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傅炜 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):32-32
C波段16W内匹配GaAs功率MESFET傅炜(南京电子器件研究所,210016)1993年12月2日收到AC-Band16WInternallyMatchedPowerGaAsMESFET¥FuWei(NanjingElectronicDevice... 相似文献
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文章主要介绍了已研制的C波段5.2-5.8GHz 4W GaAs MESFET功率管制作技术,包括将匹配网络等效电路元件参数换算成集总和分布式元件的方法,及匹配网络工艺制作技术。最后,获得的成品功率管的测量值与模拟计算结果吻合。 相似文献
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本文给出GaAs功率MESFET设计公式和计算曲线.实验结果表明:理论计算可用于确定器件的结构参数和材料参数.器件采用二氧硅隔离覆盖式叉指结构、斜凹槽栅及芯片四侧接地工艺.在4GHz下输出功率2W,9GHz下输出功率可达800mW,12GHz下输出100mW. 相似文献
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采用自行研制的两只C波段5.2-5.8GHz 4W以上的GaAs MESFET功率营芯,通过设计适当的匹配网络、优化网络元件参数,结合工艺制作技术,实现了C波段5.2-5.8GHz 8W GaAs MESFET功率管。该功率管在5.2-5.8GHz频带内的功率增益约为7.0dB,1dB的压缩功率约为39dBm,功率附加效率约为30%。功率管的测量值与计算值基本吻合。 相似文献
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盛柏桢 《固体电子学研究与进展》1992,(3)
<正>据日本《电子技术》1992年第2期报道,代表卫星通信、微波干线通信的微波通信系统已成为高度信息化社会的基础,其重要性大大增加。在该系统中,在增大传递信息载体微波功率的固体功率放大器(SSPA)中,要求有很好的大功率、高效率的工作特性。 相似文献
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C波段功率GaAs MESFET的可靠性 总被引:1,自引:0,他引:1
《微纳电子技术》1990,(5)
本文通过功率GaAs MESFET的筛选与环境、寿命试验阐述了器件的早期失效模式模型,估计了可靠性水平,指出了主要失效因素,并用实验方法讨论了突变烧毁失效,分析了失效原因,探讨了提高可靠性的途径。 相似文献
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郑瑞英 《固体电子学研究与进展》1983,(1)
本文采用二维直流传输特性和s、y参数分析双栅MESFET的性能,介绍了器件设计和实验结果.得到的最佳性能为:在1GHz下噪声系数0.7dB,相关增益22.4dB;在1.9GHz下,噪声系数0.9dB,相关增益15.5dB. 相似文献
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<正>GaAs MESFET以其良好的射频特性及高的可靠性,已广泛用于卫星通信及各种电子系统中。为满足各种整机应用的需要,南京电子器件研究所已研制出Ku频段大功率GaAs MESFET。 器件由该所的φ50mm GaAs工艺研制线承制,运用了先进的第二代GaAs加工技术,提高了器件参数的一致性及可靠性。该器件的芯片选用标准单胞的多胞并联的标准化结构,采用φ50mm GaAs单晶片上全离子注入的全平面工艺,有源层掺杂浓度为1.7×10~(17)cm~(-3),并采用稳定性好的多层/耐熔金属化结构。工艺中还采用了可控性好的干法生长与刻蚀,SiO_xN_y表面钝化保护,稳定性好且寄生参数小的“Г”形栅势垒,源空气桥互联,热特性好及寄生参数小的背面通孔,薄GaAs衬底和电镀热沉等先进工艺,有效地提高了芯片参数的均匀性和成品率,加快了器件的研制周期。 相似文献
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陈克金 《固体电子学研究与进展》1982,(2)
<正>南京固体器件研究所已研制成功栅长0.5μm、栅宽280μm,以φ2mm陶瓷金属微带管壳封装的实用化的GaAs MESFET.在9.5GHz下测得最佳水平器件的噪声系数为1.4dB,相关增益大于7dB.大部分器件的噪声系数在1.5~2.5dB范围内.与日本NEC的NE388MESFET进行同等条件下测试对比,说明测试结果可靠. 相似文献
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采用高质量的MBE材料,成功地制作了单胞栅宽20mm的芯片。用栅与n^+凹槽自对准和辅助侧墙工艺制作了栅长0.45μm的TiPtAu栅,欧姆接触采用AuGeNi合金工艺,采用PECVD SiN钝化,空气桥结构及芯片减薄Via-Hole工艺。经内匹配得到了单胞芯片3.7 ̄4.2GHz下P。≥7.3W,Gp≥8dB,ηadd〉25%;4胞合成器件P。≥25W,Gp〉7dB,ηadd〉25%的良好结果。 相似文献
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S波段10 W SiC MESFET的研制 总被引:5,自引:0,他引:5
采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法腐蚀,牺牲层氧化等工艺技术,研制出2 GHz工作频率下连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的MESFET功率样管,该器件的特征频率达6.7 GHz,最高振荡频率达25 GHz.对芯片加工工艺和器件的测试技术进行了分析,给出了相应的工艺和测试结果. 相似文献
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采用高质量的 MBE材料 ,成功地制作了单胞栅宽 2 0 mm的芯片。用栅与 n+凹槽自对准和辅助侧墙工艺制作了栅长 0 .45 μm的 Ti Pt Au栅 ,欧姆接触采用 Au Ge Ni合金工艺 ,采用 PECVD Si N钝化 ,空气桥结构及芯片减薄 Via-Hole工艺。经内匹配得到了单胞芯片 3.7~ 4.2 GHz下 Po≥ 7.3W,Gp≥ 8d B,ηadd>2 5 % ;4胞合成器件 Po≥ 2 5 W,Gp>7d B,ηadd>2 5 %的良好结果。 相似文献
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《微纳电子技术》1986,(5)
研制了用于直播卫星接收机的12GHz波段GaAs双栅MESFET单片混频器。为了缩小芯片面积,把一个缓冲放大器直接与混频器的中频端口连接,而不采用中频匹配电路。混频器和缓冲放大器分开制造在两个芯片上,以便单独测量。混频器芯片尺寸为0.96×1.26mm~2,缓冲放大器芯片尺寸为0.96×0.60mm~2。混频器的双栅FET,以及缓冲放大器的单栅FET的电极间距很小。栅长和栅宽各1μm和320μm。在11.7~12.2GHz,带有缓冲放大器的混频器提供转换增益为2.9±0.4dB,单边带噪声系数12.3±0.3dB。本振(LO)频率为10.8GHz。低噪声变频器由单片前置放大器、镜象抑制滤波器,以及单片中频放大器与混频器连接构成。在同一频段,变频器提供转换增益为46.8±1.5dB,单边带噪声系数为2.8±0.2dB。 相似文献
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采用自主开发的SiC外延材料和工艺技术,相继实现了S波段连续波状态下输出功率瓦级和10 W的SiC MESFET。经过版图设计的改进和工艺条件的优化,取得了S波段连续波状态下输出功率大于20 W,功率增益大于12 dB,功率附加效率大于30%的SiC MESFET研制结果。器件的功率增益和输出功率较以往的研制结果均得到显著提高,器件的反向截止泄漏电流也大幅度降低。由于器件未采用内匹配结构,其体积也比一般内匹配器件的体积小。研制结果为多胞合成实现更大功率输出的器件创造了条件,也使S波段连续波大功率输出器件的研制水平上了一个新的台阶。 相似文献