不同制备工艺过程对Al18B4O33:Eu3+荧光特性的影响

以 9Al2 O3·2B2 O3和含 1 5mol%过量H3BO3为配方 ,用固相反应法在Al2 O3～B2 O3体系中合成基质Al1 8B4O33,并用固相反应法合成了两种荧光粉 ,对所得两种荧光粉的荧光光谱进行测试 ,结果表明两种荧光粉发射红色荧光 ,但它们的发射荧光光谱彼此不同 ,对荧光谱的分析和比较表明 ,制备工艺过程对荧光粉的荧光特性有明显的影响 .     

固相反应法合成Sr3Al2O6:Eu3+红色荧光材料

稀土离子激活的铝酸盐发光材料具有优良的性能和较低的成本,但目前还缺少红色发光材料。文章利用高温固相反应法在1200℃合成了Sr3Al2O6：Eu^3＋红色荧光材料,该材料有两个位于250nm和295nm附近的宽谱激发峰,能高效率吸收紫外光,发射出590nm、620nm、655nm、703nm的红色荧光,是一种发光强度较高的红色荧光材料。     

SrAl2O4:Eu2+,Dy3+光致发光釉的研究

利用SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 长余辉光致发光粉体，在陶瓷坯体上制备了釉面平整光滑的长余辉光致发光釉；通过比较SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 粉体和光致发光釉的激光光谱和发光光谱以及结构分析表明，该发光釉保持了SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 发光材料的发光特性，其发射峰是中心位于520nm的宽带光谱；研究了釉料不同组成对发光釉性能的影响及SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 粉体的不同含量对光致发光釉发光亮度和余辉时间的影响，获得了釉面发光亮度高、余辉时间长的最佳配方。     

Eu3+、Tb3+掺杂Zn4B6O13光致发光材料的研究

采用高温固相扩散方法，获得了Eu^3 、Tb^3 单掺杂和Eu^3 /Tb^3 双掺杂于过渡金属Zn4B6O13基质中的系列荧光材料，并分别研究了它们的光谱行为，其中Eu^3 位于610nm的强发射是来自^5D0→^7F2的跃迁；Tb^3 位于541nm的强发射是来自^5D4→^7F5的跃迁；Eu^3 /Tb^3 双掺杂时主要发射峰位于625nm处．通过光谱分析证明了在基质中存在Tb^3 →Eu^3 的能量传递，且Tb^3 是Eu^3 的良好的敏化剂．本文同时还讨论了温度、稀土离子浓度对材料发光特性的影响。     

LED用红色荧光粉Ca1.9(Si0.8 P0.2)O4:Eu3+的制备及发光性能

采用高温固相法制备了Ca_(1.9)(Si_(0.8)P_(0.2))O_4:Re(Re=Eu~(2+),Eu~(3+))系列发光材料,并对光致发光性能的影响因素进行了探究,主要包括煅烧温度、煅烧时间、稀土离子掺杂浓度等。经表征分析可知,制备Ca_(1.9)(Si_(0.8)P_(0.2))O_4:Eu~(2+)样品工艺条件确定为:煅烧温度、时间及掺杂Eu~(2+)浓度分别为1 275℃、4 h及4%。此样品最强激发波长为374 nm,最强发射波长为500 nm。色坐标结果显示样品发光处于绿光区域。制备Ca_(1.9)(Si_(0.8)P_(0.2))O_4:Eu~(3+)样品工艺条件确定为:煅烧温度、时间及掺杂Eu~(3+)浓度分别为1 300℃、4 h及6%。此样品最强激发波为394 nm,最强发射波长为589 nm。色坐标结果显示样品发光处于红光区域。     

Sm3+/Ho3+掺杂Lu3Al5O12基荧光粉的制备与发光性能研究

采用高温固相法制备了Sm3+/Ho3+掺杂Lu3Al5O12基荧光粉。XRD结果显示：所合成的荧光粉具有单一相石榴石结构。荧光光谱分析表明,在蓝光激发下,Lu3Al5O12：Sm3+样品的发射光谱的峰值波长为568nm和614nm,Sm3+的最佳掺杂摩尔分数为6.3%;Lu3Al5O12：Ho3+发射光谱峰值波长为549nm,Ho3+样品的最佳掺杂摩尔分数为4%。在Sm3+、Ho3+共掺Lu3Al5O12：Sm3+,Ho3+荧光粉中,Sm3+、Ho3+均为发光中心,样品的发射光谱中同时出现单掺Sm3+、Ho3+的特征发射峰。可见,Lu3Al5O12：Sm3+,Ho3+可用作暖白光LED用荧光粉。     

Cao．7Sro．18-1.5x（WO4）0.5（MoO4）0．5：0．08Eu^3＋，xTb^3＋

采用高温固相法合成系列Cao．7Sro．18-1.5x（WO4）0.5（MoO4）0．5：0．08Eu^3＋,xTb^3＋红色荧光粉,对其晶体结构和荧光性质进行X射线衍射（XRD）、荧光光谱（PL）表征．确定荧光粉的合成条件,同时研究共激活剂Tb^3＋和助熔剂H3BO3对荧光粉光谱性能的影响．结果表明：900℃焙烧2h荧光粉发光性能较好,共激活剂Tb^3＋和助熔剂H,BO,较明显增大荧光粉的发光强度．所制备的荧光粉均可以被近紫外光（395nm）和蓝光（465nm）有效激发,发射峰位于616nm（Eu^3＋的5D0→7F2跃迁）．     

红色荧光粉Ca3La3（BO3）5:Eu3+的制备及光学性能

由于红色荧光粉具有提高白光发光二极管（LED）显色指数以及降低色温等优点,因此开发性能优异的白光LED用红色荧光粉一直是白光LED领域研究的重要课题。通过传统的高温固相法制备了系列Ca₃La₃（BO₃）_5:3xEu³⁺红色荧光粉,并通过X射线衍射仪、荧光分光光度计和色坐标分析了荧光粉样品的晶体结构及光学性能。实验结果表明掺杂的Eu³⁺进入了Ca₃La₃（BO₃）₅（CLBO）主晶格,并且掺杂少量的Eu³⁺的CLBO主晶格无杂相生成,得到的Ca₃La₃（BO₃）_5:3xEu³⁺荧光粉的结构与CLBO主晶格一致。该荧光粉被紫外光激发后能发射红光。通过对Ca₃La₃（BO₃）_5:3xEu³⁺荧光粉的光致发光光谱进行计算发现在不同波长光的激发下,色坐标都非常接近美国国家电视系统委员会红光标准。Ca₃La₃（BO₃）_5:3xEu³⁺荧光粉是一种性能优异的白光LED用红色荧光粉。     

温度和B2O3量对Sr4Al14O25：Eu^2＋,Dy^3＋性能的影响

采用高温固相合成法合成Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,研究了B2O3对于合成温度、基质物相及余辉性能的影响.实验表明:1250℃时,B含量为12.5%的长余辉材料基质的主要物相为Sr4Al14O25,发射主峰为490nm,余辉时间可达24h以上.     

Y_2O_3:Eu~(3+)纳米粉体的制备及其性能研究

以Y2O3,Eu2O3为原料,NH3?H2O和NH4HCO3为沉淀剂,采用共沉淀法,在700至1200℃下煅烧2h制备出Y2O3:Eu3+纳米粉体,通过X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光分光光度计等表征样品的性能,研究不同掺杂浓度,不同烧结温度及不同沉淀剂对粉体各项性能的影响。结果表明,以两种沉淀剂制备的纳米粉体均为纯相,与Y2O3标准PDF卡片41-1105相吻合。以NH3?H2O为沉淀剂制备出来的前驱体在1100℃下煅烧2h获得的粉体分布均匀,近似球形,粒径分布在50~80nm,以NH4HCO3为沉淀剂制备出来的前驱体在1100℃下煅烧2h获得的粉体分布均匀,纯度高,具有良好的分散性,粒径分布在60~80nm。制备出来的粉体在波长为254nm的紫外光激发下发出611nm的红光。     

棒状SrAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)长余辉发光粉的制备及性能

以尿素和硝酸盐溶液为反应物,采用空气气氛,在600℃合成了棒状SrAl2O4:Eu2+,Dy3+绿光长余辉发光粉。研究了产物的物相组成、形貌、激发光谱、发射光谱以及余辉衰减曲线。结果表明:产物的晶体结构属于单斜晶系,呈规则的棒状;样品在紫外线照射后发射绿光,发光峰值位于512 nm处,余辉时间可达6 h。并深入研究了尿素和高温煅烧对其发光性能的影响。     

用磷辅助还原的Sr3Al2O6:Eu2+白色荧光材料

采用高温固相反应法在炭热还原气氛中用（NH4）3PO4.3H2O辅助还原合成了Sr3Al2O6：Eu^2＋白色荧光材料。该荧光材料的主晶相为Sr3Al2O6：Eu^2＋,当磷加入量为10%时,在250 nm紫外光激发下可以在380-650nm范围内发出连续的明亮的荧光。     

Sr2SiO4：Dy3+超细荧光粉的合成与发光性能的研究

以硅酸盐为基质,通过低温燃烧法合成了Sr2SiO4：Dy3+高亮度白光LED用荧光粉。利用XRD和荧光光谱研究合成的荧光粉的结构特性和发光性能。结果表明：合成的荧光粉为斜方晶系,物相较纯。随着Dy3+掺杂浓度的增加,荧光粉的结构没有发生破坏,光谱的形状也没有发生改变。当Dy3+的掺杂浓度为2%,电荷补给剂LiOH的掺杂浓度为5%时,合成的荧光粉发光性能最佳。荧光粉可被352nm的紫外光有效激发,同时发出蓝光和橙光,混合后获得白光。     

GdAl3(BO3)4:Eu3+红色荧光粉的结构和荧光特性

用溶胶凝胶法合成GdAl3(BO3)4:Eu3 红色荧光粉.晶化温度为960℃,晶化时间为2 h;用X射线衍射进行结构表征,并用Jade5程序对GdAl3(BO3)4:Eu3 粉末样品的X射线衍射数据进行了指标化.结果表明:GdAl3(BO3)4:Eu3 为六方晶系,晶胞参数a=9.299 2 nm,c=7.257 7 nm;荧光性能测试结果为:室温613 nm监测,其激发光谱峰为:270,391,400,472,542,728,766和791nm.在270 nm激发下,最大发射峰为613 nm.     

高温固相反应法制备CaS:Eu2+,Sm3+光存储材料及其性能研究

采用高温固相反应法在还原气氛下制备了CaS：Eu^2 ，Sm^3 光存储材料，研究了工艺因素(灼烧温度和灼烧时间)对样品性能的影响。XRD图谱表明，样品在700℃就可以形成CaS晶格。光谱分析表明，在紫外光激发后，用980nm半导体激光照射样品，具有光激励发光现象。