国内外MSSBIRFPA的发展现状及其应用

本文介绍国内外金属硅化物肖特基势垒红外焦平面阵列(MSSBIRFPA)的发展现状。概述了PtSi、IrSi、GeSi／SiMSSBIRFPA的研制和开发水平，同时也介绍了MSSBIRFPA技术在军事上的应用情况及发展方向。     

红外焦平面阵列技术的发展现状

文章评述各种红外焦平面阵列技术的发展现状,其中,光量子型红外焦平面阵列包括Ⅱ-Ⅵ族HgCdTe三元化合物阵列、Ⅲ-V族InSb二元、InGaAs和GaAiAs三元化合物阵列、PtSi和非本征硅阵列技术,热型红外焦平面阵列包括Si、金属微测热辐射计、多晶硅热电堆和钡锶钛(BST)等热释电-铁电阵列,展望了该技术的发展前景。     

PtSi红外焦平面阵列技术的发展概况

介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列技术的最新进展,分析了国内研究中存在的问题,并指出了今后的发展方向     

256×256 Si微透镜阵列与红外焦平面阵列单片集成研究

基于标量衍射理论设计了8位相菲涅尔衍射微透镜阵列.利用多次曝光和离子束刻蚀技术在大规模面阵(256×256)PtSi红外焦平面阵列的背面制作了单片集成微透镜阵列样品(单元面积为30μm×40μm).测试结果表明,单片集成微透镜的红外焦平面阵列样品的信噪比提高了2.0倍.     

256×256Si微透镜阵列与红外焦平面阵列单片集成研究

基于标量衍射理论设计了8位相菲涅尔衍射微透镜阵列.利用多次曝光和离子束刻蚀技术在大规模面阵(256×256)PtSi红外焦平面阵列的背面制作了单片集成微透镜阵列样品(单元面积为30μm×40μm).测试结果表明,单片集成微透镜的红外焦平面阵列样品的信噪比提高了2.0倍.     

PtSi单片式红外CCD

本文讨论单片式 PtSi—Si(p)SB IRCCD 的工作机理、芯片结构、制备工艺及其性能改善,该器件适用于3～5μm 红外光谱区的热成像。本文还讨论了带新型光学共振腔结构的 PtSi 肖特基势垒光探测器阵列的制作与特性,最后介绍了该两维红外焦平面阵列(FPA)的应用及发展动向。     

凝视式肖脱基红外电荷耦合焦平面的鉴定

概述肖脱基势垒红外探测器为制造高度均匀的单片式红外电荷耦合器件(IRCCD)焦平面阵列提供了可能。在p型硅上,PtSi的势垒高度约为0.27电子伏,红外响应延伸到～4.6微米。资料[1～6]论证了PtSi的IRCCD的热成象,本文介绍热成象的测量结果,所测红外相机的单片硅焦平面采用肖脱基内光电发射二极管和CCD读出电路。制成了256元PtSi肖脱基势垒IRCCD线列和25×50元面阵;图1为线列的光学     

重庆光电技术研究所科技捷报

机电部重庆光电技术研究所科技人员,继128×128元 PtSi 肖特基势垒红外焦平面阵列研制成功之后,经过艰辛努力,于1992年3月初又研制成功256×256元 PtSi 肖特基势     

金属硅化物及其在肖特基势垒IRCCD焦平面阵列中的应用

叙述了金属硅化物的形成、组分、性质和金属硅化物形成过程中的问题。简述了金属硅化物的形成机理、分析技术及其在金属硅化物(Pd_2Si,PtSi 和IrSi)肖特基势垒红外电荷耦合器件焦平面阵列中的应用。     

手持式焦平面阵列热像仪

美国Inframetric公司与美国陆军通信电子指挥别的夜视和电子传感器管理局合作，已经研制成一种Mi／CAM小型轻量热像仪。该装置包括电池和50mm透镜在内的重量仅为1．9kg，采用256×256元PtSi焦平面阵列。该装置的模块化设计允许它与各类透镜和焦平面阵列一起使用。图像可以通过观察镜直接进行观察，或传送到遥控设备内。照相机的功耗为6W。手持式焦平面阵列热像仪     

非制冷红外焦平面阵列读出电路设计研究

非致冷红外焦平面阵列技术正在迅速发展，应用领域日益扩展。本文简要介绍了非致冷焦平面阵列(UFPA)的发展历程和现状。对其核心部件之一，即读出电路(ROIC)，以热释电焦平面阵列和微测热辐射焦平面阵列所使用的ROIC为例，进行了原理分析和讨论。最后对未来非致冷红外焦平面阵列读出电路的发展方向进行了简单探讨。     

非制冷红外焦平面阵列信号处理系统设计

介绍了320×240非制冷红外焦平面阵列(UFPA)的信号处理系统;采用复杂可编程逻辑器件(FPGA)产生红外焦平面阵列的驱动时序,应用数字信号处理(DSP)技术实现红外焦平面阵列的非均匀校正.实验及仿真结果表明:FPGA可产生焦平面阵列所需时序,DSP对焦平面阵列的非均匀校正效果较好.     

1×128热释电IRFPA CMOS读出电路的研究

热释电红外焦平面阵列是非致冷红外焦平面阵列的主要发展方向之一 ,其读出电路是关键部件 ,属数模混合集成电路。分析了热释电读出电路的特点 ,设计原则 ,并给出了一种读出电路设计方案以及仿真和实验结果     

红外焦平面器件的信息获取电路技术

红外焦平面阵列器件是现代红外成像系统的关键器件,它包括红外探测器阵列和读出电路两部分。其信号获取电路是处理焦平面输出信号的部分,主要指与读出电路接口的放大电路。本文主要综合了红外焦平面器件的信息获取电路及其相关技术,并就其中的关键技术进行简要分析。     

百万象元红外传感器读出速度可达60场每秒

日本三菱电机公司最近推出的1,040×1,04象元(100万个象元)硅化伯(PtSi)肖特基势垒红外CCD焦平面列阵,这是迄今为止世界上出现的第一个集成度高达100万象元的红外焦平面阵列。由于象元的数目为旧有数目的4倍,因此图象质量更高,传感的角度也更宽。象元数目增加的原因,是将单元缩小了约一半,使100万个象元得以容纳于一块2cm见方的硅片上。这一点在以前很难办到,因为那样会降低温度分辨率。但是,现在     

红外热成像技术中的红外焦平面阵列的研究

微机电系统(MEMS)推动了红外焦平面阵列(FPA)技术的发展,使红外热像仪的性能和精度得到了很大的提高.红外焦平面阵列按照其工作原理、结构形式、制冷方式和成像方式的不同分为各种类型,比较并分析了各类型红外焦平面阵列间的不同点和各自特点.着重介绍了红外焦平面阵列技术最新研究热点中的光量子类红外焦平面阵列和双色、多色红外焦平面阵列,以及近些年它们在国内外最新的研究成果.最后讨论了红外焦平面阵列技术的发展趋势.     

单片式PtSi肖特基势垒IR—ITCCD焦平面列阵

本文介绍了PtSi肖特基势垒IRCCD的工作原理,评述了国外硅化物肖特基势垒红外焦平面列阵的发展,重点阐述了已制成的64×64、128×128元PtSi肖特基势垒IR-ITCCD焦平面列阵的结构与设计思想。     

8相位256×256衍射微透镜的设计与制作

介绍了衍射微透镜阵列的设计原理与制作工艺方法,在此基础上研制出适用于3～5μm波长256×256PtSi红外焦平面的8相位256×256硅衍射微透镜阵列,阵列中微透镜的孔径为50μm,透镜F数为f/2.5,微透镜阵列的中心距为50μm.实测衍射效率大于80%,能在红外波前传感器中较好应用.     

光伏HgCdTe混合器件的性能

第二代红外成象系统需要供凝视应用的高密度焦平面阵列。为了满足这种要求,已研制采用HgCaTe光电二极管作探测器和Si电荷耦合器件(CCD)作信号处理器的焦平面结构。虽然一般的离子注入混合阵列已成功地与CCD多路传输器互连,但在液相外延层上制备的混合阵列却具有性能、处理能力和成品率方面的一些固有优点。用富Hg-熔体液相外延技术制备的异质结结构二极管得出了较之一般离子注入器件为优越的性能。器件具有高R_0A乘积和良好的组分均匀性。给出了为8～12μm和3～5μm应用所制器件的数据。     

非制冷红外焦平面阵列信号处理系统设计

介绍了320-240非制冷红外焦平面阵列（UFPA）的信号处理系统;采用复杂可编程逻辑器件（FPGA）产生红外焦平面阵列的驱动时序,应用数字信号处理（DSP）技术实现红外焦平面阵列的非均匀校正。实验及仿真结果表明：FPGA可产生焦平面阵列所需时序。DSP对焦平面阵列的非均匀校正效果较好。