γ一Fe_2O_3气敏材料的制备及掺杂研究

作者以不同铁盐与NaOH反应,用共沉淀法遴选出了较好的γ-fe_2O_3气敏材料;再通过多种掺杂,研究杂质对材料灵敏度的影响,寻找γ-Fe_2O_3,对CO、H_2、LPG灵敏的适宜掺杂剂,以促进γ-Fe_2O_3,气敏元件的实用化.同时,作者又通过对掺杂物热力学数据的研究,初步发现了一条选择合宜掺杂剂的规律.     

Fe2O3气敏材料的制备及掺杂研究

作者以不同铁盐与ＮａＯＨ反应，用共沉淀法磷选出较好的γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏材料；再通过多种掺杂，研究杂质对材料灵敏度的影响，寻找γ－Ｆｅ２Ｏ３对ＣＯ，Ｈ２，ＬＰＧ灵敏的适宜掺杂剂，以促进γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏元件的实用化。同时，作者又通过对掺杂物热力学数据的研究，初步发现了一条选择合宜掺杂剂的规律。     

ITO薄膜的气敏特性􀀁

本文研究了胶体法制备的ＩＴＯ薄膜的气敏特性;并同时研究了各种掺杂杂质对ＩＴＯ薄膜的气敏特性的影响。通过实验发现ＩＴＯ薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度,对二氧化氮等也有较好的敏感特性。一般催化剂型掺杂物如贵金属等掺杂杂对提高ＩＴＯ薄膜的灵敏度没有多大帮助。ＩＴＯ薄膜与ＳｎＯ２薄膜相比具有更高的稳定性。ＩＴＯ薄膜的气敏特性既具有表面控制型的特征,又权有体效应气敏材料的敏感特性。     

La2O3施主对(MgCoNi))O系材料 导电性能的影响

对少量Ｌａ２Ｏ３施主掺杂的（ＭｇＣｏＮｉ）Ｏ系样品在不同测试温度下的电导与氧分压关系进行了研究，实验发现，施主杂质有两方面的作用当施主含量较低时，以缺位补偿为主；当施主含量较高时，电子实偿占优势，随着施主含量的增加，由缺位补偿向电子补偿过渡，表明施主对材料的高温缺陷结构具有相当重要的影响，缺陷结构受测试温度的影响也很明显。     

掺杂方式及掺杂量对α-Fe_2O_3敏感性能的影响

本文研究了用不同种类铁盐作原料,用共沉法制备α-Fe_2O_3粉体,在掺杂和不掺杂时的气敏特性。并进一步研究了掺杂方式对气敏特性的影响,解释了α-Fe_2O_3的初始电阻值、气体灵敏度随掺杂含量的变化关系,说明了SnO_2在α-Fe_2O_3气敏性中的作用。     

Fe_2O_3-MgO(K_2O)陶瓷湿敏特性的研究

报导了不同含量的MgO、K_2O掺杂对Fe_2O_3为基的陶瓷材料湿敏特性影响的研究结果.确定了使材料湿敏特性得到很大改善的掺杂含量.并通过XRD、SEM的分析,对其感湿机理进行了讨论。还报导了环境温度变化对材料湿敏特性的影响情况.     

掺杂对ZnO气敏性能的影响研究

ZnO是最早发现的金属氧化物气敏材料,对其掺杂一直是研究的一个热点.采用机械球磨法制备了22种不同掺杂的纳米ZnO气敏材料,通过乙醇、丙酮、苯的测试,系统对比了掺杂元素的化学性质,如离子半径、化合价、元素周期等对ZnO气敏性能的影响.掺杂元素的离子半径为0.072～0.088 nm时,传感器对被测气体的响应比掺杂其他离子半径的高.不同周期掺杂元素对ZnO纳米气体传感器的选择性有一定的影响.     

溶胶一凝胶法制备SnO2薄膜 气敏特性的实验研究

本文介绍了, 以!? ?( ) · ? + 刀为原材料, 用,% ? 一罗. 技术制备(灸% 掺杂的!? / 。薄膜气 敏材料0 研究掺杂量、工艺条件、衬底材料对气敏特性的影响0 实验表明(, 1 % ) 掺杂的!? 几 薄膜气敏材料对以飞有很好的响应特性, 即有高的灵敏度和快的响应时间0 随翎含量的增加 〔# 一?% & 2 34 均, 灵敏度增加, 工作温度向低温方向移动 0 在低氧分压下热处理, 能形成精细 的晶粒与孔洞, 灵敏度大幅度增加 0     

硅掺杂对石墨光性能影响的模拟研究

石墨材料是碳材料的重要组成,由于具有多种优良的物理特性而得到广泛的应用,不同的掺杂可以改变石墨材料的光电性能.文章模拟计算了纯石墨和掺杂不同个数硅原子的石墨材料对光的反射和吸收特性,通过对纯石墨材料和Si掺杂石墨烯材料对光的反射和吸吸收对比得出:掺杂了Si原子后,石墨材料的光反射率和吸光性能都降低,并都随着掺杂Si原子...     

高选择性氢气和液化气元件的研制

作者以共沉淀法制备的γ－Fe2O3为气敏基料,通过多种金属氧化物的掺杂,研究了杂质的离子半径、元件电负性对元件氢气灵敏度的影响,并定量地研究了Ag2O掺杂特性,通过其掺杂修饰和用掺有PtO的Al2O3表面涂层修饰,研制出了高选择性氢气和液化气敏感元件。     

Mn掺杂纳米SnO2的气敏性能研究

为了改善纳米SnO2的气敏性能,采用共沉淀化学法制备了不同Mn掺杂量的SnO2材料。利用XRD,SEM测试手段对材料进行了表征,并研究了材料的气敏性能。研究结果表明:Mn掺杂是一种替位式掺杂;Mn掺杂量为1%时,传感器对VOCs气体具有最佳的敏感性能,并在低温时表现出优越的酒精选择性和在300℃时展示出对不同体积分数酒精良好的响应—恢复特性。     

WO_3掺杂NiO的气敏性能研究

用水热法制备出NiO纳米粉体,对其进行了WO3系列掺杂。利用XRD对产物晶相结构进行表征,测试了掺杂材料的气敏性能。结果表明:适量WO3的掺杂明显改善了NiO材料的气敏性能,其中,掺杂质量分数为6%的气敏元件性能最好,350℃时对Cl2的灵敏度可达到37.5,200℃时对H2S的灵敏度可达30.4。说明该元件在不同温度下对不同气体具有选择性,且该元件对H2S响应恢复快。     

N型杂质对（Ge）n／（Si）n应变层超晶格电子结构的影响

本文用LCAO—Recursion方法研究了n型（磷）杂质对（Ge）n／（St）n应变层超晶格（SI。S）电子结构的影响，计算了杂质及其近邻和次近邻原子的局域（LDOS）和分波态密度（PDOS）；计算了纯净和掺杂超晶格的总态密度，得出了带隙和费米能级。另外还计算了P杂质代替超晶格表面原子时的LDOS和PDOS。我们发现：P的掺杂使超晶格的赛米能级上升；杂质带形成带尾进入禁带从而使带隙变窄；表面P杂质影响表面态的来源及大小。     

SrTiO3基沿面放电电极材料配方优化

采用均匀设计法设计配方,研究了以SrTiO3为基料,掺杂PbTiO3,TiO2,Bi2O3对臭氧发生器用SrTiO3基陶瓷电极材料的介电常数,正切损耗,击穿电压,电阻率等电性能的影响,通过对实验结果进行回归分析表明了各掺杂料的比例与各电参数的关系,其中Bi2O3含量对材料性能的影响最大,优化结果表明,为了获得U＞10Kv/mm,ε约100左右,thδ＜0．01,ρ＜1010Ω 材料,最适合的掺杂配方是：Bi2O31.40%,TiO20.30%,PbTiO3 0.30%和CeO20.50%。     

厚膜气体传感器的研究

本文报导采用典型的微电子学工艺一丝网漏印法制备以SnO_2为基的厚膜气体传感器。研究了不同掺杂剂和玻璃料对厚膜气敏材料性能的影响,结果显示ZrO_2掺杂有助于提高厚膜气体传感器对一氧化碳和乙醇的选择性,而且气体传感元件的厚膜工艺设备筒单,便于生产。     

LiZnVO_4液相掺杂改善SnO_2系湿敏材料性能的研究

采用尿素共沉淀法制备出SnO2纳米粉体,考察了液相掺杂L iZnVO4对材料微结构、湿敏性能的影响,分析了材料的频率特性。实验结果表明:采用尿素共沉淀法制备SnO2纳米粉体,并适当的液相掺杂L iZnVO4可使材料具有棒状晶粒的微结构和较好的湿敏性能与频率响应。     

中束流离子注入机工艺实现原理

粒子高速冲击其他材料并进入其中叫作离子注入。在半导体工业中,这个过程用来向纯净衬底上掺杂杂质而形成半导体。半导体工艺中这个特别的步骤是由一种特殊的粒子加速装置完成,这就是离子注入机。     

Pd掺杂的SnO2甲烷传感器气敏性能的研究

本文研究了Pd掺杂的SnO2材料对于甲烷气体的敏感特性。首先从机理上说明掺杂Pd金属的原因;然后,采用简单的混合研磨工艺制备了Pd掺杂SnO2复合材料;其次,采用刷涂工艺在加热型平板电极上制备了气敏层。研究了所制备的Pd掺杂SnO2气体传感器在不同温度对甲烷气体的敏感特性。结果表明,Pd掺杂在提高SnO2的气敏性能的同时还能降低其工作温度;其中,2 wt%Pd掺杂SnO2的传感器气敏性能最优,在最佳工作温度(200°C)下对500 ppm甲烷的气敏响应可达3.43,灵敏度提升了45.67倍(50–1000 ppm)。     

Ni-N共掺杂锐钛矿型TiO2的第一性原理

采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势(PWPP)方法,对Ni-N共掺杂前后锐钛矿型TiO2的超晶胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂体系的晶格参数.讨论了Ni掺杂、N掺杂、Ni-N共掺杂对锐钛矿型TiO2的晶体结构、能带结构、态密度等的影响.结果表明:Ni-N共掺杂对锐钛矿型TiO2的晶格参数和晶体结构的影响不人,从能带结构和态密度看,Ni掺杂后TiO2价带和导带之间出现了主要由O-2p和Ni-3d共同作用而产生的杂质能级,N的掺入使得TiO2导带下移.Ni、N的共同作用导致禁带宽度变窄,吸收带红移,拓宽了光响应范围.这些计算结果很好地解释了Ni-N共掺杂锐钛矿型TiO2在可见光下具有良好的光催化性能的内在原因.本文从理论上对纯TiO2,以及Ni掺杂、N掺杂、Ni-N共掺杂进行了较系统的研究,其中纯TiO2和N掺杂TiO2的结果与前人的一致;Ni掺杂和Ni-N共掺杂是这个系列的新内容.从理论上对这个系列的TiO2光催化材料进行了比较,得出Ni掺杂和Ni-N共掺杂可以使TiO2的禁带宽度变窄,有助于光催化活性提高这一结论,与我们的紫外可见吸收实验结果一致,与前人实验中发现Ni-N共掺杂TiO2在可见光区的活性比纯TiO2高1倍的实验事实相符.     

Au-In2O3 CO气体传感器的性能与机理研究

为了探讨氧化铟气体传感器的CO气敏性能和气敏机理,分别用化学沉淀法和浸渍法制备了未掺杂和金掺杂的氧化铟气敏材料,利用XRD和TEM对合成产物进行了表征.采用静态配气法测试了合成材料的气敏性能,利用气相色谱在线测试了CO在气敏材料表面的催化氧化产物,根据气敏性能与催化氧化结果研究了金掺杂氧化铟的气敏机理.实验结果表明:以2%质量比的金掺杂氧化铟对一氧化碳的反应有较高的灵敏度和选择性.根据金掺杂氧化铟对CO的催化氧化性能与气敏性能基本一致的结果,提出了金对氧化铟的CO增敏机理为化学增敏作用.