塑料表面溅射电磁屏蔽膜的研究

电磁干扰(EMI)日益严重,在产品表面镀覆电磁屏蔽膜成为抗EMI主要措施之一.本文采用磁控溅射技术在聚酯塑料(PET)上制备出附着力大于5 MPa、2 GHz～4 GHz频率范围内屏蔽效能大于60 dB的复合结构的电磁屏蔽膜,并研究了导电膜、导磁膜及其复合膜层的电磁屏蔽特性.有关数据表明:镀覆500 nm Cu+300 nm 1Cr18Ni9Ti的复合屏蔽膜可以获得屏蔽效果、成膜速率和结合力的综合好效果.溅射功率、膜层厚度对电磁屏蔽特性和结合力有一定影响.     

电磁屏蔽层设计及其磁控溅射制备的研究

通过传输线模型推导出多层无限大平板的屏蔽效能的计算公式,并根据公式设计了双层屏蔽层,通过多靶直流溅射制备了多种金属屏蔽膜.研究结果表明衰减损耗是各层屏蔽效果线性相加的结果,反射损耗与各层相对位置关系无关,层数多或各屏蔽层的反射越大,则屏蔽效果越好.采用Cu/1Cr18Ni9Ti的金属屏蔽层结构,可获得良好的屏蔽效能及耐候性,单纯用表面阻抗来评估多层金属膜的电磁屏蔽效果并不合适.     

磁控溅射抗EMI金属膜的研究

首先对金属屏蔽的机理以及Schelkunoff电磁屏蔽理论进行了分析,然后采用磁控溅射的方法在PET塑料上沉积了Cu/1Cr18Ni9Ti,并采用波导的方法对样品的屏蔽效能进行了测试.研究表明单次反射损耗对屏蔽效能的贡献最大,双面金属膜层比单面金属膜层具有更高的屏蔽效果.     

金属粉/ 利乐包电磁屏蔽复合材料的制备及性能研究

分别以铜、镍、铁粉与利乐包装废弃物、HDPE、硅烷偶联剂为原材料,制备了金属粉/ 利乐包的电磁屏蔽复合材料,研究了不同金属粉体积分数对复合材料的力学性能、耐水性能及电磁屏蔽效能的影响。结果表明,材料的弯曲模量随体积分数的增加基本呈现上升的趋势;随着体积分数的增加,材料的24 h 吸水厚度膨胀率和24 h 吸水率均减小,耐水性依次为Ni/ 利乐>Fe/ 利乐>Cu/ 利乐;金属粉填充量的增加没有显著提高电磁屏蔽效能,电磁屏蔽效能的大小依次为Cu/ 利乐>Ni/ 利乐> Fe/ 利乐。     

SiC/Ni复合型电磁屏蔽涂料的研究

填料的电磁性能直接影响所制备涂料的屏蔽效能。本文使用不同混合比的SiC/Ni作为填料,进行组份复合和层状复合,对获得的电磁屏蔽涂层进行了研究。实验证明SiC的加入降低了Ni涂料的电磁屏蔽效能。SiC/Ni涂料层状复合后的电磁屏蔽效能比单组分涂料高。SiC在高频段有屏蔽性能。     

低温沉积ITO膜的透光率及电磁屏蔽特性的研究

采用射频磁控溅射技术,在水冷的有机玻璃(PMMA)和聚乙烯对苯二甲酯(PET)柔性膜上,低温沉积ITO薄膜。研究了膜厚对其形貌、光电以及电磁屏蔽特性的影响。结果表明,表面形貌随膜厚的增加有明显变化,进而对样品的光电性能产生明显影响,可见光平均透光率在75%~86%,电阻率在1×10-3Ω.cm~3×10-3Ω.cm范围内变化;其样品的总屏蔽效能也随着膜厚的增加而逐渐增大。通过适当调节膜厚,可分别实现样品最大平均透光率86.41%,最小电阻率1.19×10-3Ω.cm,最大屏蔽效能超过15 dB。     

ITO防电磁辐射玻璃屏蔽性能研究

采用直流磁控溅射技术在玻璃基板上沉积ITO薄膜,通过调整基板温度、薄膜厚度得到了最低方阻1．4Ω／□,薄膜透光率超过76％。对样品在150KHz到18GHz频段内电磁屏蔽效能采用屏蔽室法进行测试,1G频率点得到的屏蔽效能最好,达到了54dB,在屏蔽困难的低频段,150KHz频率点的屏蔽效能迟到24dB。     

电磁屏蔽导电复合塑料的研究现状

在研究电磁屏蔽的原理和电磁屏蔽效能的基础上,论述了复合型电磁屏蔽塑料的特性,并重点讨论了复合型电磁屏蔽塑料的导电机理和影响因素,展望了其研究方向及发展趋势.     

真空电镀制备非连续合金薄膜及其在电磁屏蔽中的应用

采用真空电镀工艺在塑料基底上制备了非连续合金薄膜。系统研究了沉积条件的改变对薄膜的表面形貌、微观聚集态特征、薄膜导电性能的影响,并对相应薄膜体系用于电磁屏蔽的效能进行了对比研究。发现在高能离子的参与下,沉积到塑料基底上有机涂层表面的金属原子(团)会渗入涂层内部与有机介质混合,形成非连续金属相,相应的薄膜表面也出现不同的微结构。实验表明,金属层总厚度不超过500nm时其平均电磁屏蔽性能可到50dB。该复合材料以及制备方法可应用于多种有电磁屏蔽需求的产品。     

纳米透明电磁屏蔽玻璃的制备及性能研究

迄今为止,国内现有的电磁屏蔽视窗不能很好兼具高透光率和高电磁波屏蔽效能.为此,本工作采用电子束蒸发法以ITO膜作为电磁波屏蔽层,探讨了纳米透明电磁屏蔽玻璃的制备及性能.为得到高屏蔽效能并保证较高的透光度,研究了膜厚、成膜速率、透光率、方电阻、屏蔽效能之间的关系,找到了最佳工艺参数.另一方面,通过对屏蔽膜进行原位高纯氧气氛下的后续热处理,改变ITO材料微结构,获得微纳晶团簇化显微结构,进一步降低方电阻,有效地提高了屏蔽效能.结果表明,厚度在500～1000nm之间,蒸镀速率为0.23nm,并经过400℃40min原位后处理可得到方电阻为5～3Ω/□,透光率76.3%～71.6%,屏蔽效能54.8～63.2dB的高性能ITO膜.另外,通过对玻璃基片采用预先热处理增强或将镀有屏蔽膜的玻璃和另外一块普通白玻进行复合制成夹层玻璃的方式,制得符合要求的特种安全玻璃.