LED的LTCC封装基板研究

LTCC基板广泛应用于先进的LED封装技术。阐述了LED的陶瓷封装基板的特点,介绍了制造LTCC封装基板的生瓷片性能和制造工艺,通过对LTCC基板热电分离结构的优点分析,指出金属散热通孔是提高LTCC基板散热效果的关键原因,并展望了LTCC封装基板发展方向。     

大尺寸LTCC焊接组件热变形特性的仿真研究

为了研究不同封装条件对低温共烧陶瓷(LTCC)基板封装焊接后残余热应力的影响,该文针对不同温变载荷下LTCC基板的热应力变形进行了仿真计算和实验测试,结果显示仿真计算与实验测试结果具有较好的一致性,验证了数值仿真用于LTCC基板封装焊接后残余热应力仿真的可行性。在此基础上对零膨胀合金底板和硅铝合金封装条件下3种典型工作温度对应的LTCC基板的热应力进行了仿真计算。结果表明,封装焊接后LTCC基板两侧边缘应力集中,中间残余应力小,呈翘曲状态,采用硅铝合金封装焊接的热应力小于零膨胀合金封装。     

热循环载荷下LTCC基板焊接组件结构仿真分析与试验对比研究

低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,简称LTCC)技术是实现电子设备小型化、集成化的主流技术。在LTCC封装时,由于封装金属与LTCC的热膨胀系数很难匹配,导致组件在焊接以及交变温度载荷下产生位移,进而产生热应力,严重时甚至导致LTCC基板产生裂纹,丧失其工作性能。在高、低温环境下,通过对LTCC基板焊接组件表面位移进行试验测量与软件仿真,并将二者进行对比,验证了仿真结果的合理性与准确性。本文工作为今后提升LTCC基板焊接组件的力学性能提供了一种便捷、经济、可靠的有限元软件仿真分析技术手段。     

三级微电子封装技术

微电子封装一般可分为三级封装,即用封装外壳(金属、陶瓷、塑料等)封装成单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)的一级封装,常称芯片级封装;将一级封装和其它元器件一同组装到基板(PWB或其它基板)上的二级封装,又称板级封装;以及再将二级封装组装到母板上的三级封装,这一级也称为系统级封装.(而一、二级封装的关系更加密切,已达到技术上的融合).     

LTCC工艺技术的重点发展与应用

本文主要介绍LTCC工艺制造技术在目前和将来一段时间内的重点发展与应用情况,包括平面零收缩LTCC基板、空腔制作、精密细线条加工、带敏感结构LTCC基板,以及LTCC集成组件与模块、MCM用标准化封装外壳、LTCC用于微系统和传感器等。     

T/R开关封装加速度仿真及测试

封装是T/R开关的关键环节。开关封装失效主要包括外壳失效和LTCC基板失效。为了避免T/R开关失效,利用ANSYS 14.0对封装进行模态仿真及加速度瞬态仿真,找出开关封装的加速度响应值以及受到应力时的频率特性,并通过随机试验和半正弦冲击试验验证仿真结果,验证封装可靠性。试验结果表明,目前的T/R开关封装可以保证组件能够承受40 g以上的加速度冲击和振动。     

一种高密度系统封装的设计与制作

介绍了硅基内埋置有源芯片多层布线工艺、低温共烧陶瓷(LTCC)基板工艺、芯片叠层装配等高密度系统级封装技术,重点介绍了系统级封装技术的总体结构设计、主要工艺流程、三维层叠互连的关键工艺技术,以及系统测试和检测评价等技术.     

LTCC基板与封装的一体化制造

介绍LTCC一体化基板／外壳封装的设计、制作与性能检测。     

三维MCM-C／A组件技术研究

本文研究了采用LTCC多层布线与铝阳极氧化多层布线工艺相结合的方法制作出三维高密度MCM组件（3D—MCM—C／A）。阐述了3D—MCM—C／A组件的结构,研究分析了LTCC基板与铝阳极氧化工艺之间的兼容性问题。通过LTCC工艺和LTCC基板抛光清洗工艺的控制以及过渡Ta层的设计解决了两者之间的兼容问题;采用LTCC隔板的方式实现组件的垂直互连。在LTCC基板表面采用薄膜淀积的方法以及特殊的“双刻蚀法”制作焊接区,满足了表面器件及垂直互连的焊接,实现了四层2D—MCM—C／A垂直互连。。     

耐高过载LTCC一体化LCC封装的研制

通过封装结构设计及其制造工艺流程和LTCC基板加工、围框与基板共晶焊接、平行缝焊封盖等制造工艺的研究,成功研制了适于多芯片、多元器件微电子模块的LTCC一体化LCC封装外壳,封装气密性满足国军标要求,能够达到抗25000g机械冲击应力的耐高过载水平。