动态随机存储器新动向

美国Rambus Inc.已策划出Direct Rambus DRAM规范,其目标是瞄准1999年度PC机主存储器市场。这是备有高速接口的DRAM(Direct Rambus DRAM)规范,美国Intel Corp.将于1999年投放市场的PC机用外围LSI电路里,决定嵌入Direct Rambus DRAM的接口电路。世界著名的DRAM厂家有13家鉴于此情,纷纷领取Direct Rambus DRAM生产许可证。预定从1998     

新一代RDRAM又出新品

Rambus Inc.与Intel Corp.日前完成并发表了下一代Direct Rambus DRAM(RDRAM的规格,但存储器制造厂商则表示,还需要进行许多制程设计调整工作,才能进行量产,根据消息来源指出,其中最主要的问题是功耗问题。 NEC Corp.存储器产品研发部门负责人指出,为保持低功率消耗,必须将工作电压降到2.5V,但要在2.5V下达     

业界要闻

韩国三星电子与英特尔达成Rambus DRAM业务策略联盟 韩国最大的芯片制造商三星电子公司日前宣布,将与全球芯片业龙头英特尔公司就Rambus动态随机存储器(DRAM)芯片业务达成战略联盟。 三星电子在声明中表示,英特尔将提供所需的设备投资,使三星电子公司3月份产量占Rambus DRAM市场的一半。三星电子预测,2002年全球Rambus DRAM     

帮助中心

1 高速内存释疑 ?什么是C-RIMM?我什么时候需要用到它?还有,什么是PC800 Rambus?PCCC-RIMM是一个同Rambus DRAM模块一同在主板上使用的装置。Rambus技术使用非常快的时钟信号在内存和处理器之间传输数据,由于各种技术原因,每一个RDRAM插槽都     

供高速Rambus芯片使用的RIMM插座应运而生

在过去的六年中,伊利诺斯州Lisle市的Molex公司在满足高性能Rambus存储系统要求的互连产品的开发中一直扮演着重要角色。为继续跟上Rambus市场的步伐,该公司推出了用于RIMM(Rambus Inline Memory Module)的Direct Rambus存储器插座。 主要的DRAM供应商如富士通、日立、德州仪器、NEC和东芝等公司,以及销售ASIC和逻辑IC的公司都支     

RAMBUS实现内存信号处理再突破

Rambus宣布已实现SoC至内存接口的突破性20Gbps先进差动信号处理,并开发出创新技术,将单端内存信号处理推展到12.8Gbps,实属空前。Rambus同时开发出能够将内存架构从单端无缝转换为差动信号处理的创新技术,数据速率可获提升,     

泰克推出用于高速数字系统设计的新型测试仪器

在数字系统中,要求传送数据的速度越来越高,而推波助澜的主角便是电脑技术。大约每18月或者两年多一点时间,微处理器的频率便提高一倍。但是仅仅提高微处理器的频率并不够,还必须提高芯片之间传送数据的带宽,这样电脑的运作速度才能上去。于是出现了数字带宽高达1 GB/s的AGP4X总线和2.5 GB/s的Rambus技术,Intel正在把Rambus技     

串行链接单元技术有望使SAN交换密度加倍

IC制造商Toshiba America Electronic Components公司(位于美国加利福尼亚州圣何塞)和高速数字接口开发商Rambus公司(位于美国加利福尼亚州Los Altos)宣布了一项协议,准备将Rambus RaSer串行链接技术引入Toshiba公司的90nm工艺技术程序库中。利用这种技术融合所生产的产品将实现下一代SAN系统和背板互连,并使带宽、密度和功耗指标得到大幅度的改善。     

RAMBUS推出主存储器创新技术

Rambus宣布推出多项创新技术,可将主存储器运算效能从现有的DDR3数据速率限制提升到3200Mbps。Rambus创新设计技术,     

欧盟向美国芯片技术商提起反垄断指控

欧盟委员会2007年8月23日发表一项声明宣布,该委员会已向美国存储芯片技术商Rambus公司提起反垄断指控,因为其收取的动态随机存储器(DRAM)专利使用费过高。声明指出,作为一家专门从事高速储芯片设计、开发和技术许可的非生产型企业,Rambus公司掌握着动态随机存储器的多项专利技     

SyncLink重振旗鼓迎接Rambus挑战

由于受到Intel公司决定和Rambus公司合作这一消息的刺激,SyncLink DRAM联盟决定将集中力量推出SL-DRAM样品,这种产品内存频宽达到或超过1.6Gbit/Sec,是为1997年Intel桌上型微型计算机应用而研制的。     

RAMBUS低成本wire bond封装DDR3内存 运行速度可达到1866MT/s

Rambus宣布针对消费性电子产品推出高效能、低成本DDR3内存控制器接口解决方案。Rambus的DDR3解决方案采用低成本的wire bond封装,是业界首款达到1866MT/s（每秒百万次传输）数据传输速度的运作芯片。     

RAMBUS针对新一代移动产品推出移动XDR内存架构

Rambus宣布推出新一代移动产品适用的移动XDR内存架构。移动XDR内存乃延续Rambus去年所发表的创新移动内存技术,能够提供高带宽且低功耗的内存架构,进而使装置的功耗与效能充分满足新一代移动产品的需求。     

IAMBUS针对新一代移动产品推出移动XDR内存架构

Rambus宣布推出新一代移动产品适用的移动XDR内存架构。移动XDR内存乃延续Rambus去年所发表的创新移动内存技术，能够提供高带宽且低功耗的内存架构，进而使装置的功耗与效能充分满足新一代移动产品的需求。     

SiS 645公板评测——最先支持DDR333内存的P4芯片组

Intel推出P4处理器以后,随之推出了配合P4处理器的INTEL 850芯片组,虽然从目前来看这款芯片组的确是P4处理器最好的平台,然而,与之搭配的Rambus内存的制造成本很高,价格比较昂贵,这限制了Rambus内存的普及,也严重阻碍了P4进入丰流市场的步伐。为了改变这种不利局面,Intel在上个月正式推出了支持SDRAM的i845芯片组,虽然SDRAM内存的价格很便宜,但是其带宽很低,在使用PC 133标准的SDRAM时候,内存带宽的峰值只有1.06GB/s,这完全不能满足P4处理器对内存带宽的要求。同时,威盛     

在2000年的服务器中双数据率SDRAM取代Rambus

非常明显,SDRAM在2000年的大部分时间内将被选为服务器应用的存储器。今年年初曾预期RDRAM在下半年开始进入从台式PC至通信系统众多产品中。然而,生产和测试成本对SDRAM没有问题,而Rambus还有待     

应用RIMM(在线Rambus存储器模块)的电子产品即将大量涌现,低价位存储器测试系统提前上市

预计800兆赫的在线Rambus存储器模块(RIMM,Rambus-in-line Memory module)和应用它们的电子产品将大量生产,位于美国得克萨斯州Austin的Tanisys Technology公司不失时机地,将DarkHorseSigma 3型号800的Rambus模块测试系统推向市场。该系统既是第一台价格适中的RIMM测试系统,也是第一台能够在800兆赫频率测试RIMM模快的系统。     

6块DDR主板介绍和采购注意事项

因英特尔宣布计算机中新的主流内存将是Rambus RDRAM,因此主板制造商在设计新主板时,也将Rambus RDRAM规格列入设计重点之一。当主板制造商把融入新规格的主板准备就绪,却得知芯片制造商无法顺利生产RDRAM后,除了向芯片厂商询问原因外,相对地也针对已生产出来的主板重新定位,将其列入在高级工作站或服务器上使用。     

松下从美国Rambus引进DDR3接口技术

美国Rambus公司宣布,其已向日本松下提供Rambus的DDR3内存接口技术授权（英文发布资料）。松下计划将该技术应用于消费电子产品用SoC。通过该技术的宏单元（Macrocell）,可使SoC端的控制逻辑和DDR3型DRAM之间的传输速度最大达到1．6Gbit／秒。发布资料介绍了松下Satoru Fujikawa（战略半导体开发中心主任）的评述。     

倍速DRAM取得广泛一致

十二个动态随机存储器供应商(实际上全部供应商)预先发布计划生产倍速同步DRAM。现在29个提供支撑技术的厂家已经宣布了能促使它们很快上市的产品。尽管INTEL对Rambus的选择很可能影响业界的长期方向,但是几乎所有供应商在为短期的成功竭尽全力。 DDR—开放JEDEC标准,无需支付Rambus技术使用费,已经尽可能利用现有技术。实行这种转换不需要晶片生产设备的变化。现在需要的支持部件包括时钟驱动器、电压调整器、缓