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为抑制特高压气体绝缘组合电器(GIS)设备中特快速暂态过电压(VFTO)提出了采用磁环抑制的方法,并进行了模拟试验.利用252 kV GIS设备构建试验系统,利用SF6气体间隙在50、75和100 kV的电压等级下击穿产生高陡度的行波,测试了不同长度的R2KB铁氧体磁环串和FJ37非晶磁环串对电压行波幅值和陡度的抑制效果.试验表明,只要磁环串的长度>O.5 m,其对于电压行波幅值的抑制效果将不再随磁环串长度的增加而发生显著变化,但行波上升时间将随磁环串长度的增加而增加;在磁环串长度≥1 m的情况下,铁氧体磁环对于电压行波的综合抑制效果优于非晶磁环.试验表明,采用磁环抑制特高压GIS中VFTO的方法在原理上是可行的. 相似文献
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主要分析了气体绝缘封闭式开关设备(GIS)中快速暂态过电压现象(VFTO)产生的原因、出现的种类、对GIS本身以及对外部设备的危害,以及对快速暂态过电压现象的研究现状等。 相似文献
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气体绝缘变电站(gas insulated substation,GIS)内部隔离开关切合空载短母线时产生的特快速暂态过电压(very fast transient over-voltage,VFTO)对电气设备构成严重的威胁。金属氧化物避雷器(metal oxide arrester,MOA)作为GIS中重要的保护设备之一,目前在VFTO计算中普遍采用对地电容模型或者非线性电阻模型,这忽略了VFTO暂态特性对MOA晶界层极化过程的影响。为此,结合MOA阀片的微观结构,通过分析交变电场下电介质的极化特性及其电流响应,提出了MOA暂态电路模型。以国内某550kV变电站为背景,采用EMTP软件对GIS中的VFTO进行了计算,分析了不同MOA模型下VFTO的差异,研究了MOA对VFTO波形、幅值和波前陡度的影响。结果表明,MOA暂态模型能很好地反映MOA在VFTO作用下的极化现象;MOA对VFTO有一定的抑制作用,它能使VFTO波形衰减,在一定程度上降低VFTO的幅值,并减缓VFTO的波前陡度。 相似文献
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特快速暂态过电压及研究实例 总被引:16,自引:0,他引:16
GIS的特快速暂态过电压已在超高压电网中造成一些事故,本文第一部分简要地说明VFTO现象,第二部分结合国内的一次事故介绍工程研究的内容和结论,最后对开展特快速暂态研究提出了建议。 相似文献
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测量气体绝缘变电站中快速暂态过电压的微分积分方法 总被引:3,自引:3,他引:3
提出了一种新的快速暂态过电压(VFTO)测量方法-微分积分方法,其特点是不需对GIS作任何改造。在同轴传输单元上对研制的微积分系统的响应特性进行了校验,并首次在国内500kV的GIS上进行了VFTO实测,测量结果与分析计算一致,表明微积分系统是一种较好的VFTO测量方法。 相似文献
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气体绝缘变电站内PT的特快速暂态仿真建模 总被引:14,自引:7,他引:14
为了计算气体绝缘变电站(简称GIS)内由开关操作等对二次设备产生的传导干扰,必须建立电压互感器(简称PT)、电流互感器(简称CT)的高频模型(≥10MHz)。为此,提出了建立PT高频电路模型的新方法。首先根据互感器输入、输出端口之间的实测频率响应,用矢量匹配法(Vectoi Fitting Method)采用有理函数拟合其频域传递函数;然后根据实际需要,对该传递函数进行降阶处理;最后,应用一种特定的RLC电路综合方法建立了该PT的电路模型。该方法具有简单、有效和通用的特点,对于任何形式、任何电压等级的互感器均可使用。 相似文献
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三相同壳结构GIS快速暂态过程模型构建和参数计算 总被引:3,自引:1,他引:3
数值计算模型和参数的确定,是三相同壳结构GIS快速暂态过程行波分析的基础.该文给出了三相同壳结构GIS快速暂态过程数值计算模型的构建方法.由于三相同壳结构GIS的最大特点是A、B、C三相之间存在电磁场耦合,模型的核心是电感矩阵和电容矩阵.分析表明,电感矩阵和电容矩阵中的所有元素,取决于GIS内导体半径和三相导体的偏心距离与GIS外壳内半径的相对比例.对于一般的三相同壳结构GIS,电感矩阵和电容矩阵的非对角线元素与对角线元素之比通常小于20%,对角线元素对快速暂态过程起主导作用;当忽略非对角线元素的作用时,可得到三相同壳结构GIS快速暂态过程的单相导体简化模型,以便对快速暂态过程进行定性的分析.但要对三相同壳结构GIS中VFT过电压进行定量分析,还应采用三相模型. 相似文献
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GIS三相同壳母线VFT相电压测量系统 总被引:1,自引:0,他引:1
描述了GIS三相同壳母线VFT相电压测量系统的组成,以及三相同壳母线模型和电容传感器的结构。为了测量GIS三相同壳母线的VFT相电压,需要3个电容传感器。3个电容传感器的输出电压,与A、B、C三相VFT电压有线性关系;对线性关系因子矩阵进行了理论分析,并讨论了它的实测和校验方法。最后,给出了三相VFT电压实验测量结果。 相似文献
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隔离开关操作速度对特快速瞬态过电压的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
气体绝缘开关设备(gas insulated switchgear,GIS)内的隔离开关在操作空载短母线时会发生多次击穿,并产生特快速瞬态过电压(very fast transient overvoltage,VFTO),严重时可能造成变压器和其他电气设备的损坏。隔离开关的操作速度是影响VFTO的重要因素之一,对此国内外有不同看法。在仿真研究中考虑了隔离开关操作过程中的多次重击穿、间隙击穿电压的极性特性、概率特性及其随操作速度变化的特性,采用统计分析方法研究了隔离开关的速度对VFTO的影响,并与实测结果进行了对比。研究结果表明,在一定范围内当隔离开关速度较慢时,分闸后负载侧残压较低,合闸、分闸操作过程中产生的VFTO幅值也较低。 相似文献