SiCOI MESFET的特性分析

提出了一种新的器件结构-SiCOI结构,即硅衬底上外延SiC制造MESFET器件,并建立了SiCOI MESFET器件结构与模型。使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。同时,还对SiCOI MESFET器件的击穿特性进行了模拟。这些电学特性数据为进一步设计及优化SiCOI MESFET器件提供理论基础。     

Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化

针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作,利用器件主要的性能参数,详细分析了UTB结构的交流特性.通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响,对器件结构进行了优化.最终针对UTB SOI MOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法,从而实现了结构参数的优化选取,使UTB SOI MOSFET器件的应用空间更为广泛.     

ZnS纳米薄膜的负微分电阻和记忆特性

通过激光分子束外延(LMBE)和热蒸发技术制备了基于ZnS纳米薄膜的Al/ZnS/ITO/玻璃器件,通过原子力显微镜(AFM)对ZnS表面薄膜形貌进行表征,采用Keithley 2400测量其电学特性,分别研究了扫描电压、ZnS薄膜厚度及不同温度的退火处理对器件电学特性的影响。实验结果表明:在不同的扫描电压作用下,器件均表现出稳定的负微分电阻特性,且其阻值随扫描电压的变化呈现出高低电阻两种状态,器件具有明显的记忆特性。适当减小ZnS薄膜的厚度或对器件进行400℃退火处理,均可有效减小低阻态的阻值,提高器件的峰-谷电流比率,进而优化器件的记忆特性。最后,基于能谷散射理论,对器件的负微分电阻特性进行了合理解释,理论和实验结果吻合较好。     

透射式电致变色器件的实验研究

本文主要介绍了一种透射式电致变色器件的结构和其基本工作原理,并对不同尺寸器件的响应特性、光学特性、存贮特性及循环寿命进行了测量和分析。     

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.     

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.     

与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟

采用工业标准 0 6 μmCMOS工艺设计了以反向击穿硅 p n结为基础的光发射器件 .讨论了该器件的光发射机理 .利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟 ,包括器件的正向和反向I V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等 .结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件 ,在光互连等领域具有广阔的应用前景.     

与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟

采用工业标准0.6μm CMOS工艺设计了以反向击穿硅p-n结为基础的光发射器件.讨论了该器件的光发射机理.利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟,包括器件的正向和反向I-V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等.结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件,在光互连等领域具有广阔的应用前景.     

微电子器件的抗辐射加固技术

对各类微电子材料的抗辐射特性进行了分析 ,对 Si双极器件和 Si CMOS器件、 Ga As微波功率器件、新兴光电器件—— VCSEL、 LED以及 MEMS的抗辐射加固技术进行了探讨 ,对几种空间单粒子效应 (SEE)进行了研究     

一种新栅结构垂直砷化镓场效应晶体管

本文提出一种呈现类五极管特性的新的垂直砷化镓场效应晶体管(V-GaAsFET),并用反应离子刻蚀(RIE)和MO-CVD技术相结合的方法制作出实验性的器件。这种器件独有的特征是一种埋入GaAs单晶里面的栅状介质/金属/介质栅的应用。对这种新器件的直流特性和标准穿透基区晶体管(PBT)的直流特性进行了对比。对于期望由这种结构所改善的器件特性进行了详细的讨论。     

基于TCAD软件的单层多晶EEPROM器件模拟分析

利用TCAD软件对单层多晶EEPROM器件特性进行了模拟分析,介绍了单层多晶EEPROM存储单元结构与原理的基础,针对TCAD软件中模拟分析单层多晶EEPROM器件特性时存在的困难,提出了一种两个MOS管外加电阻的等效模型来替代单层多晶EEPROM存储单元结构进行等效模拟.通过编程模拟了单层多晶EEPROM器件性能,模拟分析得到的特性曲线与理论曲线能较好吻合,验证了等效模型方案的可行性.     

空间微型光学载荷主结构优化设计与试验

针对某微型光学载荷主结构质量过重,地面重力变形过大以及基频太低的问题,提出以质量最小、随机加速度响应RMS值为目标,基频、变形为约束条件,建立优化数学模型,并对光学载荷主结构进行拓扑优化设计。对优化后的主结构进行工程分析,结果表明,优化后主结构质量为12.5 kg,降低了68.71%;基频由优化前的11.18 Hz提高到268.7 Hz;最大变形为0.3 m;光学载荷安装位置随机加速度响应值放大倍率1.2,小于总体指标1.5;最后对主结构和其上端安装的光学载荷进行了力学试验、热循环试验,并对试验后的设备进行了性能检测,结果满足总体指标,证明了所设计的主结构具有良好的性能,同时该主结构优化方法有效可行。     

亚100nm SOI器件的结构优化分析

分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响,给出了器件各结构参数的优化方向,找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区.在部分耗尽与全耗尽SOI器件的交界处,阈值电压的漂移有一个峰值,在器件设计时应避免选用这一交界区.此外,随着硅膜厚度的减小,器件的泄漏电流随着沟道掺杂浓度的不同,有一个极小值.通过模拟分析发现,只要合理选择器件的结构参数,就能得到性能优良的SOI器件     

Stratix器件在DVB-T调制器中的应用

Stratix器件是Altera公司推出的面向高速系统的新一代可编程逻辑器件。该器件内部集成有大容量存储器、可配置锁相环和高性能的DSP模块，同时采用了全新的布线结构，能支持多种IO接口标准。文中介绍了Stratix系列器件中EPLS25的新特性，给出了EPIS25在DVB-T调制器中的应用方法。     

基于氮化镓单晶的垂直p-i-n二极管性能研究

利用高质量自支撑GaN衬底,通过外延方法制备了垂直结构的GaN基p-i-n型二极管结构.通过对材料结构、杂质浓度分布以及对器件整流特性的研究,探究了影响垂直结构器件特性的关键因素.结果 表明,在同质外延的制备过程中,衬底表面的粗糙程度将使制备的环形结构具有不规则形状,这种不规则电极对垂直结构器件的性能将产生不利影响;此外,多种杂质在界面处聚集,进而形成平面漏电通道,是降低器件耐压值的主要因素.     

超深亚微米非对称Halo LDD低功耗新器件的研究分析

提出了一种新的器件结构——非对称Halo L DD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析了非对称HaloL DD器件的主要特性,并将其与常规结构、非对称L DD结构、非对称Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析.     

Power and linearity characteristics of GaN MISFETs on sapphire substrate

The improvement of device performance arising from the adoption of a MIS gate structure in GaN field-effect transistor (FET) is presented. GaN MISFET/MESFET devices were fabricated on sapphire substrate with and without the insertion of a thin SiN layer on device surface. The MISFET device showed improved device characteristic due to significant reduction in device gate leakage with respect to the standard MESFET structure. Measured power and linearity performance showed promising results. Under single-tone testing at 4 GHz, device yielded saturated output power 6.2 W/mm with 55% peak power added efficiency. When tested with two-tone signal device maintained a carrier to third order intermodulation ratio of 30 dBc up to power levels of 1.8 W/mm with 40% power added efficiency.     

GaAs基共振遂穿二极管的材料结构研究

用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD.主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,V<,p>降低到了0.41 V.同时常温下测试了其中一种设计结构的敏感单元在四种不同发射极面积下的I-V特性曲线.最后对器件阱结构和发射...     

Influence of channel length and high-K oxide thickness on subthreshold analog/RF performance of graded channel and gate stack DG-MOSFETs

In this paper, the graded channel gate stack (GCGS) DG MOSFET structure is studied in view of increasing device performance and immunity to short channel effects. The device has the advantage of improved gate oxide reliability, suppressed parasitic bipolar effect, lower DIBL and higher cut-off frequency. Therefore, the device must be investigated with respect to the variation of different structure dependent parameters before fabrication to have better reliability and constancy. In this work we have studied the device with respect to variation in high K oxide thickness (t_oxh) and channel length (L_g) to have better understanding on variation of different analog/RF performance parameters. The results validate that variations in t_oxh of the device significantly alters device performance parameters and must be pre accounted for realizing reliable analog/RF system on chip circuits.     

硅基APD器件的工艺及性能仿真分析

硅基APD 的性能取决于其器件结构与工艺过程。文中对n+-p--p+外延结构的APD 器件的工艺和器件性能进行了仿真分析,为硅基APD 器件的设计提供了理论指导。利用Silvaco 软件对APD器件的关键工艺离子注入和扩散工艺进行了仿真, 确定工艺参数对杂质的掺杂深度和掺杂分布的影响。并且,对于APD 器件的性能进行了分析,对电场分布、增益、量子效率、响应度等参数进行了仿真分析。仿真结果表明:在给定的器件参数条件下,所设计的APD器件的增益为100时,响应度峰值为55A/W左右,在600~900 nm 范围内具有较高响应度,峰值波长在810 nm。