薄膜热应力的研究

讨论了薄膜热应力的产生原因及其计算方法，热应力与薄膜和基片的热膨胀胀系数，基片温度及其分布密切相关，利用溅射沉积在基片表面上的Ｆｅ－Ｎｉ薄膜热电偶测量薄膜沉积过程中的基片温度及其变化。Ｆｅ－Ｎｉ薄膜热电偶具有易于制作、性好和动态响应等优点，热电热率也较高（０．０２２ｍＶ／Ｃ）。最后，简介介绍了磁控溅射Ｃｏ－Ｃｒ合金膜的热应力和本征应力的研究结果。     

类金铡石薄膜内应力的测试

采用射频－直流等离子增强化学气相沉积法制备出类金刚石薄膜，用弯曲法测定薄膜的内应力。类金刚石薄膜中存在１－４．７ＧＰａ的压应力，沉积工艺对薄膜的内应力有很大影响，薄膜的内应力随极板负偏压的升高而降低，随Ｃ２Ｈ２气体一的增加而增大。     

真空蒸发Ag—Cu薄膜晶体结构的透射电镜的研究

利用透射电镜，对真空蒸发Ａｇ－Ｃｕ薄膜的晶体结构进行了分析研究。观察到了 Ａｇ－Ｃｕ薄膜在沉积过程中产生了有序化的 ＡｇＣｕ_３超点阵结构，并从理论上作了初 步分析。     

聚四氟乙烯薄膜等离子体表面改性的研究

利用等离子体表面处理和化学接枝的方法对聚四氟乙烯（ＰＴＦＥ）薄膜表面进行了化学改性。利用ＸＰＳ研究了改性后的ＰＴＦＥ薄膜的表面结构和价键状态，并通过接触角的测定研究了表面改性对薄膜亲水性的影响。研究结果发现ＰＴＦＥ薄膜经等离子体处理后，薄膜表面的Ｃ－Ｆ键发生了断裂，形成了Ｃ－Ｃ键、Ｃ－Ｈ键及Ｃ－Ｏ键；等离子体处理后的薄膜再经丙烯酸化学处理，强亲水性的丙烯酸基被接枝到ＰＴＦＥ表面，使得ＰＴＦＥ薄膜获     

Hg1—xCdxTe液相外延薄膜的晶体质量分析

本文用Ｘ－射线双晶遥摆曲线，分析了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜的晶体质量。结果表明，用垂直浸渍液相外延方法生长的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜，结构均匀性好，晶体质量高，Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜表面层的晶体质量，优于其界面层；同时，Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜表面层的位错密度，可通过Ｘ－射线双晶遥摆曲线的半峰算得到。     

薄膜热应力的研究

讨论了薄膜热应力的产生原因及其计算方法。热应力与薄膜和基片的热膨胀系数、基片温度及其分布密切相关。利用溅射沉积在基片表面上的Fe－Ni薄膜热电偶测量薄膜沉积过程中的基片温度及其变化。Fe－Ni薄膜热电偶具有易于制作、稳定性好和动态响应快等优点，热电势率也较高（0．022mV／℃）。最后，简要介绍了磁控溅射Co－Cr合金膜的热应力和本征应力的研究结果。     

CoMnNiO非晶薄膜热致相变

射频溅射的ＣｏＭｎＮｉＯ非晶薄膜在一定温度下热处理产生晶化，经历一个非晶－微晶－多晶的相变过程。ＸＲＤ和ＴＥＭ分析表明ＣｏＭｎＮｉＯ非晶薄膜在３００℃开始晶化，６００℃晶化完全，生成尖晶石多晶。其相变机制是原子扩散和链状组织的规则排列以及有序集团的凝聚合并。     

陶瓷基复合材料（SiCw／Y—TZP）在循环压应力下的疲劳裂纹扩展

研究了碳化硅晶须（ＳｉＣｗ）增强，Ｙ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２四方多晶体（Ｙ－ＴＺＰ）复合材料（ＳｉＣｗ／Ｙ－ＴＺＰ）在循环压应力作用下的疲劳特性，单边缺口弯曲试样在纵向循环压应力作用下缺口根部产生垂直于压应力的Ｉ型裂纹，类似于金属材料，在室温下循环应力导致Ｉ型裂纹的稳定扩展。压应力在缺口根部产生的不可逆损伤区在循环卸载过程中形成较大的残余拉伸应力场，使裂纹萌生并长大，同时，裂纹面产生的碎粒及晶须拔出导     

高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜

在等离子体化学气相沉积系统（ＰＥＣＶＤ）中，使用高氢稀释硅烷（ＳｉＨ４）加乙烯（Ｃ２Ｈ４）为反应气氛制备了纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜，随着（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）／Ｈ２（Ｘｇ）从５％时，由于Ｈ蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从４８％下降到８％，平均晶粒尺寸在３．５－１０ｎｍ。当Ｘｇ≥６％时，生成薄膜为非晶硅碳（ａ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜。ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相     

氮化碳薄膜的X射线衍射分析

研究了生工在硅片，合金钢片上的氮化碳薄膜的Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ），实验结果表明在硅片上先生长Ｓｉ３Ｎ４过渡层和对样品进行热处理，有利于β－Ｃ３Ｎ４晶体的生成，不同晶面的硅衬底，生长Ｃ３Ｎ４薄膜的晶面不同，合金钢片上Ｃ３Ｎ４薄膜，出现七个β－Ｃ３Ｎ４衍射峰和六个α－Ｃ３Ｎ４衍射峰，这些结果与β－Ｃ３Ｎ４和α－Ｃ３Ｎ４的晶面数据计算值相符合。     

太阳能电池材料Cu—In—Se的研究现状

综述了近年来太阳能电池材料Ｃｕ－Ｉｎ－Ｓｅ的研究现状，对ＣｕＩｎＳｅ２薄膜的制备，薄膜的光学性质，电学性质及现状等几个方面作了介绍。     

金刚石材料的摩擦及磨损

研究了金刚石单晶，以钴和碳化硅作粘结剂的金刚石聚晶及ＣＶＤ金刚石薄膜被软磨头摩擦和磨损的行为。在正压力和摩擦产生的拉应力聚合作用下，单道次摩擦时，ＴｉＢ２磨头可以使金刚石单昌表面产生“人字形”裂纹，我道次摩擦时，裂纹搭接及碎块脱落使金刚石表面产生磨痕。类似的磨痕也产生在聚晶金刚石表面。铝合金及中碳钢磨头可以较显著地磨损ＣＶＤ金刚石薄膜。     

喷丸,化学镀Ni—P对1Cr18Ni9Ti不锈钢抗应力腐蚀的影响

用三点加载试件研究了表面喷丸和化学镀Ｎｉ－Ｐ对１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ不锈钢在１５４℃，４０％ＭｇＣｌ２中的应力腐蚀敏感性的影响，两种表面处理都大大增强材料抗应力腐蚀破裂的能力。当外加应力不超过喷丸造成的应力时，喷丸对抗开裂非常有效；外加应力大于喷丸压应力后，随应力升高破裂时间缩短，化学镀Ｎｉ－Ｐ的保护效果主要决定于镀膜的完整性，在试件边棱处受力较苛刻部位，应力腐蚀最易产生，讨论了外加应力、膜的延性和     

退火对氧敏CeO2—x薄膜结构及电子组态的影响

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱计算了Ｃｅ＾３＋浓度，研究了退火条件对氧敏ＣｅＯ２－ｘ薄膜的晶体结构及电子组态的影响，ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经９７３Ｋ至１３７３退火后，形成了ＣａＦ２型结构的ＣｅＯ２－ｘ其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚，退火温度在９７３Ｋ至１１７３Ｋ时（２００）晶面是择优取向的，在１３７３退化４ｈ后，可得到热力学稳定的ＣｅＯ２－ｘ在退火前     

Cu－TiC纳米晶复合薄膜的研究

本文采用多靶磁控溅射技术，通过分别控制Ｃｕ和ＴｉＣ靶的溅射功率制取了不同ＴｉＣ含量的复合薄膜，采用ＸＲＤ、ＸＰＳ和ＴＥＭ技术分析了薄膜的组织结构，并测定了薄膜的硬度和电阻率。研究结果表明：随ＴｉＣ含量的增加，Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜的晶粒逐步细化，直至形成纳米晶，与此相应，薄膜的硬度提高，导电性降低。     

Cu—TiC纳米复合薄膜的研究

本文采用多靶磁控溅技术，通过分别控制Ｃｕ和ＴｉＣ靶的溅射功率制取了不同ＴｉＣ含量的复合薄膜，采用ＸＲＤ、ＸＰＳ和ＴＥＭ技术分析了薄膜的组织结构，并测定了薄膜的硬度和电阻率。研究结果表明：随ＴｉＣ含量的增加，Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜的晶粒逐步细化，直至形成纳米晶，与此相应，薄膜的硬度提高，导电性降低。     

a-C:H(N)薄膜的制备及性能

采用射频－直流等离子化学气相沉积法用Ｃ２Ｈ２、Ｎ２和Ａｒ组成的混合气体制备ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜,研究了薄膜的制备工艺、结构及直流导电特性。实验结果表明,ａ－Ｃ：：Ｈ（Ｎ）薄膜的沉积速率随混合气体中Ｃ２Ｈ２含量的增加而增大,当混合气体中Ｎ２含量增加到７５％时,薄膜的含氮量增大到９．０９％。薄膜中Ｃ、Ｎ原子以Ｃ≡Ｎ和Ｃ－Ｎ键的形式存在,结合进薄膜中的氮大大降低薄膜的直流电阻率。     

rf—dc PECVD制备的a—C：H（N）薄膜的结构分析

采用射频－直流等离子增强化学气相沉积技术用Ｃ２Ｈ２和Ｎ２气的混合气体制备出ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜,用ＴＥＭ、红外谱、ＸＰＳ等多种分析测试手段研究了薄膜的结构。结果表明ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜中Ｎ与Ｃ原子可形成Ｎ－Ｃ、Ｃ＝Ｎ和Ｎ≡Ｃ键,而碳氢原子主要以ＣＨ２基的形式存在。且薄膜中存在具有理想化学配比的Ｃ３Ｎ４相,薄膜的结构是由Ｃ３Ｎ４相镶嵌在非晶态ＣＮｘ基体中组成。     

溅射二氧化铈氧敏薄膜的XPS研究

本文用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，利用Ｘ射线光电子能谱研究了不同处理条件对ＣｅＯ２－ｘ薄膜电子组态的影响，特别是对表面的价态和吸附性质的影响。通过对Ｃｅ３ｄＸＰＳ谱的高斯拟合，计算了Ｃｅ＾３＋浓度并给出了判定Ｃｅ＾４＋还原的标志。研究结果表明，在空气中经１１７３Ｋ高温退火后可得到结晶完好的多晶ＣｅＯ２薄膜，而薄膜的化学价态没有变化，退火前后薄膜表面总有少量Ｃｅ＾３＋存在（１５％）     

C3N4膜的制备,结构和性能

采用微波等离子体化学气相沉积法，用高纯氮气（９９．９９９％）和甲烷（９９．９％）作反应气体，在多晶铂（Ｐｔ）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。利用扫描电子显微镜和扫描隧道显微镜观察薄膜形貌表明，薄膜由针状晶体组成。Ｘ射线能谱分析了这种晶态Ｃ－Ｎ膜的化学成分，对不同样品不同区域的分析结果表明，Ｎ／Ｃ比接近于４：３。Ｘ射线衍射结构分析说明，该厝主要由α－Ｃ３Ｎ４和β－Ｃ３Ｎ４和β－Ｃ３Ｎ４组成。ａｎｏ Ｉｎｄｅ