La0.5Sr0.5CoO3-δ薄膜的制备及其电学性能

采用离子束溅射法在氧化钇稳定的氧化锆（YSZ）和SiO2衬底上溅射＜薄膜，测试了不同工艺制备的La0.5Sr0.5CoO3-δ薄膜样品的XRD谱和电导率。分析了薄膜表面微结构以及电学性能。结果表明：在YSZ衬底上生长的La0.5Sr0.5CoO3-δ薄膜随着热处理温度的升高取向增强，当薄膜经过750℃热处理后结晶度最好；各样品直流电导率在低温段的Arrhenius曲线近似为直线，表明材料的导电行为符合小极化子导电机制；交流电导率在低频段（＜100kHz）电导率主要是靠晶界导电贡献的，而在高频区（＞100kHz），样品对交流电响应更加明显，电导率主要是靠晶粒导电贡献的。     

La0.67Ca0.33-0.5xLixMnO3多晶陶瓷结构及电学性能研究

用溶胶-凝胶法制备La0.57Ca0.33-0.5xLixMnO3(x=0.00,0.05,0.10,0.20)多晶陶瓷,用XRD分析多晶陶瓷的晶体结构,用SEM对多晶陶瓷的微观形貌进行分析,用标准四探针法测量电阻率-温度关系.结果表明,随着Li掺杂量的增加,所有样品均为斜方晶系,晶胞体积不断减小,金属-绝缘体转变温度(Yp)降低,电阻率不断增加,电阻率温度系数(TCR)不断减小.低温区域(T＜TP)的电阻率数据可以用ρ(T)=ρ0+ρ2T2 +ρ4.5T4.5进行拟合;高温区域(T＞TP)的电阻率数据可以用小极化子跃迁(SPH)模型和变程跳跃(VRH)模型进行拟合.整个温度区域(100～300 K)可以使用渗透模型对电阻率进行拟合.从拟合数据可知极化子激活能Ea随Li掺杂量的增加而增大,这是由于Li的加入减小了Mn3+-O2--Mn4+的键角,增大了有效带宽的间隙,因此也减弱了双交换作用,增大了电阻率.     

溶胶-凝胶方法制备BiFeO3薄膜及其铁电性质

用溶胶-凝胶方法制备了BiFeO3薄膜,XRD研究表明薄膜呈随机取向,扫描电镜研究表明薄膜表面呈致密的多晶结构,薄膜与底电极之间没有互扩散。铁电性测试表明室温下的剩余极化强度为1．8μC／cm^2,与低温下BiFeO3单晶的剩余极化相当。介电损耗呈弥散型转化,与薄膜中的Bi46Fe2072相有关。     

溶胶-凝胶法制备AZO薄膜的研究进展

综述了采用溶胶-凝胶法制备AZO薄膜的进展,阐述了影响AZO薄膜光电特性的主要工艺参数,分析了陈化时间、热处理工艺、铝掺杂量、催化剂种类及薄膜厚度因素等对AZO薄膜结构、光电性能的影响,指出了溶胶-凝胶法制备AZO薄膜的优势与不足,展望了未来的研究方向.     

溶胶-凝胶法制备(Bi0.5Na0.5)1-xBaxTiO3陶瓷的性能

测量了使用溶胶-凝胶工艺制备的 (Bi0.5Na0.5)1- xBaxTiO3(x=0,0.02,0.04,0.06)系无铅 压电陶瓷的介电、压电和弹性参数.研究发现,该工艺制备的 (Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷具有 此系列最强的压电性能, 与传统工艺制备的该类压电陶瓷相比, 溶胶-凝胶工艺制备的 (Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷具有压电常数( d33=173× 10- 12C/N)、机电耦合系数( kt=56%, kp= 26%)、泊松比(ν =0.3)提高; 频率常数( Nt=2250Hz· m, Np=2810Hz· m)、退极化温度( Td= 75℃)降低以及介电常数(εTr33=820)、介电损耗( tgδ=3.9%)稍大的特点.     

溶胶凝胶法合成La0.5Sr0.5Co0.8Mn0.2O3-δ钙钛矿及其催化性质

采用溶胶凝胶煅烧法合成了La0.5 Sr0.5 Co0.8 Mn0.2 O3-δ纳米粉,通过X射线衍射、电子显微镜、X射线光电子能谱和碘定量滴定等测试方法对合成物进行了表征,并以四溴双酚A为模型污染物,考察其催化性能.结果表明,合成的纳米La0.5 Sr0.5 Co0.8 Mn0.2 O3-δ具有钙钛矿R-3c结构,平均晶粒尺寸为40～70 nm.与通氮气煅烧的样品相比,弱氧化煅烧样品的非化学计量氧浓度适中,钙钛矿结构中B位离子平均价态相对较稳定,其催化性能较强且相对较稳定,可再生循环使用四次.     

溶胶－凝胶工艺参数对（Pb，La）TiO_3薄膜结构的影响

系统地研究了溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）方法制备（Ｐｂ_（１－Ｘ）Ｌａ_ｘ）Ｔｉ_（１－ｘ／４）Ｏ_３（简称ＰＬＴ）薄膜时催化剂（或ｐＨ值）、溶液浓度在室温下对形成溶胶和凝胶的影响规律，用Ｘ射线结构分析和ＳＥＭ研究了热处理工艺对薄膜结构及晶粒尺寸的影响。实验表明，浓度、醋酸含量都存在一个最佳的范围，且随铜（Ｌａ）含量的增加，该范围减小；实验还发现，随着Ｌａ含量的增加，薄膜的晶化温度降低。在单晶（１００）Ｓｉ衬底上成功地制备出了具有钙钛矿型结构、厚度约为２００ｎｍ、均匀、致密、无裂纹的ＰＬＴ晶态薄膜。     

溶胶-凝胶法制备二氧化硅薄膜及其性能研究

首先通过溶胶-凝胶法,以正硅酸乙酯(Tetraethyl orthosilicate,TEOS)为前驱体,硝酸(HNO3)为催化剂,制备出二氧化硅溶胶。采用浸渍提拉法在金属表面涂覆二氧化硅胶膜,并经热处理后制备出二氧化硅薄膜。向溶胶中添加F-硅烷偶联剂对薄膜的疏水性能进行改善。采用FT-IR、SEM、TG系统分析了薄膜的化学组成、微观形貌和热稳定性,研究了不同原料比、成膜温度对薄膜硬度、附着力及耐腐蚀性能的影响。结果表明,当硅、酸物质的量比为15∶1时,二氧化硅薄膜的硬度最高,可达9H;附着力最好,最高达2级;耐盐雾腐蚀性能最好,最高盐雾时间为25 min;且通过SEM分析可知薄膜的表面裂纹最少,且无明显凝胶析出物;通过热失重的分析表明溶胶反应温度对薄膜热稳定性的影响不大。     

溶胶—凝胶工艺参数对（Pb,La）TiO3薄膜结构的影响

系统地研究了溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）方法制备（Ｐｂ１－ｘＬａｘ）Ｔｉ（１－ｘ／４）Ｏ３（简称ＰＬＴ）薄膜时催化剂（或ｐＨ值）、溶液浓度在室温下对形成溶胶和凝胶的影响规律，用Ｘ射线结构分析和ＳＥＭ研究了热处理工艺对薄膜结构及晶粒尺寸的影响。实验表明，浓度、醋酸含量都存在一个最佳的范围，且随镧（Ｌａ）含量的增加，该范围减小；实验还发现，随着Ｌａ含量的增加，薄膜的晶化温度降低。在单晶（１００）Ｓｉ衬     

溶胶-凝胶薄膜工艺及其应用

综述了近年来溶胶-凝胶薄膜工艺的最新进展及其应用。溶胶-凝胶制膜方法有浸渍提拉法、旋覆法、喷涂法以及刷涂法等。与传统的薄膜工艺相比,溶胶-凝胶薄膜工艺具有工艺过程温度低、设备简单、易于应用推广、可以在各种形状的基底上制得多元氧化物薄膜等优点。溶胶-凝胶薄膜工艺已在电子、光学、磁学、化学等各个领域得到广泛的应用。     

溶胶-凝胶法制备Na0.5Bi0.5TiO3基无铅压电陶瓷的研究进展

钛酸铋钠(Na0.5Bi0.5TiO3,简写为NBT)基无铅压电陶瓷由于具有良好的压电性、高居里温度和烧结过程中无毒、易控制性等优点而备受关注.综述了溶胶-凝胶法制备Na0.5Bi0.5TiO3粉体及制备出的陶瓷的结构和性能特点.总结了用溶胶-凝胶法制备压电和介电性能显著提高的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的研究进展.研究表明,溶胶-凝胶法在制备压电陶瓷方面具有均匀性好、纯度高,烧结温度低等优点.展望了该工艺的发展方向.     

不同气氛退火对多晶La0.9Ca0.1MnO3磁矩和比热的影响

对具有电脉冲诱发电阻可逆变化(EPIR)特性的多晶La0.9Ca0.1MnO3在相同条件下经氩气和氧气退火后样品的磁矩和比热进行了研究.实验结果表明,经氧气退火后的磁矩和比热分别比氩气退火后的磁矩和比热增大.对氧气退火后的比热和氩气退火后的比热做差处理后发现,两种气氛退火后的比热差与T3/2成线性关系.经氧气和氩气退火后的区别在于氧离子浓度的变化.经氧气退火后,氧离子浓度增加,导致样品中铁磁区域的增大,引起磁矩和比热增大.退火后磁矩和比热的变化与EPIR效应中磁矩和比热随电阻状态的变化趋势一致,表明EPIR效应与氧含量的变化有关.     

La0.5Ba0.5CoO3中的Pr掺杂效应

用固相反应法制备了La0.5-xPrxBa0.5CoO3系列化合物，系统研究了Pr不同含量时材料的磁性和电输运特性，结果表明：Pr掺杂没有改变Co的3d电子的巡游特性。随Pr掺杂量增加，材料的分子磁矩单调下降，其原因是当Pr逐渐取代La时，Co离子的3d电子逐渐由中间自旋态向低自放态转变。随Pr含量增加，材料的居里温度逐渐下降，这是由于稀土离子的尺寸效应，电阻测量表明：在所研究的温度范围内，居里温度以下，所有掺Pr材料的导电机制为热扩散型。居里点以上，导电机制为变程跳跃导电。     

Zr4+B位置换对(Pb0.5Ca0.5)(Fe(0.5)Nb0.5)O3

研究了Zr4+离子B位置换改性对(Pb0.5Ca0.5)(Fe0.5Nb0.5)O3陶瓷微波介电性能.实验结果表明,(Pb0.5Ca0.5)(Fe0.5Nb0.5)O3(PCFNZ)陶瓷样品呈现单一斜方钙钛矿相结构.随Zr(4+)离子的置换量增加,PCFNZ陶瓷体系的Qr值和晶粒尺寸逐渐减小;介电常数εr随着置换量增加...     

MnCO3/MnO2共掺杂对（Ba,La,Ca）TiO3基陶瓷材料介电性能的影响

采用水热法制备了Ba0.7La0.2Ca0.1TiO3陶瓷材料,研究了MnCO3/MnO2共掺杂对陶瓷材料介电性能的影响及相关的影响规律。随着nMnCO3/nMnO2的增加,材料的介电常数开始增大随后减小,而介电损耗先减小再增大后开始波动,击穿场强先增大后减小。当nMnCO3/nMnO2为3∶1时介电常数最大,得到了介电常数(εr)为4661,介质损耗(tanδ)为0.0165,击穿场强(Eb)为12.58kV/mm,绝缘电阻(R)为3.7×1013Ω的高介电低损耗陶瓷粉体材料。最后探讨了MnCO3/MnO2共掺杂改性的有关机理。     

强磁场退火处理对La0.5Ca0.5MnO3薄膜晶粒尺寸演化和磁性能的影响

采用脉冲激光沉积法制备了La_0.5Ca_0.5MnO₃(LCMO)薄膜,然后在不同强磁场作用下进行原位后退火处理。利用XRD、FESEM和SQUID对薄膜进行微结构表征和磁特性测量。结果显示,强磁场退火使得薄膜的面外晶格参数拉长,晶粒尺寸明显增大,同时使低温磁化强度降低。通过建立强磁场下的晶粒生长速率方程对晶粒尺寸演化机理做了分析。分析认为,强磁场引入的额外驱动力降低了LCMO薄膜的临界晶粒尺寸,有利于晶粒生长。此外,本文通过建立一个基于相分离的反铁磁-铁磁核壳模型对薄膜的磁结构演化进行了探讨。认为晶粒尺寸增大导致铁磁相体积分数下降,从而导致低温磁化强度下降。     

Griffiths Phase and Reduced Magnetization of La0.5Ca0.5MnO3 with Different Annealing Temperature

In this paper, the existence of Griffiths phase and variation of ferromagnetism have been studied for La_0.5Ca_0.5MnO₃ nanoparticles annealed at different temperatures. It is detected by x-ray diffraction patterns that the increasing of annealing temperature induces the increment of grain size. The magnetization as a function of temperature demonstrates that magnitude of magnetization at low temperature is decreased as the annealing temperature increases, which is explained by the core-shell model. The temperature dependence of inverse susceptibility of those samples manifests that the Griffiths phase occurs for the samples annealed at temperatures 900?°C and 1150?°C and it disappears for the sample annealed at 1350?°C. The reduction of Griffiths phase with increasing of annealing temperature indicates the suppression of quenched disorder after annealing, which may be related to the lower degree of disorder, redistribution of magnetic ions, and weaker hybridization of?O?2p states with its near-neighbor atoms. As to the disappearance of Griffiths phase, competition between paramagnetic, ferromagnetic, and antiferromagnetic phases plays a very important role.     

La1-xSrxMnO3薄膜的制备、结构及电磁特性

以无机盐为原料,采用溶胶-凝胶工艺在Si衬底上制备La1-xSrxMnO3(LSMO)薄膜,XRD和TEM分析表明LSMO薄膜呈现纳米晶菱形钙钛矿结构,SEM分析表明LSMO薄膜表面平整、光滑致密。磁学测试结果表明:在0T、0.4T和0.8T时薄膜的Tp分别为220K、224K和229K,随着磁场的增大Tp移向高温的同时峰值电阻降低,这与铁磁相变及磁场对DE作用的影响有关。MR极值在250K左右达18.4%。     

Bi0.5Sb1.5Te3/环氧树脂柔性复合热电厚膜的制备及其面内制冷性能

利用丝网印刷法在聚酰亚胺基板上制备了Bi_0.5Sb_1.5Te₃/环氧树脂柔性复合热电厚膜, 通过优化Bi_0.5Sb_1.5Te₃粉末含量提高了其电输运性能。复合厚膜在300 K时的最优功率因子达到1.12 mW·m ^-1·K ^-2, 较前期报道的数值提高了33%。抗弯测试表明复合厚膜的电阻在弯曲半径大于20 mm时基本不变, 在弯曲半径为20 mm, 弯曲次数小于3000次时, 仅有轻微增大, 说明其在柔性热电器件领域具有应用潜力。红外热成像技术显示, 在工作电流为0.01 A到0.05 A时, 复合厚膜热电臂两端可以形成4.2 ℃到7.8 ℃的温差, 表明了其在面内制冷领域应用的可能性。     

Microstructure Characterization of Sol-gel Prepared MoO3-TiO2 Thin Films for Oxygen Gas Sensors

Binary metal oxide MoO3-TiO2 films have been prepared using the sol-gel technique. The thin films were annealed at several temperatures including 400℃,450℃,500℃,550℃ and 600℃ for lhour. The morphology, crystalline structure and chemical composition of the films have been analysed using SEM,XRD,RBS and XPS techniques. The SEM analysis showed that the films annealed at 450℃ are mainly smooth and uniform with 20-100nm-sized grains and with few particles as large as a micrometre or more. The XRD analysis revealed that the films annealed at 400℃ were a mixture of orthorhombic and hexagonal MoO3phases. The films annealed at 450℃ increased in hexagonal phase. The preferential orientation growth along(100) plane of the hexagonal phase and (010) plane of the orthorhombic phase has been found in both samples. RBS and XPS analysis showed that the films were stoichiometric. When the annealing temperature is increased to more than 500℃, the concentration ratio of MoO3 to TiO2 decreased due to the evaporation of MoO3. For the study of the electrical and gas sensing properties, films were deposited on sapphire substrates with interdigital electrodes on the front-side and a Pt heater on the backside. The O2 gas sensing properties of MoO3-TiO2 thin films are discussed.