载流子迁移测量的光电方法

本文评述了载流子迁移率测量的各种方法,着重介绍了光电测量的渡越时间（TOF）方法,并对几种新的含偶氮基,硝基及咔唑基的光电功能材料进行了测量,给出了迁移率的测量结果。     

渡越时间方法测量聚合物材料的载流子迁移率

介绍了渡越时间方法的测量原理,讨论了激发光源的波长、单脉冲能量、脉冲宽度以及测量电路的积分时间常数、聚合物材料的光生载流子率、样品的制备、探测器的选取等测试条件对聚合物材料载流子迁移率测量结果的影响。实验表明,利用渡越时间方法测量聚合物材料载流子迁移率,只有严格选取合适的测量条件,才可获得准确、可靠的测试结果。     

弱电导材料中载流子迁移率的测量方法研究

为了精确测定弱电导材料中载流子迁移率,采用渡越时间方法测量了8-羟基喹啉配合物（Alq3）的载流子迁移率,对渡越时间方法需要的实验条件进行了理论分析和实验验证,讨论了激发光源的波长、单脉冲能量以及测量电路的积分时间常数的选取对材料载流子迁移率测量结果的影响。结果表明,采用渡越时间方法测量弱电导半导体材料中载流子迁移率时,只有严格选取合适的测量条件,才可能获得准确、可靠的测试结果。此结论有助于对有机电致发光器件载流子迁移率进行精确测定。     

有机光电材料载流子迁移率测量方法

有机光电材料大致可分为小分子或低聚物和聚合物两类.载流子迁移率是衡量有机光电材料导电性能的重要参数,直接关系到材料对电荷的传输能力.因此,测量材料的载流子迁移率是研究有机光电材料的基本工作之一.通过对几种不同测试方法的总结与分析,报道了几种载流子迁移率测试技术,并指出各种测试方法的应用原理及适用的测试范围,对采用合理的...     

共轭聚合物中载流子迁移率的变温飞行时间检测

载流子迁移率是标定共轭聚合物光电器件性能的重要参数,在数值上其大小远小于传统半导体材料,所以常常用飞行时间方法来测量。利用自行搭建的变温飞行时间检测系统,能够准确地测量聚合物中载流子的迁移率。从原理和实践上,讨论了影响检测结果的限制因素和关键参数,其中包括光生载流子数量、薄膜样品厚度、激发光脉冲宽度、检测外电路的响应时间、载流子在电介质中的弛豫时间和对放大器探测器频率的限制等。只有选取恰当的实验参数才能够获得准确可靠的检测结果。     

SiGe层中载流子迁移率研究简况

近些年来的研究结果认为,用Si_(1-x)Ge_x伪晶作成的异质结晶体管是采用硅工艺制作的高速高频器件的最大竞争对手。它的发展速度很快,在很短的时间内就从实验室内的珍品发展成为以硅工艺为基础的速度最快的双极晶体管,不仅设计制成了n-p-n和p-n-p管,而且制成了Si_(1-x)Ge_x伪晶异质结晶体管(PHBT)的集成电路,并获得满意的结果。采用二维漂移扩散(DD)模拟和一维流体学模拟(HD)来分析这类晶体管的高频性能,证明它们的f_r为70GHz左右。     

载流子迁移率测量方法研究

给出了载流子迁移率的各种测量方法,渡越时间（TOP）法、霍尔效应法、电压衰减法、辐射诱发导电率（SIC）法、表面波传输法、外加电场极性反转法和电流-电压特性法,并给出了这些测量方法的使用范围。     

载流子迁移率测量方法总结

给出了载流子迁移率的各种测量方法,渡越时间（TOP）法、霍尔效应法、电压衰减法、辐射诱发导电率（SIC）法、表面波传输法、外加电场极性反转法和电流—电压特性法,并给出了这些测量方法的使用范围。     

提高MOSFET沟道载流子迁移率的新方法

用HF掺杂薄氧化物层的MOSFET和MOS电容具有优良的电学特性。在本文所研究的有效场范围内,这种器件的有效表面迁移率为一般器件的1.7-2.4倍,这表明用HF增强氧化能得到速度更快的MOS器件。     

偶氮类有机薄膜的光存储与光调制特性研究

本文利用光致双折射技术,研究了两种新型偶氮类光电功能材料的光存储与光调制特性.对比研究结果表明:含偶氮侧链聚合物具有更好的光存储功能,而偶氮小分子掺杂聚合物则更适用于光调制.文中还利用偶氮小分子掺杂聚合物薄膜,通过改变附加偏振光的偏振方向得到了一级自衍射的放大和衰减信号,从而在0°～90°范围内完成了偏振光调制光学全息技术.     

宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法

首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层载流子迁移率的方法 ,并给出了测试结果     

Ce掺杂Bi2S3/Fe2O3异质结的制备及其光电性能

采用旋涂法与水热法在掺氟二氧化锡(FTO)上制备了Ce掺杂Bi2S3/Fe2O3(Ce-Bi2S3/Fe2O3)异质结,对样品的组成、形貌及其光电性能进行了研究分析.结果 显示,Ce-Bi2S3/Fe2O3的X射线衍射(XRD)图谱中各衍射峰位与Bi2S3/Fe2O3相似,无新的相产生,但在2θ为24.92°(130)与28.65°(211)的衍射峰强度有所降低,而在2θ为35.65°(110)时有所增强;在Ce-Bi2S3/Fe2O3的X射线能谱(EDS)中发现了Ce元素.光电性能测试结果表明,在模拟太阳光的照射下Ce-Bi2S/Fe2O3的光电压为0.347 V,比Bi2S3/Fe2O3 (0.281 V)提高了23.5％;光电流密度达到2.31 mA·cm-2,比Bi2S3/Fe2O3 (0.53 mA·cm-2)提高了约3.36倍;电化学阻抗谱(EIS)显示,在光照下Ce-Bi2S3/Fe2O3具有最低的界面阻抗,表明Ce-Bi2S3/Fe2O3中的载流子被更有效地分离和转移.     

Photoelectric properties of Zn3P2

Contacts on p-type Zn₃P₂ samples were made by vacuum evaporation of Au and In. The photo-voltage spectral response of Zn₃P₂ was measured on these contacts within the 0.5–1.4 μm range at temperatures 80 and 300 K. The effect of the lighting configuration on spectral plots is discussed and the origin of two peaks in the photoresponse is ascribed to both indirect and direct transitions in the energy band-structure of Zn₃P₂ with energies of about 1.34 and 1.63 eV at 80 K and 1.32 and 1.49 eV at 300 K, respectively. The effect of surface recombination on the photovoltage plots is also discussed.     

Carrier removal after H1+, H2+ or H3+ implants into GaAs

It is demonstrated that the carrier removal caused by implanting equivalent doses of H1+ H2+ and H3+ ions into GaAs is identical and approximately independent of the ion energy in the range 300?500 keV. Some recovery of carriers removed occurs at about 250°C.     

复合先驱体法制备铅镁锰锑铌系压电陶瓷材料

采用复合先驱体法制备了Pb(Mg1/3Nb2/3)a(Mn1/3Nb2/3)b(Mn1/3Sb2/3)cZrdTieO3(PMMSN) 铅镁锰锑铌多元系中温烧结压电陶瓷材料。结果表明,相同合成条件下,三组元复合先驱体法和六组元复合先驱体法比四组元复合先驱体法制得样品的钙钛矿相含量更高,在700℃即可得到单纯钙钛矿相材料,且复合先驱体法具有比单一先驱体法(二组元)工艺更加简单、成本更加低廉的优势。性能测试结果表明,三组元复合先驱体法制成样品的性能最佳。1 100℃烧结样品的性能参数:Qm为1 916,kp为0.56,r为1 349,d33为326,tg为0.43?02,可以满足超声马达和压电变压器等应用方面的要求。     

铅镁锰锑铌多元系压电陶瓷材料

采用先驱体法制备了Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_A(Mn_(1/3)Nb_2/3))_B(Mm_(1/3)Sb_(2/3))_CZr_DTi_EO_3(PMMSN)铅镁锰锑铌多元系中温压电陶瓷材料。从XRD图谱可以看出,先驱体法容易消除焦绿石相,得到单相钙钛矿材料。实验结果表明,先驱体法制成样品的烧成温度较低,压电和介电性能优良。1100℃烧结样品的性能参数:Qm为2060,k_p为0.55,ε_r为1200,d_(33)为293 pC/N,tgδ为0.45×10~(-2),可用于压电变压器、超声换能器和压电马达等功率型器件。     

电力线载波机的关键技术及应用

介绍了电力线载波通信技术的发展,并针对目前如何在中高压电力线和低压配电线进一步提升通信速率和可靠性的课题,比较了目前最先进的几种电力线载波编码调制技术。最后对电力线载波机的应用和选型问题进行了讨论。     

半化学法制备钨镁酸铅-钛酸铅陶瓷

采用半化学法制备了纯钙钛矿结构的0.50 Pb(Mg1/2W1/2)O3-0.50 PbTiO3 (0.50 PMW-0.50 PT)陶瓷。以醋酸镁代替传统氧化物混合法中的MgO,提高了MgO的分散性和反应活性,能够有效地促进钙钛矿相0.50 PMW-0.50 PT的形成和抑制钨酸铅的存在。随着预烧温度的提高,0.50 PMW-0.5 0PT粉体的钙钛矿相含量增加,当预烧温度为850℃和保温时间为2 h时其钙钛矿含量达到100%;随着烧结温度的提高,0.50PMW-50PT陶瓷的晶粒尺寸增大,而陶瓷的介电常数先增大后减小,介电损耗先减小后稍微增大。0.50 PMW-0.50 PT陶瓷的最佳烧结条件为1 050℃,2 h,最大相对介电常数为7 606。