磁环抑制特高压GIS设备中特快速暂态过电压的模拟试验

为抑制特高压气体绝缘组合电器(GIS)设备中特快速暂态过电压(VFTO)提出了采用磁环抑制的方法,并进行了模拟试验.利用252 kV GIS设备构建试验系统,利用SF6气体间隙在50、75和100 kV的电压等级下击穿产生高陡度的行波,测试了不同长度的R2KB铁氧体磁环串和FJ37非晶磁环串对电压行波幅值和陡度的抑制效果.试验表明,只要磁环串的长度＞O.5 m,其对于电压行波幅值的抑制效果将不再随磁环串长度的增加而发生显著变化,但行波上升时间将随磁环串长度的增加而增加;在磁环串长度≥1 m的情况下,铁氧体磁环对于电压行波的综合抑制效果优于非晶磁环.试验表明,采用磁环抑制特高压GIS中VFTO的方法在原理上是可行的.     

用磁环抑制GIS的VFTO的高电压模拟试验

研究了用磁环抑制全封闭组合电器(GIS)的特快速暂态过电压(VFTO).通过高电压模拟试验,观测了铁氧体、非晶磁芯和金属磁粉芯三种材料的磁环,特别观测了磁饱和的影响.试验结果表明,在适当的参数配合下,磁环能够有效抑制特快速暂态过电压的幅值和陡度.     

铁氧体磁环抑制GIS特快速暂态过电压研究

采用 EMTP软件对 GIS中隔离开关关合空载母线时产生的 VFTO进行仿真 ,研究铁氧体磁环对 VFTO的抑制作用 ,通过仿真计算结果分析 ,优化选取对 VFTO抑制效果理想的等效电阻和电感值 ,以便为选取合适的铁氧体磁环提供依据。并在低压条件下进行了模拟试验 ,据此验证仿真计算方法的准确性。     

GIS中快速暂态过电压的测试技术

分析了气体绝缘封闭式组合电器(GIS)中快速暂态过电压(VFTO)现象,介绍了目前国内外VFTO测试装置的原理、技术特点和存在的问题,针对是否预置传感器及不同的测试点,提出了VFTO的有效测试方法.     

特高压GIS特快速暂态过电压试验重复击穿过程研究

为深入研究重复击穿过程的发生规律,研究隔离开关特性对重复击穿过程的影响,改进隔离开关设计,完善特快速暂态过电压(VFTO)评估方法,采用1100 kV气体绝缘组合电器(GIS)试验回路,对GIS隔离开关分闸和合闸空载短母线所产生的触头间隙重复击穿和VFTO进行了试验研究.鉴于重复击穿过程的随机性,进行了约500次分合闸...     

避雷器对GIS中快速暂态过电压的影响

本文采用EMTP软件对GIS中隔离开关操作时产生的快速暂态过电压(VFTO)进行仿真,研究避雷器对VFTO的抑制作用.对国内某550kV GIS水电站隔离开关4种操作方式下产生的VFTO进行计算和分析,优化选取避雷器在GIS内部母线上的安放位置.计算结果表明了,正常工作情况下,对于GIS内部由于隔离开关操作引起的VFT...     

GIS中的快速暂态过电压现象

主要分析了气体绝缘封闭式开关设备(GIS)中快速暂态过电压现象(VFTO)产生的原因、出现的种类、对GIS本身以及对外部设备的危害,以及对快速暂态过电压现象的研究现状等。     

快速暂态过电压试验与数值模拟对比分析

介绍了按照IEC-1259标准进行的500kV气体绝缘变电站中的隔离开关分合短母线充电电流试验,给出了电压测量波形及快速暂态过电压的最大值,平均值。然后对该试验过程进行了数值模拟,并与试验结果比较,给出了测量和数值模拟两种情况下负载测电压的离散傅立叶变换频谱图,从而对了解和深入研究快速暂态过电压的规律提供了重要依据。     

GIS中快速暂态过电压的仿真计算

采用 EMTP程序仿真计算了天荒坪抽水蓄能电站5 0 0 k V GIS系统隔离开关操作产生的快速暂态过电压。分析了影响过电压幅值的因素、系统避雷器的计数器频繁动作的原因与快速暂态过电压对变压器绝缘的危害     

GIS中金属氧化物避雷器对特快速暂态过电压的影响

气体绝缘变电站(gas insulated substation,GIS)内部隔离开关切合空载短母线时产生的特快速暂态过电压(very fast transient over-voltage,VFTO)对电气设备构成严重的威胁。金属氧化物避雷器(metal oxide arrester,MOA)作为GIS中重要的保护设备之一,目前在VFTO计算中普遍采用对地电容模型或者非线性电阻模型,这忽略了VFTO暂态特性对MOA晶界层极化过程的影响。为此,结合MOA阀片的微观结构,通过分析交变电场下电介质的极化特性及其电流响应,提出了MOA暂态电路模型。以国内某550kV变电站为背景,采用EMTP软件对GIS中的VFTO进行了计算,分析了不同MOA模型下VFTO的差异,研究了MOA对VFTO波形、幅值和波前陡度的影响。结果表明,MOA暂态模型能很好地反映MOA在VFTO作用下的极化现象;MOA对VFTO有一定的抑制作用,它能使VFTO波形衰减,在一定程度上降低VFTO的幅值,并减缓VFTO的波前陡度。     

特快速暂态过电压及研究实例

ＧＩＳ的特快速暂态过电压已在超高压电网中造成一些事故，本文第一部分简要地说明ＶＦＴＯ现象，第二部分结合国内的一次事故介绍工程研究的内容和结论，最后对开展特快速暂态研究提出了建议。     

GIS在快速暂态过电压下的放电特性

ＳＦ６气体绝缘开关装置（ＧＩＳ）中的隔离开关在操作时产生的快速暂态过电压（ＶＦＴＯ）,会造成ＧＩＳ的绝缘击穿事故。对ＶＦＴＯ作用下的ＧＩＳ击穿特性进行了研究,同时通过光电检测的方法研究了雷电冲击和快速振荡冲击电压作用下的预放电特性。实验结果表明,由金属导电微粒所导致的绝缘子表面电荷积聚是造成ＶＦＴＯ作用下的放电电压比雷电冲击下放电电压低的主要原因。     

测量气体绝缘变电站中快速暂态过电压的微分积分方法

提出了一种新的快速暂态过电压（ＶＦＴＯ）测量方法－微分积分方法,其特点是不需对ＧＩＳ作任何改造。在同轴传输单元上对研制的微积分系统的响应特性进行了校验,并首次在国内５００ｋＶ的ＧＩＳ上进行了ＶＦＴＯ实测,测量结果与分析计算一致,表明微积分系统是一种较好的ＶＦＴＯ测量方法。     

气体绝缘变电站内PT的特快速暂态仿真建模

为了计算气体绝缘变电站(简称GIS)内由开关操作等对二次设备产生的传导干扰，必须建立电压互感器(简称PT)、电流互感器(简称CT)的高频模型(≥10MHz)。为此，提出了建立PT高频电路模型的新方法。首先根据互感器输入、输出端口之间的实测频率响应，用矢量匹配法(Vectoi Fitting Method)采用有理函数拟合其频域传递函数；然后根据实际需要，对该传递函数进行降阶处理；最后，应用一种特定的RLC电路综合方法建立了该PT的电路模型。该方法具有简单、有效和通用的特点，对于任何形式、任何电压等级的互感器均可使用。     

三相同壳结构GIS快速暂态过程模型构建和参数计算

数值计算模型和参数的确定,是三相同壳结构GIS快速暂态过程行波分析的基础.该文给出了三相同壳结构GIS快速暂态过程数值计算模型的构建方法.由于三相同壳结构GIS的最大特点是A、B、C三相之间存在电磁场耦合,模型的核心是电感矩阵和电容矩阵.分析表明,电感矩阵和电容矩阵中的所有元素,取决于GIS内导体半径和三相导体的偏心距离与GIS外壳内半径的相对比例.对于一般的三相同壳结构GIS,电感矩阵和电容矩阵的非对角线元素与对角线元素之比通常小于20%,对角线元素对快速暂态过程起主导作用;当忽略非对角线元素的作用时,可得到三相同壳结构GIS快速暂态过程的单相导体简化模型,以便对快速暂态过程进行定性的分析.但要对三相同壳结构GIS中VFT过电压进行定量分析,还应采用三相模型.     

GIS三相同壳母线VFT相电压测量系统

描述了GIS三相同壳母线VFT相电压测量系统的组成,以及三相同壳母线模型和电容传感器的结构。为了测量GIS三相同壳母线的VFT相电压,需要3个电容传感器。3个电容传感器的输出电压,与A、B、C三相VFT电压有线性关系;对线性关系因子矩阵进行了理论分析,并讨论了它的实测和校验方法。最后,给出了三相VFT电压实验测量结果。     

超高压GIS中快速暂态过电压造成危害的原因分析

隔离开关切合小电容电流时产生的ＶＦＴＯ会对３００ｋＶ以上的造成危害,而对３００ｋＶ以下系统的影响则不大,对这个现象目前还没有满意的解释。本文通过计算,对ＶＦＴＯ的影响因素进行了研究。     

800kV GIS中变压器的VFTO防护的研究

随着超高压GIS的广泛使用,由开关操作产生的快速暂态过电压(VFTO)引起普遍关注。以拉西瓦750 kV GIS变电站为原型,利用EMTP计算了主变端部的VFTO,并分析了开关并联电阻、主变与GIS的连接方式、MOA及R-C过电压吸收器等保护措施对变压器的保护效果,为GIS以及变压器的安全运行提供了有用的参考。     

GIS中的电磁暂态现象

GIS以其较高的运行可靠性,易维护,占地面积小等优点在电力系统中得到了广泛的应用。但是,在隔离开关、接地开关和断路器的动作过程中,会出现快速暂态过程。主要表现为:GIS母线套管上的快速暂态过电压和GIS壳体上的暂态地电位升高以及GIS周围空间产生暂态电磁场。主要分析和探讨由快速暂态过程引发的暂态电磁场的产生和传播机理以及它对GIS的电缆出线和与GIS相连的变压器的影响。     

550kVGIS中VFTO的仿真研究

随着组合式封闭电器(Gas Insulated Switchgear)的广泛应用,快速暂态过电压(Very Fast Transient Overvoltage)对设备造成的危害得到普遍关注。本文针对某550kV GIS系统,利用EMTP计算了不同的开关操作方式对VFTO的影响,计算结果表明分闸操作比合闸操作的过电压情况更严重,且各方式下VFTO幅值基本在操作开关附近最大。另外,主变上的过电压值较小,不超过1.3p.u,对主绝缘影响不大,但因累积效应,危害也很大。