,追求理想和诉诸理性是大学批判本性核心要素的解构。因此,从大学之批判的本性入手,才能更好把握大学批判精神的内涵。     

用科学发展观统领创新型大学建设

创新型大学是一种建立在创新基础上的大学组织形式,其核心理念和核心竞争力是创新。建设创新型大学是应对知识经济挑战和建设创新型国家的需要,是加快研究型大学自身发展的必然选择。必须用科学发展观统领创新型大学建设,大力推进教育创新、科技创新和管理创新。     

高等教育大众化背景下大学教师专业发展一体化简论

大学教师专业发展在高等教育大众化的背景下日益重要。新入职教师的大量增加、大学教育对象的多样复杂和大学教育内容、方法与技术手段的变化以及大学进入社会的中心大大丰富了对大学教师专业发展的认识。大学教师专业发展的内容包括：教学、科研、社会服务的知识和精神的一体化;专业发展与教育教学改革的一体化;外在规约与内在动机的一体化;专业发展责任的一体化;高等教育教学理论与教育教学实践的一体化和专业发展过程的一体化。     

曲面板件三维模型表面数据的提取与平置处理

在板件冲压成形模具的计算机辅助设计与制造过程中首先要分析板件的表面数据,阐述了曲面板件三维模型数据的提取与分析方法,将板件模型进行平置处理,并计算板件成形时的模具压力中心,同时,结合水泵叶片模型数据,阐述叶片三维模型表面数据的提取与处理过程.该方法为曲面板件成形模具的设计及其自动化加工提供了一种数据处理的途径.