石墨烯红外低发射率涂料制备及性能研究

将石墨烯应用在红外低发射率涂料中,研究了其漆膜电导率、红外发射率和力学性能.研究表明,当石墨烯添加量为1.5%时,电阻率降至0.59×10^6Ω·cm,漆膜发射率可降至0.13,相对传统纯金属的,红外低发射率漆膜红外发射率明显降低,且漆膜具有更优异的力学性能.     

胶原/TiO2纳米复合红外低发射率材料的制备与表征

用胶原与改性纳米TiO2复合得到新型有机-无机复合材料，研究复合物中胶原的含量随复合温度、pH的变化规律，并考察TiO2晶型、Al2O3包膜改性及戊二醛交联改性对复合材料红外发射率的影响．结果表明;胶原与改性纳米TiO2复合的最佳温度为50℃、pH为8．0，胶原含量最高可达9．45wt％，两者间较强的复合协同作用明显降低了材料的红外发射率，并提高了材料的热稳定性；复合材料经戊二醛交联改性后可形成紧密有序的网络层状结构，热稳定性进一步提高，红外发射率最低可降至0．502．     

红外低发射率涂料的研究进展

介绍了红外低发射率材料研究的理论基础,从组成的角度分析了低发射率涂料的研究进展,并对影响低发射率性能的各种因素进行了讨论分析.     

低红外发射率水性聚氨酯/青铜复合涂层的制备及性能表征

为改善传统低红外发射率聚氨酯(PU)/青铜复合涂层的环保性能,以自制水性聚氨酯(WPU)为黏合剂,片状青铜粉为功能颜料,采用简单的刮涂法制备了具有低发射率、低光泽特性和良好力学性能的绿色环保型WPU/青铜复合涂层;系统地研究了固化温度、青铜粉添加量及交联剂对涂层性能的影响规律。结果表明:该涂层的发射率和光泽度均随着固化温度的升高而逐渐降低,较高的固化温度有利于实现涂层的低发射率和低光泽特性;随着青铜粉添加量的增加,涂层发射率呈先降低后升高的趋势,涂层光泽度呈逐渐降低并趋于稳定的变化规律;水性交联剂的使用可明显提高涂层的硬度,当交联剂添加量为3%(质量分数)时,涂层具有良好的综合性能,发射率和光泽度可分别低至0.269和6.4,硬度、附着力和耐冲击强度可分别达到3H、1级和500N·cm。     

石墨烯耐高温红外低发射率涂层制备研究

以改性有机硅树脂为基料,以低熔点玻璃粉为填料,以铝粉、石墨烯为红外低发射率填料,制备出一种能耐400℃的红外低发射率隐身涂料,并探究了填料、助剂等对耐高温涂料的影响规律。结果发现:改性有机硅树脂、玻璃料、石墨烯、铝粉在最优添加比例时,涂层红外发射率为0.35。     

新型红外隐身涂料热辐射性能研究

采用金属化空心陶瓷粉为主填料制备红外隐身涂料.所制备涂层在8～14μm波段的红外发射率最低可达到0.63;在加热升温、红外光照及太阳光照等条件下的涂层热辐射能及表面温度测试结果表明,涂层具有良好低热辐射性能和一定隔热性能.实验结果为红外隐身涂料实用化研究提供了重要参考.     

颜料对低发射涂料红外辐射特性的影响

本文详细论述了应用于红外陷身涂层的金属颜料、着色颜料的研究现状，并对这些颜料的红外特性进行了讨论。讨论认为：金属颜料发射率一般较低，在金属颜料中，粒径50цm的漂浮型铝粉具有较好的红外性能；在着色颜料中，大多数着色颜料具有很高的发射率，不适宜热红外伪装涂料使用；掺杂半导体颜料制成的涂料性能优良，但目前还处于研制阶段，是今后颜料发展的一个方向。     

柔性红外电致变发射率器件的制备及性能研究

采用质子酸掺杂聚苯胺(PANi)为电极材料,制成一种反射式结构柔性红外电致变发射率器件.当加上-0.8V和0.8V电压时,器件在8～12μ波段平均发射率变化幅度为0.5,颜色由深绿色变为绿色和墨绿色,响应时间约为40s,经过50次循环器件平均发射率变化幅度衰减14%.     

改性石蜡制备及低红外发射率研究

采用丙烯酸接枝石蜡与苯胺酰胺化的方法制备改性石蜡,以此为黏合剂,Al粉为填料,制备出发射率可调的复合相变材料,并对复合相变材料的结构、热性能、控温效果和红外发射率进行了表征。结果表明,改性石蜡的相变温度提高了16.3%,相变潜热提高近60%,控温效果提高了39.3%,添加40%Al粉的复合相变材料的红外发射率可降至最低。     

3～5μm波段低发射率磷酸盐耐高温涂料的研究

现用的低发射率红外涂料仅限于低温(200℃左右),为此,以磷酸盐和氧化铅为主,制得了在3～5μm波段具有较低发射率的耐高温涂料.通过IR-2型发射率测量仪器测试了涂层的发射率,采用XRD和IR表征了涂层的结构和红外吸收光谱,并对涂层的耐热性能进行了测试.结果表明:经过高温固化后形成的涂层,其常温3～5 μm波段发射率为0.51,8～14μm波段发射率加0.83,耐热温度达750℃;高温固化过程中涂料的脱水缩合和晶型转变,导致了紧密结构的形成及红外吸收率的降低.     

聚氨酯/青铜-Sm_2O_3复合涂层的近红外吸收与发射率性能EI北大核心CSCD

以青铜（bronze）粉与Sm2O3为复合颜料,聚氨酯（PU）为黏合剂,制备了PU/bronze-Sm2O3复合涂层。系统研究了涂层的红外发射率、近红外吸收性能及力学性能。结果表明：Sm2O3的存在可有效降低涂层对1.06μm与1.54μm近红外光的反射率,青铜粉的存在可有效降低涂层在8-14μm波段的红外发射率;通过调节青铜粉与Sm2O3质量比,涂层在8-14μm波段的红外发射率可在0.422-0.782范围内调节,涂层对1.06μm与1.54μm近红外光的反射率可分别在46.8%-65.0%和49.3%-70.7%范围内调节;所制备PU/bronze-Sm2O3复合涂层具备优良的力学性能,在不同青铜粉与Sm2O3质量比下,其附着力与耐冲击强度分别可达到1级和50kg·cm。     

聚氨酯基低红外发射率涂层的力学性能研究

以铝粉为主要填料,聚氨酯为粘合剂,制备了8~14μm波段发射率低至0.10的低红外发射率涂层。研究了基板处理、涂层厚度和固化温度对涂层力学性能的影响,并对其在涂料中的作用机理进行了探讨。结果表明,当基板用偶联剂处理、涂层厚度为30μm、热处理温度为80℃时,制得的涂层能在保持低红外发射率的同时具有最佳的力学性能。     

低红外发射率耐高温涂层的制备及机理

以漂浮态铝粉为填料,有机硅树脂作为粘合剂,制备了耐高温低红外发射率涂层。对填料的添加量、涂层的固化温度进行了优化研究,对填料及涂层进行了结构、形貌的表征,并测试了涂层的红外发射率与耐热性能。研究结果表明,填料添加量为30%、400℃固化2h,涂层红外发射率(3～5μm,8～14μm)最低可达0.10～0.12,且涂层可在600℃条件下长时间使用。此外,分析认为涂层发射率的降低是消除粘合剂吸收及致密的片层连续结构两者协同作用的结果,并提出新的涂层结构模型对低发射率机理进行了阐述。     

Ge/ZnS一维光子晶体的设计、制备及低红外发射率性能

通过从理论上分析介质层厚度、不同介质材料的折射率差及周期数对一维光子晶体红外发射率的影响规律,设计得到了可实现8~14μm波段低红外发射率性能的Ge/ZnS一维光子晶体。随后采用光学镀膜技术在石英基片上通过交替沉积Ge层和ZnS层的方法制得所设计的一维光子晶体,并采用扫描电镜(SEM)及傅里叶变换红外光谱(FTIR)分别对其微结构及光谱发射率进行了系统研究。结果表明,所制备一维光子晶体在8~14μm波段具有低红外发射率性能,其平均发射率可低至0.195。采用Ge、ZnS等无机半导体材料,通过合理的一维光子晶体设计同样可以获得低至0.2以下的红外发射率。     

镍-铁-磷/金刚石复合沉积工艺与性能研究

以三元合金为基体的复合电沉积层综合了一般耐磨镀层的性能和所镶嵌的固体微粒的性能.为开发新型多元非晶态合金耐磨复合沉积层,以复合沉积层耐磨减摩性为主要衡量指标并综合考虑其他性能指标,用正交试验法进行了镍-铁-磷/金刚石复合电沉积工艺与性能的研究.结果表明,在试验所采用的复合电沉积工艺控制范围内,可获得金刚石微粒弥散分布的镍-铁-磷/金刚石复合电沉积层,通过调整沉积工艺参数,能得到不同金刚石微粒复合量的复合电沉积层;在镀态下该复合沉积层(基质)呈非晶态结构;较佳综合性能复合层的电沉积工艺参数为:镀液中金刚石微粒(0.5～1.0 μm)含量6 g/L;NaH2PO2·H2O含量2 g/L;FeSO4·7H2O含量70 g/L,其对制备具有良好摩擦学特性的镍-铁-磷/金刚石复合沉积层具有重要的参考价值.     

Ni-纳米TiO2复合电镀层的制备与性能研究

用电镀的方法制备出Ni-纳米TiO2复合电镀层,讨论了表面活性剂、阴极电流密度、搅拌速率等对复合镀层硬度的影响并分析了纳米TiO2的加入对复合镀层硬度、耐蚀性的影响情况.结果表明,与纯镍镀层相比,Ni-纳米TiO2复合电镀层的硬度可提高90～190 HV;添加阳离子表面活性剂分散纳米TiO2所得复合镀层硬度最高,说明阳离子表面活性剂有利于纳米TiO2-Ni复合电沉积.浸泡试验表明,在硝酸溶液中复合镀层的腐蚀速率高于纯镍镀层的腐蚀速率,但远低于未镀覆钢板的腐蚀速率;极化曲线表明,与纯镍镀层相比,复合镀层的自腐蚀电位没有显著提高.说明在复合镀层中添加纳米TiO2不能改善其耐蚀性.     

氧化铟锡／二氧化硅纳米复合纤维膜制备及电化学性能研究

用溶胶-凝胶法制得了In2O3和SnO2溶胶喷洒在电纺的PVP＋正硅酸乙酯纤维薄膜上,在5℃／min升温至550℃,保温3h,随炉冷却至室温,得到分布均匀氧化铟锡／二氧化硅纳米复合纤维膜。大量的试验证明得出：1mL的乙醇中加入0．35mL的正硅酸乙酯的纺丝液的可纺性能最好;用1ml乙醇溶解40mg、50mg、60mg的In2O3,氧化铟锡溶胶喷洒的次数在2—3次时纤维膜的导电性能最好。