一种电压反馈型高速宽带运算放大器的设计

介绍了一种融合电流映射传输方式的电压反馈型高速宽带运算放大器的工作特性。结合高速宽带运算放大器工作原理,对设计思路进行分析。研究了影响高速宽带运算放大器特性的相关因素,讨论了优化运算放大器动态性能的部分措施。在相关分析的基础上,结合亚微米高速双极工艺,对电路的特性参数进行了仿真设计。     

二十四所射频及模拟放大器集成电路发展历程与展望

回顾了二十四所射频及模拟放大器集成电路专业方向的发展历程，并对未来发展进行了展望。按不同历史阶段，介绍了二十四所在集成运算放大器／比较器、中频／视频线性／非线性放大器、MMIC、集成射频放大器等产品类别所取得的主要成就；并对高性能模拟放大器IC技术的发展进行了讨论。     

一种宽带、高速运算放大器的设计

介绍了一种基于双极工艺的高速宽带运算放大器的设计,从电路结构方面详细论述了电路的宽带设计、高速设计等设计思路,将该电路通过计算机模拟,给出了仿真和测试结果.经过投片验证,设计出的运算放大器满足预期指标,取得了比较满意的结果.该电路在视频放大器、有源滤波器、高速数据转换器等电子系统中有着广泛的应用前景.     

集成运放制造技术的新进展

集成运算放大器是模拟集成电路（IC）最早发展的一个分支。需求的牵引和技术驱动是模拟IC技术发展的两个轮子。一方面卫星通信、红外制导、高保真音响、精密仪表等领域对半导体器件包括运算放大器的性能提出了更高的要求；另一方面工艺技术的进步也为进一步提高运算放大器的性能提供了保障。几十年来，运算放大器性能的提高王要表现在以下10个方面上：高增益；高输入阻抗；高精度；高速度；低功耗；低噪声；低漂移；高电压；宽频带；大功率。要将这10个方面性能提高集中于一个运算放大器里是非常困难的。原因是这10个方面的要求有的在设计…     

200V／μs高速宽带运算放大器的设计考虑

介绍了一种采用介质隔离互补双极工艺制造的单片高速宽带电压反馈型运算放大器。着重分析了电路的工作原理，设计特点和制造工艺。最后，用ＰＳＰＩＣＥ模拟程序和实验结果证明了该设计的正确性。     

一种3 V CMOS恒跨导运算放大器的设计

提出了一种适合在3V电源电压下工作的CMOS运算放大器，其动态工作范围为0-3V，在整个工作范围内，运算放大器的跨导基本保持不变，给出了BSIM3V3模型下的Hspice模拟结果。     

一种新颖的自偏置有源负载放大器

利用自偏置电流源闭环反馈改变开环电阻的特性,设计了一种自偏置有源负载运算放大器,实现了低功耗、高开环增益、低输入失调的性能;并将此运算放大器应用于带隙电压源中.电路在德国XFAB公司XB06工艺上流片实现.芯片实测结果验证了设计的正确性和新颖性.     

高性能CMOS运算放大器的设计

基于0.5μm标准CMOS工艺,利用折叠式共源共栅电路和简单放大器级联结构,设计了一种增益高、建立时间短、稳定性好和电源抑制比高的低压CMOS运算放大器.用Cadence Spectre对电路进行优化设计,整个电路在3.3V工作电压下进行仿真,其直流开环增益100.1dB,相位裕度59°,单位增益带宽10.1MHz,建立时间1.06μs.版图面积为410μm×360μm.测试结果验证了该运算放大器电路适用于电源管理芯片.     

超高速宽带运算放大器的设计与研制

本文叙述了新型超高速宽带运算放大器的电路设计,并对其制造工艺作了简单的介绍。电路设计是围绕高速宽带这一中心进行的。采用场效应管作输入级来提高放大器的输入动态范围,共射-共基的放大形式使中间级具有好的频率特性,还设计了输出级的大电流保护电路。根据新设计电路的特点,采用薄膜混合集成工艺。研制的运算放大器达到了较高的水平,其转换速率达到300V/μs,增益带宽乘积达100MHz。     

运算放大器的速度/带宽优化设计

文章简要介绍了电流反馈和电压反馈运算放大器的基本原理,从理论上分析了两种运放的频率等效模型,进而提出了提高运算放大器速度和带宽的有效途径.另外,文章还对高速运算放大器使用过程中的稳定性进行了简要分析.     

CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究

对ＣｄＳｅ－ＴＦＴ的制作工艺进行了探索,对ＴＦＴ矩阵的关键材料－半导体层ＣｄＳｅ的性质进行了研究。利用ＸＣ－３６型高阻仪研究了ＣｄＳｅ薄膜电阻率随蒸发速度的变化,用三探针法和Ｃｕｒｖｅ Ｔｒａｃｅｒ ＱＴ－２对ＴＦＴ样管的基本性能进行了测试,得到载流子迁移率为１７０ｃｍ２／Ｖ．ｓ,ＯＦＦ态电流小于１０＾－１０Ａ,ＯＮ态电流为１０＾－４Ａ。     

串联叠加式固态脉冲调制器的设计

介绍了固态调制器电路常用的拓扑结构,讨论了开关直接串联与加法器叠加两种拓扑结构的特点。设计了基于IGBT的串联叠加式固态刚管脉冲调制器,调制器通过充电电源变压器实现电位隔离,采用6路调制单元串联叠加,并利用脉冲变压器升压至40 kV。重点讨论了该类型调制器研制中的关键技术,分析了脉冲变压器铁芯饱和现象并提出解决方法;讨论了吸收电路的计算选取,给出了有无吸收电路时,IGBT的C、E两端电压波形;分析并解决了脉冲波形过冲控制以及电磁干扰噪声抑制问题。     

视频版权自动认证系统的思考与设计

希望设计一套自动化,智能化,高效率的视频版权认证系统,系统总体采用了五层结构,设计了帧内数据的采样方法和由帧内采样数据构成的采样值数组,对该采样值数组进行哈希变换,求得了基本特征值,将得到的值组织成了四树权帧顺序寻址多层哈希树,将该哈希树与其他数据一起组织成了数据区块,本区块包含着前一数据区块的加密哈希值和当前时间戳,计算本数据区块的哈希值,将其加密存储在本区块的最后的数据位置,形成了数据区块链,对封面、封底区块进行加密,对整个数据打包,形成视频节目自动版权证书,论述了容错机制.     

基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术

STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。     

基于HSP50214B的256QAM信号的下变频实现

本文介绍了可编程数字下变频器件HSP50214B的内部结构和功能模块,并结合一种实际信号的下变频要求,介绍了器件与应用相关的输出方式、控制端口,并详细说明功能模块的参数设计。最后,通过VHDL硬件描述语言编程,利用可编程逻辑器件CPLD完成对HSP50214B的设计的实现。通过一个完整的软件无线电系统中下变频HSPS0214B的设计过程,介绍了HSP50214B的一般应用方法。     

A DFT study on ternary compounds of GaAlAs and InAlAs nanoclusters

The realistic structures such as hexagonal ring, hexagonal sheet, ladder and cube isomers of GaAlAs and InAlAs are designed and optimized using density functional theory. The hexagonal ring structure is found to be more stable from the calculated energy. The dipole moments of GaAlAs and InAlAs nanoclusters are reported and hexagonal ring of GaAlAs and ladder structure of InAlAs nanoclusters are found to have a high dipole moment. The point symmetry of GaAlAs and InAlAs nanoclusters has either C₁ or C_s symmetry. The HOMO–LUMO gap provides an insight into the transition of the electron for different isomers of GaAlAs and InAlAs clusters. The electron density depends on the geometry of the cluster. The electronic properties are discussed in terms of ionization potential and electron affinity. The hexagonal sheet isomer has the high value of IP and EA due to its geometry. The cube structured GaAlAs and InAlAs nanoclusters have the highest binding energy. The embedding energy is found to be low for GaAlAs and InAlAs hexagonal sheet isomers. The vibrational studies identify the stable clusters of GaAlAs and InAlAs nanoclusters. The result of the present work will give insight into tailoring and improving the electronic properties of GaAlAs and InAlAs nanoclusters which find their importance in optoelectronic devices.     

C波段宽带上变频器的集成化设计

介绍了一种C波段宽带上变频器的集成化设计。利用垂直过渡的形式提高了模块的集成度。用HFSS对垂直过渡进行了仿真,结果表明在整个C波段内,输入、输出驻波小于1.07。上变频器采用上、下分腔结构,上腔主要包含混频、滤波、放大功能,下腔主要包含功分、放大功能,上、下腔采用垂直过渡进行微波信号的级联。给出了上变频器的测试结果,带内平坦度小于1 dB,杂波抑制大于60 dB,测试结果验证了设计方法的正确性和可行性。该上变频模块已经用于雷达系统中。     

CAN总线接口扩展设计与驱动开发

介绍了一种基于S3C6410的CAN总线接口扩展方案,通过SPI接口对CAN接口进行扩展,并给出具体的硬件电路。重点研究了WINCE系统下独立CAN控制器MCP2515的驱动程序。结合CAN总线技术规范和MCP2515的特点设计了相关的软件代码,编写了CAN流接口驱动程序,实验结果表明,在WINCE系统下能够较好实现CAN总线的通信。     

108 GHz 功率放大器模块研制

介绍了105～108 GHz 频段功率放大器模块的设计和制作。模块由波导微带转换、功率芯片及芯片偏置电路组成。讨论了放大模块的设计及加工测试过程,并对模块中的关键技术波导-微带转换进行详细阐述。波导-微带转换采用E面微带探针激励完成。通过理论分析及仿真优化后设计出转换模型并制作出实物进行测试。单个转换在100～110GHz 频段内插入损耗小于0.6 dB,回波小于-10 dB。测试结果表明设计的波导-微带转换具有插入损耗小,工作频段宽的优点。采用此转换制作的功率放大模块在105～108GHz频段上增益大于13dB,输出功率大于200mW,达到预期设计指标。     

多站制CW雷达目标动态模拟器设计

针对多站制连续波（CW）雷达工作特点,设计了一种CW雷达目标动态模拟器,满足多站连续 波测 量系统动态模拟联试的需求。采用高性能CPCI工控机作为模拟器硬件平台,信号处理单元 以CPCI板卡为载体,模拟控制信息依据弹道数据生成。模拟器通过控制测距信号的时间延迟 ,实现目标距离变化的模拟;通过载波频移控制,实现目标速度的模拟;通过数控衰减器控 制模拟信号的幅度,实现目标信号强弱的模拟。通过多站制测量系统动态模拟联试,验证了 模拟器的有效性和距离与速度的相关性。