第一届全国MBE学术会议概况

<正> 由中国科学院半导体所和长春物理所共同承办的全国第一届分子束外延(MBE)学术会议于1991年8月21日至24日在吉林省安图县召开。来自全国各科研单位、高等院校和工厂的代表约80人参加了会议,中国电子学会电子材料学会主任委员宋秉治也出席了这次会议。会议组织委员会主席、半导体所孔梅影研究员作了题为“中国分子束外延技术的发展”的报告。会上共发表了大会报告14篇、小会报告44篇,就MBE材料生长、性能研究、器件研制和设备的研制、改进等方面进行了充分、广泛的学术交流。国际上著名的MBE设备生产厂家之一——法国Riber公司的代表也在会上介绍了国外MBE的进展和他们的产品。     

科技进展

法向美提供的工业型分子束外延反应器 法国仪器SA公司Riber分部的Opus型工业分子束外延(MBE)反应器已于1989年3月交付美国芝加哥大学的M.J.P.Faurie。Opus是为外延生长HgCdTe     

采用90nm CMOS工艺的低功耗VCO

比利时的大学校际微电子中心(IMEC)的研究人员以及瑞典的同行采用90nm硅CMOS工艺开发出低功率压控振荡器(VCO)。这些低功耗压控振荡器达到高性能的关键是采用了基于圆片级封装技术的高Q值电感器。他们制作出两个5GHzVCO和一个15GHzVCO。两个5GHzVCO的功耗仅0.33mW,1MHz频偏下的     

研究人员开发出整合III—V族与矽材料的3DFinFET半导体

比利时微电子研究中心（IMEC）宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III—V族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS—RF与CMOS光电元件的化合物。     

全国第一届分子束外延学术会议纪要

<正> 受中国电子学会电子材料学学会分子束外延(MBE)学组筹备组的委托,中国科学院半导体所和长春物理所共同承办的全国第一届分子束外延学术会议于1991年8月21日至24日在吉林省安图县召开。来自全国各科研单位、高等院校及厂家的代表约80人,电子学会电子材料学学会主任宋秉治同志也前来参加会议。会上共宣读论文、报告58篇,就MBE材料生长、性能研究、器件和设备的改进、研制等方面内容进行了充分的、广泛的学术交流。国际上著名的MBE设备生产厂家之一,法国的Riber公司的代表也在会上介绍了国外MBE的进展和他们的产品。     

分子束外延及其应用

最早发表有关化合物半导体分子束外延(简称MBE)的论文大约是五年前的事。之后,贝尔实验室及国际商业机械公司对分子束外延进行了研究发展,最近,它作为半导体单晶新的生长技术而引人注目。分子束外延可以生长极薄(几十埃)的外延层,且原子能级平坦,但用目前的汽相和液相外延法生长这样的薄层就很困难。本文就分子束外延及其应用问题加以阐述。     

Globalfoundries与IMEC联合促进硅上氮化镓技术

行业领先的半导体代工厂Globalfoundries与IMEC纳米电子研发中心签订了一项致力22nm节点制程CMOS技术和硅上氮化镓技术研究的长期战略合作协议。该合作协议旨在研制高性能、高性价比的硅上氮化镓基器件。除Globalfoundries外,行业领先的IDMs、代工厂、化合物半导体公司及设备和衬底厂商     

以光探针测量分子束外延的温度

分子束外延(ＭＢＥ)用于制作量子阱激光器和其它ⅢⅤ族半导体器件。与通常用于硅基器件制作的离子植入法不同,分子束外延给薄膜生长提供更精密控制。然而,分子束外延的问题之一是缺少可重复性,其部分原因由于测量衬底温度困难。一般情况下,这种温度用热偶测量。为了获得均匀的生长,热偶不得与衬底接触。但到衬底的这段距离降低了测量的精度,足以使各生长室之间或甚至各天之间生长工艺难以重复。此外,精确的温度模型对开发这类半导体分子束外延生长的理论模型也至关重要。美国阿肯色大学研究人员与以色列ＣＩ系统公司和法国里伯公司一起正在…     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出 Ga Al As/Ga As梯度折射率分别限制单量子阱材料 ( GRIN- SCH- SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到 10 W(室温 ,连续 ) ,峰值波长为 80 6～ 80 9nm     

ZnO材料的生长及表征

氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料和场致发射材料，通过等离子体分子束外延设备，在a-plane的蓝宝石衬底上生长了高质量的氧化锌外延材料。在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RHEED)，研究了生长时材料薄膜的表面形貌。为了使材料更好地应用于器件，研究了材料的掺杂性质。研究了给体束缚激子(Donor bound exeiton (DX))、自由激子(Free exciton(EX))和受体束缚激子(Aeeeptor bound exciton (AX))随温度变化的发光过程。用紫外-可见透射光谱研究了ZnO薄膜材料的透射光谱性质。结果表明，用分子束外延生长设备成功地生长了高质量的氧化锌薄膜材料。     

Siltronic AG加入IMEC研究硅基GaN

世创电子材料公司Siltronic AG和比利时微电子研究机构IMEC达成一场协议,双方的合作属于IMEC氮化镓工业联盟计划(IIAP)中的一部分,目的是为下一代LED以及功率半导体原件提供能够在200 mm的硅晶片上生长的GaN层。     

宽带半导体材料分子束外延的最新进展

本文评述了分子束外延在以 ZnSe 为代表的宽带半导体材料及其超晶格结构研究中的最新进展。介绍了在晶格匹配和不匹配的衬底上分子束外延生长 ZnSe等Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体和有关的材料分析。叙述了在 ZnTe,Zn(S、Se)以及磁性半导体 MnSe 和低磁性半导体 Zn_(1-x)Mn_xSe 上生长 ZnSe 所形成的超晶格和多量子阱结构,并在此基础上说明了一些相关的物理现象。     

MOCVD外延生长GaN材料的技术进展

第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景,目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)、氯化物气相外延(HVPE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)。其中HVPE技术制备GaN的速度最快,适合制备衬底材料;MBE技术制备GaN的速度最慢;而MOCVD制备速度适中。因而MOCVD在外延生长GaN材料方面得到广泛应用。介绍了MOCVD法外延生长GaN材料的基本理论、发展概况、利用MOCVD法外延生长GaN材料的技术进展。认为应结合相关技术发展大面积、高质量GaN衬底的制备技术,不断完善缓冲层技术,改进和发展横向外延技术,加快我国具有国际先进水平的MOCVD设备的研发速度,逐步打破进口设备的垄断。     

第十一届全国分子束外延学术会议征文通知(第二轮)

·会议时间:2015年8月25~28日·会议地点:四川省成都市(银河王朝大酒店,中国四川省成都市顺城大街88号)·会议网址:http://mbe2015.csp.escience.cn·主办单位:中国有色金属学会半导体材料学术委员会、中国电子学会电子材料分会·承办单位:中国科学院红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所·会议宗旨,全国分子束外延学术会议是每两年举办一次的全国性学术会议。会议的宗旨是展示我国在分子束外延(MBE)及其相关领域的新进展、新动态、新成果,交流和探讨我国分子束外延发展中存在的问题和未来的发展方向,拓宽分子束外延的应用领域,为我国从事分子束外延技术以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会,同时也为分子束外延相关的上下游产业提供信息沟通和宣传的渠道,从而促进我国分子束外延技术及其相关领域科学技术的发展。     

化学束外延及其在半导体材料与器件中的应用

本文介绍了薄膜晶体生长的最新技术--化学束外延(CBE),通过与分子束外延(MBE)和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术的比较,说明了这一新技术的基本概念,生长动力学以及在半导体材料和激光器件方面的应用.     

全固源分子束外延生长InP和InGaAsP

在国产分子束外延设备的基础上,利用新型三温区阀控裂解源炉,对InP及InGaAsP材料的全固源分子束外延(SSMBE)生长进行了研究.生长了高质量的InP外延层,表面缺陷密度为65cm-2,非故意掺杂电子浓度约为1×1016cm-3.InP外延层的表面形貌、生长速率及p型掺杂特性与生长温度密切相关.研究了InGaAsP外延材料的组分特性,发现在一定温度范围内生长温度对Ⅲ族原子的吸附系数有较大影响.最后得到了晶格匹配的In0.56Ga0.4As0.04P06材料,低温光致发光谱峰位于1507 nm,FWHM为9.8 meV.     

台湾公司涉足LED产业

台湾新竹的联合外延公司宣布了一项在台湾领先的外延生长技术,它生长了一种用来制造高亮度发光二极管(LED)的重要材料。同时它还宣布制成另外几种LED产品。 联合外延公司开发了金属有机化合物气相外延(MOVPE)技术,生产铝镓铟磷(AlGaInP)。AlGaInP是制造LED的一种优选材料的分子式,用它制成的LED发射波长在645～565纳米范围内,即红、橙、黄、绿光波段。 MOVPE是一种半导体外延生长技术,适用于生长光通讯、微波通讯和高速微电子等领域中的高级元件的材料。 联合外延公司用AlGaInP研制了几种产品:红、黄光交通信号灯和汽车刹车指示灯;安装在汽车后部中央稍高位置的自动停车指示灯;汽车拐弯信号灯。 这些新产品的功率损耗只有0.04瓦,大约是普通发光管的十分之一。寿命可达10万小时,是普遍发光管的10倍。     

国内首台化学束外延(CBE)系统的设计考虑及外延结果

研制了国内首台化学束外延(CBE)系统。半导体所用此系统进行了CBE实验,获得质量良好的半导体材料。本文给出该系统的设计考虑及CBE实验结果。     

化合物半导体超晶格结构

在半导体材料中,人为的周期势场可以改变半导体的物理特性。这一超晶格(Super-lattice)的基本概念是由 Kelclysh 在一九六二年建立的。Esaki 和 Tsu 提出了把厚度相当于德布罗意波长(λ=h(2m~*E)~(1/2)(?)10nm)的两种类型的半导体薄膜依次叠置可以得到实际超晶格的构想。自从 Arthur 和 Cho 等人创立分子束外延(MBE)技术以后,使原子     

中国分子束外延技术的发展

本文评述了我国自70年代中期开始分子束外延(MBE)研究以来的MBE设备、材料及器件应用的发展和现状。