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2002年我厂为北京太行邦正公司制作了两台准4.2m×13m双滑履水泥磨,图纸由天津水泥工业设计院设计。目前在国际上大型磨机多趋向采用滑履支承结构。因为此结构不仅解决了传统的主轴承支承中空轴结构中连接中空轴与筒体的螺栓受剪切力面造成断裂的困扰,而且通过改进支承方式,从结构上更好地满足了水泥工艺的要求。但是,双滑履轴承支承的磨机由于结构复杂给设备的加工造成了困难,尤其是磨机的筒体部分加工困难,所以本文仅就磨机筒体的加工方法进行介绍。准4.2m×13m水泥磨筒体部分为焊接结构,它主要由筒体、进口滑环、出口滑环和出料管四部分… 相似文献
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1 磨机筒体 2 筋板 3 大齿轮联接法兰 图 1 大齿轮联接法兰焊接结构示意图 1 原有筋板 2 新加筋板 3 法兰 4 磨机筒体 图 2 大齿轮联接法兰新加筋板位置图 我厂Φ 2.4× 12m水泥磨原来是普通三仓管磨。设备到厂后,与国家建材局合肥水泥工业设计研究院合作,采用其高产开流磨技术对磨机进行改造,即将三仓改为四仓,同时对隔仓装置等进行一系列改进,磨机改造后于 1993年投入使用,设备运行基本正常,平均产量为 24.5t/h,基本达到了改造的目的。但磨机使用到 1998年初,发现焊接在磨机筒体用来固定大齿轮的联接法兰两侧焊缝都出现了裂… 相似文献
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φ4.6m×8.5m+3.5m中卸烘干原料磨是2500t/d水泥生产线的主机设备,它以优良的性能,被许多水泥企业所采用。但该设备体积大、要求精度高是制造厂的难点。该磨机结构特殊,采用回料端中空轴结构,在进料端采用铸造滚圈的结构,中空轴端与普通磨机结构相同,精度较容易保证,但滚圈端的联结结构复杂,是制作的关键,下面就对磨机筒体部分结构的制造工艺做一介绍。1工艺要点筒体部分包括筒体、滚圈和烘干仓筒体三部分,该筒体进料端采用滚圈与滑履轴承支承筒体重量,滚圈另一面和烘干仓筒体相连,此处要求烘干仓筒体与筒体,滚圈三者同轴,设计要求在滚圈上… 相似文献
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天水祁连山水泥有限公司1000t/d水泥生产线,系引进德国技术及设备与国产设备相结合的单列立筒预热器新型干法窑,窑型ф4X60m,立筒结构属于三旋两钵ZAB型式,原料磨为ф3.5×10m中卸烘干磨,水泥磨为ф3.8× 12m尾卸双仓闭路磨,系统工艺流程如图1. 相似文献
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我公司φ4.2m×13m的二仓闭路水泥磨,采用了中心传动,磨机通过焊接在简体上的滑环固定在滑履上. 相似文献
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4.6m×10 3.5m烘干中卸生料磨是为2500t/d新型干法水泥生产线粉磨系统配套开发设计的专业主机设备。此磨机集众多设备之优点,如:通过滚圈联接烘干仓与粉磨仓,单主轴承、60°双托瓦支承,中心传动等,结构紧凑,安装空间小,运行稳定;利用回转窑尾气烘干物料,节约能源,降低热耗,利于 相似文献
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1设备状况沈阳于洪水泥公司Φ4.3m×8.5m生料磨为边缘传动,大齿圈外径Φ6 778.23mm,宽度930mm,总重32t,剖分式结构。大齿圈和筒体法兰的连接见图1,有 相似文献
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我公司生料粉磨系统采用Φ3.5 m×10 m中卸烘干磨,原磨机中卸仓隔仓板下部只是一个16 mm厚、120 mm高的环形挡板,环形挡板焊接在球磨机筒体上,形成一个环形,当隔仓板安装完毕后再安装挡球环,挡球环之间由钢管套支撑。生料磨中卸仓隔仓板特别是粗粉仓的隔仓板,无论是何种质量都存在一个缺陷,每隔一段时间,隔仓板在钢球冲击下,受热变形,发生扭曲,严重时隔仓板边缘的筋板断裂,隔仓板受到钢球挤压,出现破洞,钢球窜出,不得不停机检修,劳动强度非常大。改造前一般每个月都需停机检查生料磨中卸隔仓板,隔仓板从薄弱的篦板缝两端脆断,断裂的隔仓板必须及时更换。改造前中卸仓内部结构见图1。 相似文献
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1问题的提出
边缘传动管磨机的筒体外圆焊接有一道环形法兰用于连接大齿轮.我公司制造的边缘传动管磨机规格为Φ2~Φ5m,法兰厚度为60~100mm.筒体段节对接采用埋弧自动焊接,完成后再进行筒体和法兰的手工焊接.由于手工焊接方式质量不易保证、焊接速度慢、效率低且劳动强度大,因此,我厂也将其改为埋弧自动焊接. 相似文献
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0 前言 φ13 m×11 m中心传动球磨机是中型水泥厂普遍使用的磨机,常用于粉磨水泥熟料.该磨中空轴与筒体联接螺栓是一个关键性的零件,其作用一是连接中空轴法兰与筒体连接端盖,二是承受筒体和研磨体物料的重量,三是承受筒体的弯曲载荷,四是传递电机发出的动力. 相似文献
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《Electrochimica acta》1985,30(10):1361-1364
Based on our previous model of anodization, a new formula is given for the relation between the breakdown voltage VB during the anodic oxidation of tantalum and the anodization parameters. The formula predicts the well known diminution of VB with the logarithm of the electrolyte concentration. The model also explains the experimentally-observed fact that VB is solely determined by the latter electrolyte in double anodization experiments. 相似文献
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Centrifuge measurements have been carried out which show a significant contribution of the electrostatic double layer to adhesion between solids. By variation of the illumination of the adhesive system, Zr-coated gold spheres on CdS single-crystals, the electronic properties of the photoconducting CdS and hence the electrostatic double layer force at the interface are varied whereas other forces (van der Waals, H2O layer) remain unaffected. Qualitatively, the experimental results are in agreement with a simple model of the metal-semiconductor contact. Either surface contaminants or surface asperities would prevent quantitative agreement with this theory. 相似文献
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