磁控射频溅射法制备光波导薄膜研究

采用磁控射频溅射法制备了用作光波导器件的玻璃薄膜。通过选取不同的溅射材料,顺不同溅射条件下制备的玻璃薄膜的光学参数进行的测量、比较,并对其作为光波导的性能进行研究,通过理论上推导与计算,得出了在1．55μm窗口下制备光小导器件的玻璃薄膜所应具备的溅射条件。     

光波导用玻璃薄膜的制备及其性能研究

采用磁控射频溅射法制备光波导用玻璃薄膜。本文重点分析了不同溅射条件如氧分压、基片种类、基片温度下制备的薄膜光学性能，通过比较，得到制备0.6328μm和1.55μm窗口下光波导器件用玻璃薄膜所需溅射条件。     

光波导用玻璃薄膜的制备及其性能研究

采用磁控射频溅射法制备光波导用玻璃薄膜。本文重点分析了不同溅射条件如氧分压、基片种类、基片温度下制备的薄膜光学性能，通过比较，得到制备０．６３２８μｍ和１．５５μｍ窗口下光波导器件用玻璃薄膜所需溅射条件。     

溅射薄膜可进行光学集成

铁电溅射膜可能在集成光学领域内得到应用，尽管大多数波导作用元件以单晶结构为基础。众所周知，多晶体或陶瓷材料有明显的电-光效应。溅射薄膜很容易制备，并可淀积在便宜的玻璃或石英基板上。遗憾的是由于晶体边界的散射，溅射薄膜的多晶性质会产生损耗。现在正在寻找减少这种损耗的制备条件。     

光波导用氟化物玻璃薄膜

系统回顾了光波导用氟化物玻璃薄膜的研究历史,总结了其制备方法与研究现状,重点介绍了氟化物玻璃薄膜在无源光波导和有源光波导上的应用,并对其前景进行了展望.     

PSTM 用于Al_2O_3光波导薄膜的研究

利用光子扫描隧道显微镜 (PSTM)检测研究 Al2 O3光波导薄膜及其制备工艺。分析了不同温度条件下采用离子束增强沉积工艺制备的 Al2 O3光波导薄膜 PSTM图像。结果表明 :适当的增加基片的温度可以减小散射损耗 ,改善 Al2 O3光波导薄膜的性能     

PSTM 用于Al_2O_3光波导薄膜的研究

利用光子扫描隧道显微镜（PSTM）检测研究Al2O3光波导薄膜及其制备工艺,分析了不同温度条件下采用离子束增强沉积工艺制备的Al2O3光波导薄膜PSTM图像,结果表明,适当的增加基片的温度可以减少散射损耗 ,改善Al2O3光波导薄膜的性能。     

单片集成玻璃光波导器件

制备了三元件集成玻璃光波导器件──两个光波导短程透镜、一个光波导光栅。采用Ｋ＋／Ｎａ＋交换方法制备光波导。制备的器件用半导体激光测试，用ＣＣＤ和示波器接收观察光信号。实验观察到光波导光栅的Ｂｒａｇｇ（布拉格）衍射，衍射效率为３０％。     

溶胶-凝胶法在平面光波导薄膜制备中的应用

溶胶-凝胶技术作为一种湿化学法具有工艺温度低、化学均匀性好、易实现材料的掺杂等独特的优点,平面光波导薄膜是制备其他各种波导和集成光学器件的基础。近年来,采用溶胶-凝胶技术制备平面光波导薄膜已成为研究热点。该文综述了溶胶-凝胶法在制备平面光波导薄膜中的应用及其发展趋势。     

射频溅射功率对非晶Zn-Sn-O薄膜性能的影响

使用射频磁控溅射法,基于不同溅射功率(58、79、116、148和171W)条件在玻璃基底上室温制备了Zn-Sn-O(ZTO)薄膜,并探讨了溅射功率对薄膜的结构、电学性能和光学性能的影响。结果表明,提高溅射功率有助于提升薄膜的沉积速率;XRD分析表明不同溅射功率条件下制备的ZTO薄膜均具备稳定的非晶结构;随着溅射功率的增加,薄膜的电阻率下降,光学吸收边“红移”(光学禁带宽度从3.77eV减小到3.62eV);整体来看,在58~148W溅射功率范围内制备的ZTO薄膜具备较好的可见光透明性,其在380~780nm可见光范围内的平均透过率均超过85%。     

Erbium-doped waveguide fabrication via reactive pulsed laser deposition of erbium-doped oxyfluoride-silicate glass

Using reactive pulsed laser deposition, a thin film of erbium-doped oxyfluoride-silicate glass is deposited onto a fused silica substrate. Rib waveguides are fabricated from this film using reactive ion etching. The fabrication and characterisation of these waveguides are summarised. As a result of various characterisation experiments described here, it is concluded that close to stoichiometric transfer of material from the bulk to the film has been achieved. It is concluded, however, that strong quenching mechanisms are present in the film, significantly affecting the magnitude of the /sup 4/I/sub 13/2//spl rarr//sup 4/I/sub 15/2/ transition fluorescence lifetime.     

Phosphosilicate glass film for optical waveguide by sol-gel method

In this paper, silica-on-silicon erbium-doped phosphosilicate glass film material was fabricated for optical waveguides by sol-gel method. Samples were characterized and analyzed. It is demonstrated that we have got well-distributed, good translucent, alterable thickness of film and glass state erbiumdoped phosphosilicate films material for optical waveguides by sol-gel method.     

吸收性薄膜波导的参数测量

介绍了一种用棱镜耦合法测量吸收性薄膜波导参数的一种方法，它是由测得棱镜底部反射光斑中模的吸收线位置来确定薄膜的折射率和厚度。结果表明，此方法无需进行大量的计算就能同时精确地测量薄膜的折射率和厚度。给了两种吸收不同的薄膜波导参数测量结果。     

负胶-玻璃复合平面光波导传播特性的研究

本文报导了负胶-玻璃复合平面光波导传播特性的实验研究。测量并归纳了负胶介质薄层对银离子交换玻璃平面波导传播特性影响的实验趋势。介绍了弯曲条载波导的实验研究。     

光波导结构对其极化电光效应的影响

本文采用热极化技术在掺锗玻璃条形光波导中诱导出非线性光学效应,并通过变化光波导结构改变极化内电场的大小,研究热极化条件对诱导出的电光效应的影响。研究发现在最佳极化时间内,加入薄SiON层的光波导结构经极化后电光效应积累快,相同极化条件下诱导出的电光系数比原有的条形光波导增大约22%,同时极化光波导还存在一个较低的极化阈值电压。实验结果表明加入光波导结构中的薄SiON层可在一定程度上改变极化光波导内的电荷分布,实现强化其内部电场增大光波导内的非线性光学效应或电光效应的目的。     

超薄金属膜V-型槽等离子波导的定向耦合研究

分析了在 1 550 nm 波长下超薄金属膜(金膜厚t=10 nm)V-型槽等离子波导间长程沟道等离激元导模的定向耦合。通过计算不同波导间距下的模式分布,得出了定向耦合器中奇、偶模有效折射率实部和传播长度随波导间距的变化情况,并进一步计算了相邻波导间的耦合长度、最大串扰与波导间距的关系曲线。计算结果表明:在波导间距较小时,耦合长度小于各模式的传播长度,随着波导间距的增加,耦合长度随之增加,最大串扰随之减小。对超薄金属膜V-型槽等离子波导的定向耦研究在集成光路的实际应用中具有重要的价值。     

微波退火非晶硅薄膜低温晶化研究

多晶硅薄膜晶体管以及其独特的优点在液晶显示领域中起着重要的作用。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温制备（＜600℃高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文章研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺;微波退火非晶硅薄膜固相晶化法,利用X射线衍射、拉曼光谱和扫描电镜分析了微波退火工艺对非晶硅薄膜固相晶化的影响,成功实现了低温制备多晶硅薄膜。     

光盘光固化复制工艺中玻璃基片表面改性

测定了光固化膜分别与玻璃基片、金属Ni-模的结合力.采用预涂PMMA底化层、使用α-型硅烷偶联剂和SOL-GEL法制备衬底三种方法对玻璃基片表面进行改性并作比较,来选择合理的、经济的工艺路线.运用此工艺复制了CD唱片,并用SEM观察复制信息的微观形貌.     

一步溶液法制备有机-无机杂化钙钛矿薄膜

有机-无机杂化钙钛矿薄膜作为太阳电池的光吸收层,其薄膜的形貌、结构以及结晶程度等因素对电池的光电转换效率起到了决定性的作用,而薄膜的质量主要取决于制备工艺.采用一步溶液法制备了有机-无机杂化钙钛矿(CH3NH3PbI3)薄膜,主要分析了在氟掺杂氧化锡(FTO)导电玻璃、玻璃和多晶硅3种不同衬底上生长CH3NH3PbI3薄膜的形貌和结构的差异.结果表明,在FTO导电玻璃和玻璃衬底上生长的薄膜的晶粒尺寸和晶粒分布均匀,而在硅衬底上生长的薄膜的边缘晶粒尺寸大于中心处的晶粒,并详细分析了造成这种现象的原因.此外,在50℃的低温下对在FTO导电玻璃衬底生长的CH3NH3PbI3薄膜进行了不同时间的退火处理.实验结果表明,随着热处理时间的增加,晶粒尺寸也增加,但是合成的CH3NH3PbI3薄膜部分发生了分解.     

低翘曲度ITO透明导电膜玻璃的工艺研究

研究了不同厚度ITO膜的大尺寸超薄导电玻璃的翘曲度,ITO膜形成期间基片温度对ITO膜层晶体化程度的影响及不同基片温度下形成的ITO膜层在不同的退火条件下的退火前、后的电阻率和膜压应力.实验发现,ITO膜层的很高的压应力是导致导电膜玻璃翘曲的直接原因;采用室温沉积非晶ITO膜,然后经高温热退火可获得低膜压应力多晶相ITO膜.基于实验结论,提出了一种适合批量生产的低翘曲度ITO膜导电玻璃的制备工艺.