正电子湮没率的计算

用有效位势方法计算了金属中正电子的平均寿命和温度的关系,结果显示计算值与文献实验值相当吻合。这种方法还可用于计算其它固体材料中的正电子平均寿命和温度的关系。     

关于相对论增强因子S′(Z)的研究和讨论

在研究穆斯堡尔同质异能移时,需要知道相对论的核内电子浓度。1984年D.A.Shirley引入了相对论增强因子S′(Z),假定它是一个只依赖于核电荷Z的量,这样,当计算核内电子浓度时,可以首先利用HartreeFock方程,然后将所求的非相对论核内电子浓度乘上这个因子S′(Z)。获得相对论的核内电子浓度,进而用于同质异能移的研究中。 本文通过解相对论Dirac-Fock-Slater方程,直接得到相对论的核内电子浓度,并以穆斯堡尔原子~(73)Ge、     

关于正电子湮没寿命谱归一化峰顶计数的讨论

为了寻求一种能被正电子湮没寿命谱唯一确定而本身又有一定物理意义的谱参数,我们对正电子湮没寿命谱的归一化峰顶计数S_p进行了分析。     

金属氢化物的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法在７７－３００Ｋ温区和ｘ为０－０．８６氢浓度范围研究了Ｐｄ０．７５Ａｇ０．２５Ｈｘ和ＮｂＨｘ两种金属氢化物，叙述了获得的实验结果。     

Cu-Al-Zn-Mn-Ni形状记忆合金的正电子湮没研究

Cu-Al-Zn-Mn-Ni为形状记忆合金。本文采用正电子湮没寿命和多普勒展宽参数的测 量对该合金在不同工艺处理后的内部结构作进一步研究。熔炼两种成份合金,其化学成份和相变点如下表所示,试样均在865℃加热20min,然后分别淬入200—-196℃不同温度的冷却     

富勒烯晶体的正电子湮没寿命

系统研究了室温下石墨及富勒烯晶体的正电子湮没寿命，发现Ｃ６０及Ｃ６０／Ｃ７０的寿命值分别为３７９ｐｓ和３８８ｐｓ，并给出纯Ｃ７０的双寿命拟合值为２５８ｐｓ和４１０ｐｓ。     

铁中空位的正电子湮没特性

从第一性原理和二分量密度泛函理论出发．应用离散变办法和嵌入集团模型完全自洽地计算了不同相状态的铁单空位的正电子湮没特性．同时讨论了晶格膨胀和晶格弛豫对正电子湮没特性的影响。     

变形铝正电子湮没实验结果的一个简单理论解释

Arponen等曾计算了铝中刃位错的正电子湮没效应,在理论上解释了Hautojarvi的变形铝正电子湮没实验,我们采用他们的理论方法,但简化了他们的位错模型,用空心柱孔模型计算了变形铝的正电子湮没效应,得到了与Arponen等结果一致、与Hautojarvi实验符合的结果,角关联曲线亦有所改善。计算结果表明:1)在凝胶模型的意义下,若晶体中存在半径为0.93A的空心柱孔,就将给出与Hautojarvi实验符合的结果;2)Arponen等的模型中的位错弹性理论部分对角关联曲线的计算意义不大。我们看到,一方面位错中心对正电子的捕获可能是较强的,因而对总的湮没效应贡献很大;另一方面也存在着变形铝正电子湮没效应是由一系列微空位所贡献的可能性。     

正电子湮没数据处理方法的改进

将最新的基于Ｌａｐｌａｃｅ变换的大型正电子寿命无约束解谱程序ＣＯＮＴＩＮ，在保持运算精度和运算速度的条件下，成功地移植于个人微机，移植后的程序能在微机保护模式下运行，突破了ＤＯＳ６４０Ｋ内存的限制，经正电子漂没实验中常用标准样Ａｌ及典型高分子材料聚四氟乙烯寿命谱拟合验证，结果准确可靠。     

Fe-Si-Al合金的正电子湮没研究

Fe-Si-Al合金具有优异的磁性能,已知它是一种在冷却过程中含有有序-无序转变的材料,当Fe_3Si_(1-x)Al_x的原子化学配比变化时出现两种有序结构:B_2型和DO_3型,如x<0.5,则转变顺序为α-DO_3型,它的临界转变温度为1050℃,有序度与热处理温度关系甚大。为了观察该合金空位对有序过程的影响,材料经高温固溶处理后在临界转变温度下于不同温度淬火,然后测湮没辐射多普勒展宽谱。     

水结构的正电子湮没研究

正电子及正电子素在水和冰中湮没的实验结果显示出冰人有相同的电子结构，由水分子结构提出了水分子在氢键作用下生成３－水分子集团，这个基团的范德瓦尔斯散力的作用下生成宏观水，水的这个结构模型不但解释了正电子在水和冰中湮没的实验结果，与水的能态图相一致，而且得到了原力显微镜（ＡＦＭ）对水层结构观测的支持。     

环形阴极宏观场增强因子计算研究

环形阴极是一种结构场增强型阴极,能有效提高电子发射性能,广泛应用于脉冲硬X射线负载、强流电子束装置及高功率微波系统中,对其宏观场增强效应计算研究具有重要意义。本文采用电荷等效法和镜像法相结合的方法,建立阴阳极间隙空间电场的理论计算模型,获得阴极表面电场分布及其宏观场增强因子,并拟合给出宏观场增强因子的经验估算公式。计算结果表明,当阴阳极间隙与阴极环宽之比（d/w）<5,环形阴极宏观场增强因子与d/w呈良好的线性关系,理论计算结果与Ansoft软件模拟结果基本一致。     

γ辐照LiF晶体的正电子湮没

实验所用的晶体沿〈100〉解理。~(60)Coγ辐照剂量分别为5×10~4rad、5×10~5rad、1×10~6rad、5×10~6rad、1×10~7rad。吸收光谱测量使用岛津UV-360型光谱仪。为计算色心密度,全部测量均设置于同一吸收档。正电子寿命谱测量使用快-慢符合正电子寿命谱仪。谱仪的双高斯分辨函数的参数为:半高宽度W_1=(0.35±0.02)ns,W_2=(0.46±0.04)ns,相对强度I_1=(68.7±1.0)％,I_2=(31.3±1.0)％,中心相对位移为(0.061±0.002)ns。正电子源为10μCi的~(22)Na,每个谱总计数不少于9×10~5,环境温度T=23.5±0.5℃。数据处理采用positronfit程序在B—1955计算机上进行。     

含卤素高聚物的正电子湮没特性

用正电子湮没辐射一维角关联实验装置和正电子湮没寿命谱仪观察了全氟乙烯丙烯共聚物(FEP)系列试样和不同含氯量的聚乙烯系列试样的正电子湮没特性,并分别与聚四氟乙烯均聚物(PTFE)和聚乙烯(PE)进行了对照。结果表明:分子材料的介电性质对正电子湮没特性有明显的影响。极性基团的加入改变了分子链上的电荷密度分布,导致微观偶极电场的产生,使在自由体积内部或陷落在缺陷巾的0-Ps正电子波函数与分子链上轨道电子波函数的重迭几率增加,长寿命τ_3减小;同时,由于卤素原子的电负性较强,抑制了Ps的形成,增加了自由正电子的数目,使角关联曲线低动量成分减小。     

等离子体表面处理的正电子湮没研究

本文将正电子湮没技术用于等离子体喷涂的研究。测量了等离子体喷涂合金的缺陷以及缺陷的退火效应，观察到了正电子寿命的一些异常现象。     

中子辐照硅的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法研究了１．４５×１０＾２０ｎ／ｃｍ＾２和３．１０×１０＾１７ｎ／ｃｍ＾２快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在３４３－１０７３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧－空位对和在高中子剂量辐照的Ｓｉ中发现的双空位复合成四空位。正电子湮没短寿命成分τ１是晶格正电子寿命和氧－空位对捕获的正电子寿命的加权平均值，而长寿命成分τ２是双空位或四空位捕获的正电子     

聚氯乙烯共混改性的正电子湮没研究

采用正电子湮没对添加聚丙烯酯类增韧粒子的聚氯乙烯共混材料进行了研究。结果表明,随ＡＣＲ比例的上升,ＰＶＣ结构中氯原子的强电负性受到削弱,ＰＶＣ主链区和结构改性剂中自由体积缺陷尺寸及数量增加。