采用CSP封装的P沟道MOSFET

采用1mm×1．5min×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P,能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1．5V额定电压PowerTrench工艺设计,结合先进的WL—CSP封装,将导通电阻和所需的PCB空间减至最小。这款P沟道MOSFET器件的侧高比标准P沟道MOSFET降低40％,可满足下一代手机、MP3播放器和其他便携应用的要求。该器件具有低RDS（ON）（典型值74mΩ＠-4．5V VGS）,能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能（1．9W）。     

飞兆半导体采用CSP封装的P沟道MOSFET提供业界最薄的尺寸

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出采用1mm×1．5mm×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1．5V额定电压PowerTrench。工艺设计，结合先进的WL—CSP封装，将RDS（ON）和所需的PCB空间减至最小。     

安森美推出8款新型低压沟道MOSFET

安森美半导体日前推出8款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻(RDS（on）)，整体电源电路效率比其他同类封装的解决方案提高30％。     

兼容反激式和正激拓扑的同步整流控制器

FAN6204采用专有的创新线性预测时序控制技术,不受限于SRMOSFET的导通阻抗RDS（ON）,适合于固定频率或准谐振（QR）反激式转换器,以及不连续（DCM）或连续导通模式（CCM）运作。这项技术包含无电流检测电路的简单控制方法,能够提供更好的抗噪能力。