共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
3.1~10.6GHz超宽带低噪声放大器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
基于SIMC0.18μmRFCMOS工艺技术,设计了可用于3.1—10.6GHzMB—OFDM超宽带接收机射频前端的CMOS低噪声放大器(LNA)。该LNA采用三级结构:第一级是共栅放大器,主要用来进行输入端的匹配;第二级是共源共栅放大器,用来在低频段提供较高的增益;第三级依然为共源共栅结构,用来在高频段提供较高的增益,从而补偿整个频带的增益使得增益平坦度更好。仿真结果表明:在电源电压为1.8v的条件下,所设计的LNA在3.1~10.6GHz的频带范围内增益(521)为20dB左右,具有很好的增益平坦性f±0.4dB),回波损耗S11、S22均小于-10dB,噪声系数为4.5dB左右,IIP3为-5dBm,PIdB为0dBm。 相似文献
6.
7.
采用场效应晶体管ATF541M4设计了一个工作于LTE第38频段(2570MHz-2620MHz)的低噪声放大器。首先介绍设计低噪声放大器的理论基础,其次在ADS中进行仿真,最后将仿真结果与实测结果进行对比,得出结论。实测结果表明,该低噪声放大器在指定频率范围内噪声系数小于ldB,增益大于13dB,带内波动小于±0.25dB。 相似文献
8.
这里首先简单介绍了低噪声放大器(LNA)电路的设计理论,然后介绍了数字对讲机中LNA的设计指标。基于这些指标,使用了HP公司提供的芯片AT-41511,详细阐述了基于ADS仿真的适用于数字对讲机中LNA的主要设计步骤。最后在ADS仿真软件下通过s参数及谐波平衡仿真得到设计出的LNA的各项性能参数,在400-470MHz频率范围内噪声系数小于0.8dB,带内增益大于15dB。仿真结果表明,该设计的LNA可以完全满足所给的性能指标要求。 相似文献
9.
10.
11.
12.
13.
该文设计了一种用于零中频接收机的低功耗高分辨率可编程增益放大器。该放大器采用源级电阻负反馈结构,利用跨导增强技术提高了放大器的线性度,并加入补偿电容扩展了带宽,实现了低功耗设计。该可编程增益放大器采用0.25μmCMOS工艺,仿真结果表明,在0.5pF负载电容的情况下,放大器增益动态的范围是0~62dB,2.5V供电电压下最大功耗为2.2mW,增益分辨率达到0.25dB,带宽10MHz,0dB增益时输入三阶交调点为17.9dBm。 相似文献
14.
采用0.18μm Si RFCMOS工艺设计了应用于s波段AESA的高集成度射频收发前端芯片。系统由发射与接收前端组成,包括低噪声放大器、混频器、可变增益放大器、驱动放大器和带隙基准电路。后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,发射前端工作电流为85mA,输出ldB压缩点为5.0dBm,射频输出在2~3.5GHz频带内电压增益为6.3~9.2dB,噪声系数小于14.5dB;接收前端工作电流为50mA,输入1dB压缩点为-5.6dBm,射频输入在2~3.5GHz频带内电压增益为12—14.5dB,噪声系数小于11dB;所有端口电压驻波比均小于1.8:芯片面积1.8×2.6mm0。 相似文献
15.
16.
17.
根据UWB(Ultra-wideband)无线通信标准.提出了一款超宽带低噪声放大器并进行了设计.该放大器选用高性能的SiGe HBTs,同时采用并联和串联多重反馈的两级结构,以达到超宽频带、高增益、低噪声系数以及良好的输入输出匹配的目的.仿真结果表明,放大器在3-10 GHz带宽内,增益.S21高达21 dB,增益平坦度小于1.5 dB,噪声系数在2.4~3.3 dB之间.输入输出反射系数(S11和S22)均小于-9 dB,并且在整个频带内无条件稳定.所有结果表明该LNA性能良好. 相似文献
18.
19.