柔性衬底铝掺杂氧化锌透明导电膜的特性研究

室温下采用射频磁控溅射法在有机薄膜－聚丙烯己二酯（polypropylene adipate,PPA)衬底上制备出了ZnO:Al(AZO)透明导电膜。其它制备参数保持不变的条件下通过改变淀积时间得到厚度不同的薄膜，并对不同厚度AZO薄膜的结构特性、光学特性和电学特性进行了研究。     

低温沉积ITO透明导电膜的研究

通过探讨半导体氧化物ITO膜的透光和导电机理,用反应性直流磁控溅射的镀膜工艺,在有机玻璃上低温镀制(ITO)膜,研究ITO膜溅射工艺参数与透光和导电性能的关系,实现了在低温下镀制(ITO)膜的技术,其透光率≥80%以上,表面电阻≤30Ω/□.     

射频磁控溅射有机衬底SnO2：Sb透明导电膜性能的研究

采用射频磁控溅射法在聚丙烯己二酯有机薄膜(polypropylene adipate, PPA)衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电膜.研究了薄膜的厚度效应对SnO2∶Sb薄膜的结构、光学和电学特性的影响.制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构.载流子浓度和迁移率随着薄膜厚度的增加而增大,电阻率随着薄膜厚度的增加而减小,最低电阻率为 2×10-3Ω*cm.     

磁控溅射制备AZO/Ag/AZO透明导电膜的性能研究

选择ZnO2与Al2O3质量比为97：3的靶材为溅射源,用射频磁控溅射法室温下在玻璃基底上沉积AZO／Ag／AZO薄膜,讨论了氧流量变化对薄膜透光率、方阻及表面形貌的影响并深入分析了机理。研究结果表明,氧流量变化会导致薄膜沉积厚度的变化,氧流量为4时薄膜沉积速率最快。沉积AZO时充入氧气会使整个膜系的透光率不随Ag层增厚明显降低,并且会使膜系的方阻降低。在最优氧流量为4L／min（标准状态下,下同）上下各沉积59nm的AZO与氧流量为0时沉积33nm银层相匹配的复合膜在可见光区（包括基底）的透光率达到90％,方阻为2．5Ω/□。     

绒面ZAO透明导电膜的制备工艺研究

绒面ZAO(ZnO∶Al,氧化锌铝)透明导电膜在硅基薄膜太阳能电池领域应用前景广阔,本文利用直流磁控溅射方法,采用氧化锌铝陶瓷靶材制备了ZAO透明导电膜,并用自制的腐蚀液对膜层进行腐蚀以便形成太阳能电池所需要的表面凹凸起伏的绒面结构。研究了不同镀膜温度对膜层性能的影响,不同退火条件下膜层热稳定性的变化情况,不同腐蚀时间下膜层电阻、透过率以及表面形貌的变化,结果表明,在相同真空度、溅射功率和节拍的情况下,220℃下制备的ZAO透明导电膜膜层性能最好,腐蚀时间为30 s时获得的绒面效果好。     

掺铝氧化锌透明导电膜的研究进展

掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜作为一种性能优异的多功能材料引起了研究人员的普遍关注,被认为是当前极具发展潜力的传统铟锡氧化物(ITO)薄膜的替代者.综述了AZO薄膜的不同制备工艺,并叙述了衬底温度、Al掺杂量、氧分压、退火条件、同质缓冲层5个因素对薄膜的结构以及光电性能的影响.针对AZO透明导电薄膜的研究现状,提出了今后的研究方向:理论与经验相结合,优化工艺设备,在提高薄膜透光率的同时进一步降低其表面电阻和制造成本,并不断开拓AZO薄膜新的应用领域.     

ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnOGa)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnOGa是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻～4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.     

透明导电膜研究进展

论述了透明导电膜工艺及其发展水平，对其发展方向提出了展望。     

聚合物基透明导电膜的进展

与玻璃基透明导电膜相比，聚合物基透明导电膜耐折，耐摩擦，成本也较低，可广泛使用。本文概述了聚合物基透明导电膜的种类，特点，制备，及其在一些领域的应用。     

聚合物基透明导电膜研究进展

与玻璃基透明导电膜相比，聚合物基透明导电膜耐析，对靡摩，成本也较低，可广泛使用。概述了聚合物透明导电膜的种类，特点，制备及其在一些领域的应用。     

可调的透明导电膜研究进展

简述了透明导电薄膜材料,特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物（TCO）及金属基复合透明导电多层膜的发展现状和趋势;同时从选材、膜层设计、制备方法到工艺制定,研究透明导电膜光电性能诸多影响因素和规律,探讨D／M／D多层膜的微观结构与其光电性能的内在联系,以及多层膜的热稳定性和界面反应等问题,并采用电介质TiO2与金属Ag交替生成TiO2／Ag／TiO2三明治结构制备了几种具有优异光电性能的透明导电膜。经优化设计的纳米多层膜具有奇特的光电性能可调性,根据需要,用于平面显示器透明电极、太阳能电池板等的在可见光区具有高的透过率（T550≥90％）和在红外光区高的反射率（R2500≥90％）,其方块电阻仅为～5Ω／sq;而用于紫外固化的则在紫外固化的主峰365 nm处具有高的透射率（T365≥80％）,而在1600 nm的红外波段反射率也超过了90％。     

低电阻ITO透明导电膜的制备和应用

锡掺杂的铟锡氧化物透明导电膜（简称膜ＩＴＯ）是一种面电阻率低，透光率高，导电性能好的膜层，近年来在国内外发展较快，其制备方法较多。本文就采用磁控溅射法制备ＩＴＯ 膜的设备及成膜过程中的若干工艺问题进行了探讨。     

可调的透明导电膜研究进展

简述了透明导电薄膜材料，特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物（TCO）及金属基复合透明导电多层膜的发展现况和趋势：同时从选材、膜层设计、制备方法到工艺制定，研究透明导电膜光电性能诸多影响因素和规律，探讨D／M／D多层膜的微观结构与其光电性能的内在联系，以及多层膜的热稳定性和界面反应等问题，并采用电介质TiO2与金属Ag交替生成TiO2／Ag／TiO2三明治结构制备了几种具有优异光电性能的透明导电膜。经优化设计的纳米多层膜具有奇特的光电性能可调性，根据需要，用于平面显示器透明电极，太阳能电池板等的在可见光区具有高的透过率（T550≥90％）和在红外光区高的反射率（R2500≥90％），其方块电阻仅为5Ω／sq；而用于紫外固化的则在紫外固化的主峰365nm处具有高的透射率（T365≥80％），而在1600nm的红外波段反射率也超过了90％。     

硝酸掺杂提高石墨烯透明导电膜导电性研究

石墨烯同时具备高透过率和良好的导电性可作为透明导电材料,然而由于CVD法制备的石墨烯的多畴特性,以及石墨烯本征载流子浓度较低,目前石墨烯透明导电膜方阻偏高,还无法满足实际应用需要,因此探索提高石墨烯的导电性对推进石墨烯透明导电膜应用发展是非常重要的。通过掺杂提高石墨烯的载流子浓度从而提高石墨烯的导电性是其中一条重要途径。采用CVD法在铜箔上制备了石墨烯透明导电膜,并用硝酸处理石墨烯,研究了掺杂作用对石墨烯载流子浓度以及电导率的影响。实验结果证实硝酸处理会在石墨烯中引入P型掺杂,掺杂使得载流子的浓度增加了约2．5倍。方阻从530～205Ω/□,显著改善了石墨烯的导电性能,而石墨烯高透过率特性并未因掺杂而降低。     

射频磁控溅射有机衬底SnO2∶Sb透明导电膜性能的研究

采用射频磁控溅射法在聚丙烯己二酯有机薄膜(polypropylene adipate, PPA)衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电膜.研究了薄膜的厚度效应对SnO2∶Sb薄膜的结构、光学和电学特性的影响.制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构.载流子浓度和迁移率随着薄膜厚度的增加而增大,电阻率随着薄膜厚度的增加而减小,最低电阻率为 2×10-3Ω*cm.     

超薄金属透明导电膜及其应用研究进展

透明导电薄膜被广泛地应用于显示、太阳能电池、发光二极管等光电子器件。近年来,随着信息技术和新材料的不断革新,柔性电子器件在显示、能源及可穿戴等领域得以迅速发展,这对透明导电薄膜的柔性化提出了新的挑战。相比于其他类型柔性透明导电薄膜,超薄金属导电薄膜具有柔性好、导电性好、光电性能均匀、稳定性好、成本低和可大规模制备等优点,有望成为替代ITO的理想材料。超薄金属薄膜的生长和其光电特性息息相关。与常规电介质衬底相比,金属普遍具有较大的表面能,因而金属薄膜在衬底表面通常按照岛状模式生长,阈值厚度高。对薄膜厚度低于阈值厚度的金属薄膜而言,在电学特性方面,纳米团簇形貌使电子在薄膜晶界和表面被过多散射,电子迁移率受到抑制,从而导致电阻率较高。而在光学特性方面,离散的纳米团簇也会引起局域表面等离子体共振,使超薄金属薄膜的透过率曲线在特定波长处明显下降。尽管进一步增加薄膜厚度可以降低电阻率,但厚度的增加会使透过率下降。因此,金属薄膜的超薄、低阈值厚度连续生长是同时获得良好的光学和电学特性的关键。已有的降低超薄金属薄膜阈值厚度的方法包括添加氧化物缓冲层和金属种子层、表面处理、掺杂及低温沉积等。其中添加氧化物的方法因可选择材料种类丰富、制备工艺简单可控等优点,成为制备超薄金属薄膜最普遍的方法;引入金属种子层和掺杂的方法可有效提高金属薄膜的润湿性,然而,其他金属的引入会带来薄膜光学损耗的问题;表面处理的方法对薄膜光学性能的影响较小,其利用聚合物分子层的官能团与金属原子间的键合作用抑制金属原子的扩散;对温度精确控制的要求较高和设备昂贵使低温沉积法的推广面临挑战。本文概述了超薄金属透明导电薄膜的最新研究进展,归纳总结了超薄金属薄膜的生长模式、电学特性和光学特性,重点介绍了降低超薄金属薄膜阈值厚度、实现薄膜连续化生长的多种方法及原理,分析了超薄金属薄膜在太阳能电池、OLEDs、长程表面等离子体激元波导以及Low-E涂层领域的应用情况。最后讨论了超薄金属透明导电膜未来的发展方向。     

GZO/Ag/GZO多层薄膜制备、结构与光电特性的研究

采用射频磁控溅射和离子束溅射联合设备在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的GZO/Ag/GZO(ZnO掺杂Ga_2O_3简称GZO)多层薄膜.X射线衍射谱表明GZO/Ag/GZO多层薄膜是多晶膜,GZO层具有ZnO的六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向;Ag层是立方结构,具有(111)取向.在GZO层厚度一定的情况下,研究了Ag层厚度的变化对多层膜结构以及光电特性的影响.研究发现,当Ag层厚度为10nm时,3层膜的电阻率为9×10~(-5)Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到89.7%,薄膜对应的品质因子数值为3.4×10~(-2)Ω~(-1).     

PMN-PT透明光电陶瓷材料的特性及制备技术

以传统的光电材料铌酸锂晶体和透明光电陶瓷材料PLZT(镧改性的锆钛酸铅固熔体)作为比较,介绍了铌镁酸铅(PMN)-钛酸铅(PT)(简称PMN-PT)光电透明陶瓷的结构和性能优势,主要介绍了PMN-PT各种粉末的制备方法、烧结工艺方法及其各自的特点,同时对影响陶瓷透明的因素和基于该材料的器件和应用进行了简要介绍.     

柔性衬底氧化物半导体透明导电膜的研究进展

回顾和评述了柔性衬底氧化物透明导电膜（包括锡掺杂的三氧化二铟ITO薄膜、铝掺杂的氧化锌AZO薄膜等）的研究进展情况。报道了在柔性衬底上制备的ITO膜、ZnO膜的光电性质对衬底种类、制备工芑及制备参数的依赖关系，给出了在此领域内应进一步进行的工作。