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相似文献
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1.
用于特大规模集成器件的浅槽隔离＝Ｓｈａｌｌｏｗｔｒｅｎｃｈｉｓｏｌａｔｉｏｎｆｏｒｕｌｔｒａ－ｌａｒｇｅ－ｓｃａｌｅｉｎｔｅ－ｇｒａｔｅｄｄｅｖｉｃｅｓ［刊，英］／Ｂｌｕｍｅｎｓｔｏｃｋ，Ｋ…∥Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．，Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ，Ｍｉｃｒｏｅｌ...  相似文献   

2.
ＫＮｂＯ＿３：Ｒｂ光折变晶体中的电子－空穴竞争张治国ＤｉｎｇＹＥｉｃｈｌｅｒＨＪ（ＯｐｔｉｃａｌＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＴｅｃｈｎｉｃａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＢｅｒｌｉｎ，Ｓｉｒ．ｄｅｓ１７．Ｊｕｎｉ１３５，１０６２３Ｂｅｒｌｉｎ，Ｇｅｒｍａｎｙ）傅...  相似文献   

3.
硅－锗合金的高分辨率反应离子刻蚀＝ＨｉｇｈｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆＳｉＧｅａｌｌｏｙｓ［刊，英］／Ｃｏｕｉｌｌａｒｄ，Ｊ．Ｇ…∥Ｊ．Ｖａｃ，Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ．－１９９３－１１（３）．７１７～７１９在氟基和...  相似文献   

4.
硅片直接键合结构的界面电荷控制＝Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｃｈａｒｇｅｃｏｎｔｒｏｌｏｆｄｉｒｅｃｔｂｏｎｄｅｄｓｉｌｉｃｏｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊，英］／Ｂｅｎｇｔｓｓｏｎ，Ｓ．…∥Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．－１９８９．６６（３）．－１２３１～１２３９采用...  相似文献   

5.
通过模拟了解光刻工艺问题＝ｕｎｄｅｒ－ｓｔａｎｄｉｎｇｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｉｓｓｕｅｓｔｈｒｏｕｇｈｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ［刊，英］／Ｎｅｕｒｅｕｔｈｅｒ．Ａ．Ｗ．Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．－１９９３．３２（１２Ｂ）．－５８...  相似文献   

6.
只有两个外部元件的ＢｉＣＭＯＳ话音电路＝ＡＢｉＣＭＯＳｓｐｅｅｃｈｃｉｒｃｕｉｔｗｉｔｈｏｎｌｙｔｗｏｅｘｔｅｒ－ｎａｌｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ［刊，英］／Ｃａｓｔｅｌｌｏ，Ｒ．…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｌｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．１９９３．２８（７）．...  相似文献   

7.
ｐ型和ｎ型硅中ＳＦ＿６等离子刻蚀引起的电子缺陷＝Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｆｅｃｔｓｉｎｄｕｃｅｄｉｎｐ－ａｎｄｎ－ｔｙｐｅｓｉｌｉｃｏｎｂｙＳＦ＿６ｐｌａｓｍａｅｔｃｈｉｎｇ［刊，英］／Ｂｅｌｋａ－ｃｅｍ，Ａ．…∥Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．...  相似文献   

8.
ＡｌＯｐｔｉｃａｌＷａｖｅｌｅｎｇｔｈＣｏｎｖｅｒｓｉｏｎｆｒｏｍ１．３μｍｔｏ１．５５μｍＵｓｉｎｇＴｗｏ－ｓｅｇｍｅｎｔＤＦＢＬａｓｅｒｓ①ＬＵＯＢｉｎ，ＬＵＨｏｎｇｃｈａｎｇ，ＣＨＥＮＪｉａｎｇｕｏ（ＳｏｕｔｈｗｅｓｔＪｉａｏｔｏｎｇＵｎｉｖｅ...  相似文献   

9.
注入损伤及其对隧穿的影响＝Ｉｍｐｌａｎｔａ－ｔｉｏｎｄａｍａｇｅａｎｄｉｔｓｅｆｆｅｃｔｏｎｃｈａｎｎｅｌｌｉｎｇ［刊，英］／Ｂｅｎ－ｎｅｔｔ．Ｄ．Ｊ．…Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｊ．－１９９３．２４（７）．－８１１～８１７用隧穿效应模拟硅中的注入...  相似文献   

10.
VBPJ编程技巧     
ＶＢＰＪ编程技巧编者按：ＶＢＰＪ是ＶｉｓｕａｌＢａｓｉｃＰｒｏｇｒａｍｍｅｒ’ｓＪｏｕｒｎａｌ的英文缩写，这是一本面向ＶｉｓｕａｌＢａｓｉｃ程序员的杂志。ＶＢＰＪ编程技巧由使用ＶｉｓｕａｌＢａｓｉｃ３．０和４．０的专业编程人员和ＶｉｓｕａｌＢａｓｉｃ...  相似文献   

11.
ＭｏｄｉｆｉｅｄＷｉｄｅ－ａｎｇｌｅＢｅａｍＰｒｏｐａｇａｔｉｏｎＭｅｔｈｏｄＵｓｉｎｇＤｏｕｇｌａｓＯｐｅｒａｔｏｒｓ①ＪＵＺｈｅｎｌｅ，ＦＵＪｕｎｍｅｉ，ＦＥＮＧＥｎｘｉｎ（Ｌａｂ．ｏｆＭｉｃｒｏｗａｖｅＥｎｇ．ａｎｄＯｐｔ．Ｃｏｍｍｕｎ．Ｔｅｃ...  相似文献   

12.
ＯｎｔｈｅＩｎｐｕｔＰｒｏｂａｂｉｌｉｔｙｆｏｒＢｕｉｌｔ－ｉｎＴｅｓｔＤｉｎｇＪｉｎＡＮＤＨｕＪｉａｎｄｏｎｇ（ＴｒａｉｎｉｎｇＣｅｎｔｅｒ，ＢｅｉｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＰｏｓｔｓａｎｄＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓＢｅｉｊｉｎｇ１...  相似文献   

13.
重掺杂对硅锗基区带隙的影响＝ＥｆｆｅｃｔｏｆｈｅａｖｙｄｏｐｉｎｇｏｎｂａｎｄｇａｐｉｎＳｉＧｅｂａｓｅｒｅｇｉｏｎｓ［刊，英］／Ｍａｎｎｉｎｇ，Ｂ．Ｍ．…Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ．－１９９３，１１（３）．－１１９０～１１９２根据实验器...  相似文献   

14.
ＳＩＭＯＸ掩埋氧化物中与时间相关的电子和空穴陷阱＝Ｔｉｍｅ－ｄｅｐｅｎｄｅｎｔｈｏｌｅａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｎｔｒａｐｐｉｎｇｅｆｆｅｃｔｉｎＳＩＭＯＸｂｕｒｉｅｄｏｘｉｄｅｓ［刊，英］／Ｂｏｅｓｃｈ．Ｈ．Ｅ．Ｊｒ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｎｕｃｌ．ｓｃ...  相似文献   

15.
ＳＩＭＯＸ结构隐埋氧化层的体电学传导＝ＢｕｌｋｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎｉｎｔｈｅｂｕｒｉｅｄｏｘｉｄｅｏｆＳＩＭＯＸｓｔｒｕｃｔｕｒｅ［刊，英］／Ｒｅｖｅｓｚ，Ａ．Ｇ．…／／Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．－１９９３，１４０（１１...  相似文献   

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ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＦｒｏｍＤｉａｍｏｎｄａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＣａｒｂｉｄｅｃｏａｔｅｄＳｉｌｉｃｏｎＦｉｅｌｄＥｍｉｔｔｅｒｓＪ．Ｌｉｕ，Ｖ．Ｖ．Ｚｈｉｒｎｏｖ；Ａ．Ｆ．Ｍｙｅｒｓ；Ｇ．Ｊ．Ｗｏｊｆｏｒ；Ｗ．Ｂ．Ｃｈｏｉ；ａｎｄＪ．Ｊ．Ｈｒｅ...  相似文献   

17.
ＣｏｎｔｒｏｌｏｆＴｅｘｔｕｒｅａｎｄＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＮｉｏｂｉｕｍＦｉｌｍｓｂｙＩｏｎＢｏｍｂａｒｄｍｅｎｔＤｕｒｉｎｇＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎＨ．ＪｉＧ．Ｓ．ＷａｓＪ．Ｗ．Ｊｏｎｅｓ（ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＭｉｃｈｉｇａｎ，ＡｎｎＡ...  相似文献   

18.
ＧａｓＳｏｕｒｃｅＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙｏｆＨｉｇｈＱｕａｌｉｔｙＳｔｒａｉｎｅｄＳｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＳｕｐｅｒｌａｔｉｃｅＭａｔｅｒｉｌａｓＬ．Ｆ．ＺｏｕＺ．Ｇ．ＷａｎｇＤ．Ｚ．ＳｕｎＸ．Ｆ．ＬｉｕＪ．Ｗ．ＺｈａｎｇＪ．Ｐ．Ｌ...  相似文献   

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双掺杂的ＫＮｂＯ＿３光折变晶体响应时间的提高张治国ＤｉｎｇＹＥｉｃｈｌｅｒＨＪ（ＯｐｔｉｃａｌＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＴｅｃｈｎｉｃａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＢｅｒｌｉｎ，Ｓｔｒ．ｄｅｓ１７．Ｊｕｎｉ１３５，１０６２３Ｂｅｒｌｉｎ，Ｇｅｒｍａｎｙ）殷爱...  相似文献   

20.
ＱｕａｎｔｕｍＴｒａｎｓｐｏｒｔｔｈｒｏｕｇｈＭａｇｎｅｔｉｃＢａｒｉｅｒｓＪ．Ｑ．Ｙｏｕ１，２Ｌ．Ｄ．Ｚｈａｎｇ１Ｑ．Ｂ．Ｙａｎｇ２（１ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＰｈｙｓｉｃｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｈｅ...  相似文献   

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