1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

本文在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器，器件采用全ＭＯＶＰＥ生长，阈值电流１０ｍＡ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ，在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高     

含新型载流子注入光栅的1.55μm InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器

本文报道了一种含新型载流子注入光栅的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈（ＤＦＢ）激光器．我们对该器件的掺杂与结构进行了优化,增强了载流子阻挡光栅的作用,得到了很强的增益耦合．利用ＬＰＥ和ＭＯＣＶＤ混合生长,在器件端面无镀膜的条件下获得了很高的单模成品率．     

用于1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的λ/4相移衍射光栅

采用全息二次曝光的方法,研制出用于 1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的,具有 λ/4相移的二级光栅,并通过扫描电镜(SEM)证明了相移的存在.本文分析了制备该种光栅的工艺原理,并提出了改善此种光栅质量的新方法.     

1.27μm吸收型部分增益耦合MQW—DFB激光器

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ和ＬＰＥ相结合，成功地研制了吸收型部分增益耦合ＭＱＷ－ＤＦＢ激光器，扫描显微镜照片显示了清晰的被掩埋的吸收型增益耦合光栅，表明光栅掩埋生长前升温过程磷烷的保护是成功的。     

高功率1.31μmAlGaInAs应变多量子阱DFB激光器

采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构,同１．３１μｍＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在２５℃时,管芯最大输出功率超过５０ｍＷ,阈值电流范围在１３－２０ｍＡ之间,发光面斜效率高于０．４５ｍＷ／ｍＡ,边模抑制比超过３５ｄＢ,室温中值寿命大于３＊１０＾５小时。     

应变补偿InGaAsP/InP量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成

本文在国内首先报道采用ＭＯＶＰＥ技术研制成功了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变补偿型量子阱ＤＦＢ激光器与“扇形”光放大器的集成器件，实现了３０ｍＷ单纵模工作．采用调制光放大器、静态偏置ＤＦＢ激光器的方法，产生了低啁啾、高功率的单纵模高频光脉冲．集成器件的研制成功，为其它含介质光栅反射器的光子集成器件的研制开辟了一条广阔的道路．     

高温单模工作的1.3μm应变MQW增益耦合DFB激光器

１．３μｍ应变ＭＱＷ增益耦合的ＤＦＢ激光器，在温度高达１２０℃时实现了单模和高功率工作。由于增益耦合效应，使两种布拉格模式存在着很大的模态端面损耗率，从而使激射波长保持了稳定，通过室温时的激射波长对材料益峰值的长波长侧的失谐，使阀值电流受温度的影响很小，这就有效地补偿了较高温度时的波导损耗。在某些温度范围内（取决于失谐值），能实现无限特性温度Ｔ０。     

应变多量子阱DFB激光器有源区的优化设计

利用一个简单模型对1.55μm波长In1-x-yGayAlxAs MQW DFB激光器的阱数和腔长进行了优化,模拟得到了最高工作温度达550～560K,张弛振荡频率在30GHz以上的低阈值MQW DFB.     

应变多量子阱DFB激光器有源区的优化设计

利用一个简单模型对 1.5 5μm波长 In1 - x - y Gay Alx As MQW DFB激光器的阱数和腔长进行了优化 ,模拟得到了最高工作温度达 5 5 0～ 5 6 0 K,张弛振荡频率在 30 GHz以上的低阈值 MQW DFB.     

1.55μm GaInAsP/InP DFB-DC-PBH激光器

在n-InP衬底或GaInAsP波导层上,使用氩离子激光器全息曝光方法刻制二级光栅,进行低温液相外延生长.再利用已有的DC-PBH激光器的制作工艺技术,构成了分布反馈双沟道平面掩埋异质结激光器(DFB-DC-PBH LD).15℃连续工作最低阈值电流为63mA,典型值70-120mA,线性输出光功率大于4mW,外微分量子效率为5～8.3％,主模波长λ温度漂移系数△λ/△T为0.8～1.0A/℃,静态单纵模较好,在400Mbit/s,700Mbit/s和1.4Gbit/s,20mA脉冲电流随机码调制下,单纵模工作稳定.相同条件下,DC-PBH LD单纵模明显变为多模或跳模.     

1.74μm压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器

制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件阈值电流为11.5mA,100mA时最大输出功率为14mW,边模抑制比为33.5dB.     

1.55μm DFB半导体激光器亚微米光栅

论述了用全息技术制作1.55μm 分布反馈半导体激光器亚微米光栅的过程;优化工艺后,获得了高质量的光栅。建立了简单而准确的光栅周期测试系统。     

1.74μm压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器

制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件阈值电流为11.5mA,100mA时最大输出功率为14mW,边模抑制比为33.5dB.     

GSGSMBE生长 1.84μm波长 InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器

报道了 GSMBE方法生长波长 1.84μm的 In Ga As/ In Ga As P/ In P应变量子阱激光器 . 40 μm条宽、 80 0 μm腔长的平面电极条形结构器件 ,室温下以脉冲方式激射 ,2 0℃下阈值电流密度为 3.8k A/ cm2 ,外微分量子效率为9.3%     

InGaAs／InP分别限制量子阱激光器的阱数优化设计和实验制备

根据对ＩｎＧａＡｓＰ－ＩｎＰ分别限制量子阱激光器结构的注入效率的分析和利用Ｘ射线衍射结ＩｎＧａＡｓＰ－ＩｎＰ２０个周期的多量子阱结构异质界面的研究，设计，制备了４个阱的ＩｎＧａＡｓＰ－ＩｎＰ分别限制量子阱激光器结构，利用质子轰击制得条形激光器，阈值电流为１００ｍＡ，直流室温连续工作，单面输出外微分子效率为３６％。     

复增益耦合型取样光栅DFB激光器的设计制作与性能

A complex-coupled DFB Laser with sampled grating has been designed and fabricated. The key concepts of the approach are to utilize the +1st order reflection of the sampled grating for laser single mode operation, and use a conventional holographic exposure combined with the usual photolithography to fabricate the sampled grating. The typical threshold current of the sampled grating based DFB laser is 25mA, and the optical output is about 10mW at the injected current of 100mA. The lasing wavelength of the device is 1.5385μm, which is the +1st order wavelength of the sampled grating.