射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积透明导电Cd_2SnO_4薄膜

在Ar+O_2混合气氛中射频反应性溅射Cd-Sn合金靶制备了透明导电Cd_2SnO_4(简称CTO)膜。实验表明,该膜的电学和光学性质依赖于混合气体中的氧浓度和衬底温度,最低电阻率为2.89×10~(-6)Ω·m,可见光区域最高透光率为95％。用X射线衍射测量了不同衬底温度下薄膜的结构。     

蒸镀ITO薄膜及其光电特性的研究

本文报道了采用石墨舟蒸发In_2O_3和SnO_2混合物(W_t=10％),获得了电阻率为3×10~(-4)Ω·cm、在可见光范围内透过率大干95％的ITO薄膜。用它制作部分次品多晶硅电池的抗反射膜,其短路电流密度与没有抗反射膜的同样电池相比,提高90.4％,开路电压提高10mV左右。     

电子束法沉积ITO薄膜及其光电性质的研究

用电子束蒸发制得了透明导电的ITO(indiumtin oxide)薄膜(厚3000—5000(?)),其方块电阻为4.5—20Ω/□,波长7000(?)时的透光率为80—95％。用x-线衍射分析方法测定了膜的组成与结构,用扫描电镜(SEM)观察了薄膜的形貌。薄膜的颗粒度为1—3μm,载流子浓度(N)为3.9×10~(19)cm~(-3),霍耳迁移率(μ_H)为94cm~2·V~(-1)·s~(-1),电阻率(ρ)为4.0×0~(-4)—2×10~(-3)Ω·cm,E_g为3.4eV。测得的Hall电压是负值,说明它是一种n型半导体。     

低温磁控溅射SnO2:Sb透明导电膜的结构与导电性能

采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2:Sb)透明导电膜,对薄膜的结构和电学性质进行了研究。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构,而且具有明显的(110)择优取向。最低电阻率为2×10-3Ω·cm,载流子浓度和迁移率分别为1 65×1020cm-3和19 0cm2·v-1·s-1。     

乐清县太阳能热承器应用效果初析

浙江省乐清县地处瓯江北岸,全县总面积1473.2平方公里,位于北纬27°57′34″～28°32′28.7″。全县日照时数1789.6小时,日照率为40％,太阳辐射总量为419kJ/cm~2·年(100kcal/cm~2·年)。低于全国太阳能辐射总量中值586kJ/(cm~2·年),属我国四类地区。全县年太阳能总辐射量为6.18EJ(1.476×10~(15)kcal)相当于21100万     

掺锑Zn-Sn-O透明导电膜的制备及特性

采用射频磁控溅射技术在7059玻璃衬底上低温制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O:Sb)透明 导电膜。研究了制备薄膜的结构、成分、电学和光学特性以及退火温度对薄膜性能的影响。Zn-Sn-P:Sb透明导 电膜的电阻率为1．5×10-2Ω·cm,相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为8．0×1019cm-3,5.8cm2·v-1·s-1。薄膜的 可见光平均透过率达到了85％。     

磁控溅射有机聚合物衬底ZnO:Al透明导电膜的结构及光电性能研究

采用射频磁控溅射法在有机薄聚合物膜衬底上制备出铝掺杂的氧化锌 (ZnO :Al)透明导电膜 ,对薄膜的低温制备 (2 5～ 180℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备薄膜为多晶膜 ,具有纯氧化锌的纤锌矿结构和 (0 0 2 )择优取向。制备薄膜在可见光区透过率达到 74 % ,最低电阻率为 8.5× 10 -4Ω·cm。     

稀土磷化物薄膜的光电性质

本文报道了LnP(Ln=La、Nd、Sm、Y、Dy、Yb)薄膜的光电特性,其禁带宽度为1.0—1.46eV。LnP薄膜是n型材料,电阻率约10~(-2)Ω-cm,载流子浓度为10~(17)—10~(19)cm~(-3),霍尔迁移率为8.5—400cm~2/V·s。LnP与Si片构成p-n结,光谱响应范围在600—1400nm,光照下LnP/Si具有光伏效应。     

我国太阳能资源

我国地处北半球欧亚大陆的东部。幅员辽阔,有着十分丰富的太阳能资源。我国各地的太阳辐射年总量大约在3.3×10~6—8.4×10~6kJ/(m~2·a~*)[80—200kcal/(cm~2·a)]之间,其平均值为5.9×10~6kJ/(m~2·a)[146     

美日等国集热器安装量

截止1986年底,美国安装了1×10~7m~2太阳能集热器,日本安装了8×10~6m~2,这是世界上安装集热器最多的两个国家。其它依次是:以色列1.75×10~6m~2,澳大利亚1.2×10~6m~2,法国大约4×10~5m~2,联邦德国和瑞士各2.5×10~5m~2,奥地利和西班牙大约2.1×10~5m~2。然而,按人口计算,以色列人均450cm~2,居世界之     

常见能量单位换算

GJ( 10 9焦耳 )kWh(千瓦时 )kcal(大卡 )Btu(英热单位 )GJ 12 77.77 2 .389× 10 694 7.8× 10 3kWh 3.6× 10 -3 186 0 3412kcal 4 .183× 10 -61.17× 10 -3 13.96 8Btu 1.0 5 5× 10 -62 .93× 10 -40 .2 5 2 1　注 :kcal和Btu为非标单位 ,已废弃。常见能量单位换算     

并联电阻及光电流随正向电压变化对a-Si:H集成太阳电池填充因子的影响

提出了一种简化的集成太阳电池等效电路,讨论了并联电阻及光电流随正向电压变化对填充因子的影响。并联电阻低或光电流随正向电压变化大的太阳电池,填充因子小。光电流随正向电压变化的大小由i层电荷密度决定。对于实验所用太阳电池,i层电荷密度在2×10~(15)cm~(-3)-3.5×10~(15)cm~(-3)之间。     

氮化硅抗反射膜MIS/IL硅太阳电池光辐照不稳定性的实验研究

对氮化硅抗反射膜MIS/IL硅太阳电池在光照下对不稳定现象的实验研究结果表明:电池蜕变过程和辐照光源、光强、抗反射膜中的正电荷密度等密切相关,而和电池的工作状态(如开路,短路或负载等)无关。光照-退火循环实验和蜕变电池的静置恢复实验说明光照下的电池蜕变是一种由短波长光子(如紫外光)诱导产生的可恢复的物理过程。用MNOS电容器和NOS源漏器件模拟氮化硅抗反射膜MIS/IL太阳电池的活性区域,对光照前后Si_3N_4-SiO_x-Si系统的界面电荷特性研究的结果表明:紫外光照射后,Si_3N_4-SiO_x-Si界面正电荷密度减少,照度为4×10~4勒克斯、辐照时间15分钟可使正电荷密度减少4.8×10~(12)cm~(-2)。抗反射膜内正电荷密度的减少,是由于短波长光子激发热电子向氮化硅膜中注入所致。     

工业加热文摘 WJ911196～911219

WJ911196 复杂的真空热处理工艺制取超导体——《Heat Treating》,1990,V22,№9,28～29,(英) 介绍美国麻省理工学院在美国能源部资助下开发的处理超导体磁铁的工艺概况。第一阶段,先在10~2Pa(Imbar)的真空及氩分压下,使工件加热到200～220℃,历时72h。第二阶段真空度提高到6.7×10~(-2)Pa(6.7×10~(-4)mbar),温度升到340℃,96h。第三阶段温度继续升到650℃,并在真空下保温200h。最后,在真空下逐渐降温到260℃,再充氩快速冷却。图3幅。     

国内外柴油机文献题录

机型与综述机车柴油机主要技术参数的现状及发展趋势[刊]/李维//柴油机·-2006,(6)·-1~4Wartsila船用柴油机使用低硫燃料运行[刊,日]/Mat-thias Amoser//Journal of JIME·-2006,(1)·-12~16二冲程柴油机使用低硫燃料运行[刊,日]/Kjeld Aa-bo//Journal of JIME·-2006,(1)·-4~11康明斯展示新款3.3L发动机符合美III/欧III A排放标准[刊,英]柴油发动机专栏//Diesel Progress(国际版增刊)·-2006,(9~10)·-4~5非道路用内燃机全球贸易新规定(ECE R120)[刊,英]工业动态专栏//Diesel Progress(国际版增刊)·-2006,(9~10)·-9MTU推…     

热处理对射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd_2SnO_4薄膜电学和光学性质的影响

射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜是n型缺陷简并半导体,并以氧空位作为施主态,载流子浓度高达4.46×10~(26)m~(-3)。从热处理前后CTO膜的透射谱中观察到明显的Burstein移动。光致发光谱的测量表明,晶态CTO膜的本征跃迁能隙约为2.156eV,并由CTO膜的电学和光学测量数据计算出热处理前后的光隙能E_(opt)为2.35eV—2.64eV和传导电子的有效质量m_e~*为0.22m_e—0.5m_e。     

国内外柴油机文献题录

机型与综述舰船大功率柴油机的发展与技术创新[刊]/冯明志//柴油机·-2007,(2)·-1~4舰船大功率柴油机技术发展和研究[刊]/顾宏中//柴油机·-2007,(2)·-5~9未来的车用动力-逐步演变还是彻底革命[刊]/Geringer B//国外内燃机·-2007,(2)·-1~3环境保护对船用柴油机的要求及其对策[刊]/罗述健//柴油机设计与制造·-2007,(1)·-6~10电控喷射稀燃天然气发动机的开发[刊]/窦慧莉//内燃机学报·-2007,(2)·-137~143用于船用和固定电站的GE V250型中速柴油机[刊,英]/柴油机专栏//Diesel&Gas Turbine Worldwide·-2007,(3)·-10~13污染物排放下…     

手工电弧焊焊接厚紫铜板

紫铜焊接是比较困难的,尤其是厚度较大,更给焊接带来了难题。焊接时要求预热温度高,这就恶化了劳动条件。对此我们做了大量试验工作,积累了一些经验,基本上消除了紫铜焊接易产生的缺陷。1.铜的性质紫铜的比重8.94g/cm~3,熔点1083℃,沸点2360℃,线膨胀系数16.4 ×10~(-6),导热率3.8663×10~2W/m·K,体积收缩率4.2％。紫铜的可焊性是较差的,主要是因为铜的导热率高,超过铁的三倍以上,散热快,焊接时必须有强的热源,预热温度为550～650℃方可焊     

PMMA LiClO_4有机薄膜的离子导电性能

用 PMMA预聚合单体与 Li Cl O4粉末以不同比例直接混合均匀 ,固化成 3mm厚的板 ,以它为靶 ,在纯氩气气氛及 rf -溅射沉积条件下制备各种薄膜 ,用双电层电容常数法研究它们的离子导电性能。在室温下测试 ,外加信号 1 2 0 m V,频率 40 0 Hz。实验结果表明 ,当氩气压强 (PA r)为4.7— 7.2 Pa,靶掺杂质量比为 1 0 % ,射频功率密度为 3.9— 4.2 W/ cm2 时得到的薄膜为离子导体。当氩气压强为 6.0 Pa,射频功率密度为 4.2 4 W/ cm2 时 ,膜的双电层电容常数为 7.0× 1 0 -2 μf/ cm2 ,离子导电性能最好 ,其电阻率 >1 0 1 1Ω .cm。利用该离子导体薄膜制备的可变反射电致变色镜 ,Al(40 nm) /α- WO3(1 0 0 nm) / PMMA Li Cl O4(1 60 nm) / Ni O(80 nm) / ITO/ glass,着色态和漂白态可见光平均反射比分别为 0 .2 3和 0 .69。利用红外光谱 (1 90 0— 50 0 cm-1 )对纯 PMMA和 PMMA Li Cl O4离子导体进行分析 ,发现离子导体膜“- C- O- CH3”侧链的吸收峰在 1 1 85.7cm-1 ,非离子导体膜的吸收峰在 969.2 cm-1处 ,前者侧链具有较强的极性。     

透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜的结构及光电特性研究

ZAO薄膜是一种n型氧化物半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性。本实验采用射频磁控溅射工艺在无机玻璃衬底上制备ZAO薄膜,靶材为ZAO(3wt%Al2O3)陶瓷靶。系统研究了各工艺参数,如工作气压、射频功率、衬底温度和热处理条件对其结构和光电特性的影响。X射线衍射谱表明ZAO薄膜的(002)衍射峰的位置与纯ZnO晶体相比向低角度方向移动,薄膜中各晶粒具有六角纤锌矿晶体结构且呈c轴择优取向。原位制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至7 5×10-4Ω·cm,可见光透过率在85%以上。