616《脉冲激光辐照30CrMnSi钢烧蚀研究》

６１６《脉冲激光辐照３０ＣｒＭｎＳｉ钢烧蚀研究》袁永华（中物院流体物理所６１０００３）616《脉冲激光辐照30CrMnSi钢烧蚀研究》@袁永华$中物院流体物理所...     

激光表面熔覆SiCp/Ni-Cr-B-Si-C涂层的组织演化及其相确定

运用激光熔覆技术在ＡＩＳＩ１０４５钢表面制备了３０ｖｏｌ－％ＳｉＣｐ／Ｎｉ－Ｃｒ－Ｂ－Ｓｉ－Ｃ涂层。ＳＥＭ和ＴＥＭ观察分析表明：ＳｉＣｐ在熔覆过程中完全溶解;涂层结合区组织为共晶结构;涂层组织由初生石墨球Ｇ,分布在γ－Ｎｉ固溶体枝晶中的Ｍ２３（Ｃ,Ｂ）６细小网状树枝晶以及少量Ｎｉ＋Ｎｉ３（Ｂ,Ｓｉ）层片状共晶组成;Ｓｉ在Ｎｉ固溶体中的固溶度显著增大,高达１４．４１ｗｔ－％;Ｍ２３（Ｃ,Ｂ）６含有高密度堆垛层错;Ｎｉ３（Ｂ,Ｓｉ）相具有长周期结构。     

Sr－Pb－Bi系中高压介质瓷结构与性能研究

采用Ｘ射线、ＳＥＭ等分析手段，通过实验研究了以（Ｓｒ，Ｐｂ，Ｃａ）ＴｉＯ３复合钙钛矿为基的中高压介质瓷中，Ｐｂ、Ｂｉ２Ｏ３·ｎＴｉＯ２含量（摩尔分数），ｎ值大小及ＭｎＣＯ３添加剂等因素对其微观结构及性能的影响规律。适当调节Ｐｂ含量，可获得一系列不同温度系数的高介低损耗瓷料；Ｂｉ２０３·ｎＴｉＯ２含量及ｎ值均存在优值；适量ＭｎＣＯ３作添加剂有利于介质损耗降低和介电常数温度系数的优化，室温介电常数会随其加入量的增加而降低。研制出εｒ＝２０００，ｔｇδ≤０．００５．试样｜△Ｃ／Ｃ｜≤１０％，综合性能好的中高压瓷料。     

重复脉冲激光作用下钢靶动态热响应数值模拟

用有限元方法对３０ＣｒＭｎＳｉＡ合金钢材料受重复频率ＹＡＧ（ＲＰＹＡＧ）激光辐照下，材料前、后表面及内部温度分布进行了二维模拟计算。结果表明。在激光作用下，钢材料的温升随激光脉冲周期振荡逐次上升，这种特性随靶内距激光作用中心距离的增大而不明显。实验记录了一个平均的温升效果，与模拟计算的平均效果符合。     

中碳低合金耐磨钢衬板淬火组织的扫描电镜观察

中碳低合金耐磨钢衬板淬火组织的扫描电镜观察王宝棣，欧德群，温静娴（广西大学工业测试实验中心电镜室，南宁５３０００４）一、前言本文介绍一种新型ＭｎＳｉＣｒＭｏ系中碳低合金钢制作的衬板（简称新材质衬板），综合机械性能好，耐磨性高。在选铜矿厂与ＺＧＭｎ１３...     

用于全彩色场致发光显示的氧化物荧光体

已经证明，用过渡族金属激活的氧化物荧光体作为场致发光器件的发光层以获得三角色，是有前途的。例如，发红光用Ｃｒ，发绿光用Ｍｎ与发蓝光用Ｔｉ。也已证明了ＺｎＡｌ２Ｏ４：Ｍｎ或Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ ＴＦＥＬ器件发出的绿光，Ｚｎ－Ｃａ２Ｏ４：ＣｒＴＦＥＬ器件发出的红光与Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｔｉ发出的蓝光均具有高亮度，适于用作全彩色ＴＦＥＬ显示器的三基色。     

激光处理对铸态钢的影响

本文用透射电镜研究分析了激光处理对铸态Ｃｒ Ｍｎ Ｎｉ大轧辊钢的影响。激光主要是利用它高能密度脉冲与材料表面以极快速的作用 ,快速的表面溶化 ,快速的冷却方式使材料表面重熔再结晶 ,让材料表面有着高硬度、高耐磨、耐腐蚀的硬化层。经激光处理后的轧辊使用寿命比未处理的轧辊寿命提高1～ 2倍。同时在操作工艺上时间短 ,周期快 ,变形小 ,在材料加工后不需其它工序任何处理。1　材料与处理材料为Ｃｒ Ｍｎ Ｎｉ铸钢 ,其成分为 :Ｃ :1.36 ,Ｓｉ:0 0 15 ,Ｐ :0 0 19,Ｃｒ :0 79,Ｍｎ :0 97,Ｎｉ :0 79,Ｍｏ :0 17。处理状态均为 86…     

Sol—gel法制备纳米化硅晶须的研究

采用长链甲基三甲氧基硅烷「ＣｎＨ２ｎ＋１Ｓｉ（ＯＣＨ３」和正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）两种有机物为起始原料，用溶胶－凝胶法通过合理控制反应条件，制备出β－ＳｉＣ凝胶粉体，然后在Ａｒ气氛、９００～１３００℃下热处理，制备出了高纯、低氧含量，直径２～１０ｎｍ，长度４０～８０ｎｍ的β－ＳｉＣ纳炉晶须。产物纯度达到９９．９２％。利用Ｘ射线粉昌衍射、航向电镜（ＴＥＭ）、拉曼光谱等测试方法对制香的晶须进行了结构及颗     

（Ge）n／（Si）n应变层超晶格的电子结构

本文用ＬＣＡＯ－Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了应变层超晶格（ＳＬＳ）（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ（ｎ＝１，２）的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ｇｅ、Ｓｉ的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的ｎ对（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎＳＬＳ电子结构的影响。我们发现超晶格表面存在表面态，表面退杂化。电子在超晶格界面处发生转移，并随ｎ的不同，转移量不同。     

高速BiCMOS工艺研究

研究开发一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，该工艺采用乍对准双埋双阱及外延结构。外延层厚度２．０－２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化隔离，双极器件采用多晶硅发射极晶体管。利用此工艺试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｑｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力 ０．６２ｎｓ／ｐＦ，明显ＣＭＯＳ门。     

高速BiCMOS工艺研究

研究开发了一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，采用自对准双埋双阱及外延结构．外延层厚度为２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管．利用此工艺已试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振电路，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｐｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力为０．６２ｎｓ／ｐＦ．明显优于ＣＭＯＳ门．     

超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p~+-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析

本文用透射电镜（ＸＴＥＭ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了由超高真空化学气相淀积法（ＵＨＶＣＶＤ）生长的ｎ－Ｓｉ／ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ／ｎ－Ｓｉ结构，发现在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时，在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处存在一个很薄的层，但在ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ上外延生长Ｓｉ时，无此现象产生．此薄层是由在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时硼原子聚集在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处形成的高掺杂薄层．高掺杂的薄层影响由此结构制备的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的ＢＣ结的正向导通电压．     

SiC器件──物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ　ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管?     

激光熔覆WCp/Ni-Cr-B-Si-C自熔合金复合涂层的显微结构及干滑动磨损

运用激光熔覆技术在４５＃钢表面制备了ＷＣｐ增强Ｎｉ－Ｃｒ－Ｂ－Ｓｉ－Ｃ复合涂层。含量为３０ｖｏｌ－％ＷＣ典型涂层的ＸＲＤ,ＳＥＭ和ＴＥＭ分析表明,ＷＣｐ在熔覆的熔化阶段发生部分溶解和分解。激光熔体凝固时形成的微观组织由Ｎｉ＋Ｎｉ３Ｂ共晶基体上分布的杆（或薄片）状α－Ｗ２Ｃ,块状β－Ｗ２Ｃ和四方形η１碳化物Ｍ６Ｃ相组成。这类碳化物主要含Ｗ,并含大量Ｃｒ。销－环式干滑动磨损试验表明,当ＷＣｐ含量约为３０ｖｏｌ－％时,磨损抗力最大     

CdTe-HgCdTe界面的电导机制

本文研究了ＣｄＴｅ和ｎ型、ｐ型Ｈｇ０．５３Ｃｄ０．４７Ｔｅ界面的电学特性．ｎ型ＨｇＣｄＴｅＭＩＳ结构强反型区开始处的电导峰是表面处禁带态辅助的间接隧穿引起的；而ｐ型ＨｇＣｄＴｅＭＩＳ结构的强反型区电导出现两个振荡峰，是体陷阱辅助的价带电子到表面反型层二维子带的隧穿引起的，而耗尽区的电导峰则为界面态产生复合．指出ｐ型和ｎ型ＨｇＣｄＴｅＭＩＳ结构隧穿电导的差别是：ｐ型ＨｇＣｄＴｅＭＩＳ结构隧穿对表面处的禁带态不敏感．并用电导法研究ＣｄＴｅ／ＨｇＣｄＴｅ界面态在禁带中的分布，求得了界面态的时间常数和俘获截面     

纳米硅薄膜分形凝聚模型

从分析纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜生长过程的特点出发，提出与扩散限制凝聚（ＤＬＡ）模型不同的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜分形凝聚模型：扩散与反应限制凝聚（ＤＲＬＡ）模型．获得的结果与实验结果符合得很好．ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜是利用等离子体增强气相淀积方法制备的．文中讨论了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构特点与分形凝聚之间的关系．     

具有优良性能的MCBiCMOS IC结构

本文分析了几种常规ＢｉＣＭＯＳ门电路的特性，对ＭＣＢｉＣＭＯＳ集成电路结构的二输入与非门和１１级环形振荡器进行了实验研究，并与常规ＢｉＣＭＯＳ进行了比较。实验结果说明：ＭＣＢｉＣＭＯＳ具有电路结构简单；芯片面积小；工作速度高，负载能力强和低压工作性能好等优点。     

合并互补BiCMOS集成电路的研究

分析了几种常规ＢｉＣＭＯＳ门电路的特性，对合并互补（ＭＣ）ＢｉＣＭＯＳ集成电路的二输入与非门和１１级环形振荡器进行了实验研究，并与常规ＢｉＣＭＯＳ进行了比较。实验结果说明，ＭＣＢｉＣＭＯＳ具有电路结构简单，芯片面积小，工作速度高，负载能力强和低压工作特性好等优点。     

Y1铁电薄膜材料研究进展

曾经引起铁电学界轰动的Ｙ１材料，其组成已公之于世，其结构为（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｎ－１ＢｎＯ３ｎ＋１）２－氧化铋基层状铁电材料。目前研究较多的是ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９，ＳｒＢｉ２Ｎｂ２Ｏ９以及它们的固溶体。文章介绍了有关Ｙ１材料的研究背景，研究现状及发展前景     

激光熔敷NiCrSiB合金组织与物相研究

报道了对ＮｉＣｒＳｉＢ激光熔敷合金中共晶组织的研究和观察，将共晶中的第二相标定为Ｎｉ３１Ｓｉ１２。γ′（Ｎｉ３Ｓｉ）相与γ（Ｎｉ，Ｃｒ）相共存于枝晶中，共晶包围着枝晶形成合金的基体，其上弥散分布着硬质强化相ＣｒＢ，Ｎｉ３Ｂ和Ｍ２３（ＣＢ）６。研究方法包括ＳＥＭ（扫描电子显微镜），电子探针，ＸＲＤ（Ｘ射线衍射），ＥＤＡＸ（能谱分析）和波谱分析等