一种新颖的多倍频程180°GaAs MMIC数字移相器

数字移相器在许多电子系统和电子设备中得到广泛应用 ,南京电子器件研究所最近研究出一种新颖的多倍频程 1 80°Ga As MMIC数字移相器 ,初步获得了优异性能。这种数字移相器采用了新颖的宽带移相电路拓扑 ,运用了独到的 CAD优化技巧和独特的 Ga As MMIC工艺制造技术 ,并借助于南京电子器件研究所 76 mm Ga As MMIC工艺线电路模型参数提取系统和计算机电路模型参数拟合技术 ,设计制造了 1 80°Ga As MMIC数字移相器 ,在微波探针测试系统中 ,测得其主要电性能为 :在 4～ 2 0 GHz频率范围内 ,相移精度≤ 1 80± 5°;两态插入损耗…     

采用共面波导的高性能反射型MMIC SPST和SPDT开关芯片系列

众所周知 ,共面波导具有低色散、宽频带的显著优点 ,而 Ga As MMIC开关由于其体积小、重量轻、开关速度快、低功耗、抗辐射、可靠性高等显著优点 ,在当今许多先进的电子系统中获得广泛应用 ,将共面波导和 Ga As MMIC开关的优点结合在一起 ,南京电子器件研究所最近研制出采用共面波导的高性能 DC- 2 0 GHz,DC- 35 GHz Ga As MMIC反射型单刀单掷 ( SPST)和单刀双掷 ( SPDT)开关芯片系列 ,获得了非常优异的电性能和非常高的工艺成品率。这种采用共面波导的 Ga As MMIC反射型 SPST和 SPDT开关芯片系列均采用了反射型宽带开…     

76mm GaAs有源器件模型库

采用基于测量 S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术 ,建立与76 mm Ga As工艺线直接结合的Ga As器件 (MESFET,PHEMT)的 MMIC CAD适用器件模型及模型库 ,并通过对不同种类 Ga As MMIC的设计研制进行了验证与改进 ,模拟结果和测试结果基本一致 .目前此模型和模型库已用于76 m m Ga As工艺线上多种微波 Ga As单片的设计研制 .     

移动通信中的射频集成电路

介绍分析了在蜂窝和个人通信业务 (PCS)市场中适用于 RFIC的多种射频晶体管技术。Ga As HBT技术被作为介绍的基线 ,并且与目前已有的技术进行比较 ,得出对于射频应用 ,Ga AsHBT综合了 Si BJT和 Ga As FET两者优点的结论。文中还介绍了近年来国外 Ga As HBT MMIC,PHEMT MMIC和 In P HBT MMIC的研究进展情况。     

16.5～20GHz PHEMT单片功率放大器

采用南京电子器件研究所的 76 mm Ga As的 PHEMT单片技术 ,进行了 1 6 .5～ 2 0 GHz的 PHEMT MMIC的设计与研制。其中 PHEMT器件选用双平面掺杂 Al Ga As/In Ga As/Ga As PHEMT异质结结构 ,0 .5μm栅长的 76 mm Ga As工艺制作。在 MMIC设计中 ,准确的器件模型是设计 Ku波段单片的关键。为了保证单片研制的成功 ,利用 Agilent软件进行了 PHEMT器件模型的提取。模型可直接应用于 HP- EESOF Libra软件中 ,进行线性和非线性分析。PHEMT单片放大器采用三级有耗匹配放大器拓扑 ,输入和输出端口匹配至 50 Ω,CPW形式引…     

在GaAs/AlGaAs上产生双焦点菲涅耳透镜调制器

密歇根大学和德克萨斯大学的研究人员目前已制成一台双焦点菲涅耳透镜调制器 ,并对其进行测试。该调制器采用 (Ga As/ Al Ga As)多量子阱异质结构。该结构由分子束外延产生 ,采用了 PIN(MQW)二极管的形式 ,以 6 0个周期的无掺杂 Ga As/ Al-Ga As夹于 2 0个周期的双面超晶格 Ga As/ Al Ga As覆层间。利用量子约束斯塔克效应将交替的环形蚀刻在异质结构上 ,以模拟菲涅耳透镜不透明与透明的环形交替。光源的脉宽恰好与零偏压下 MQW的吸收峰脉宽相同 ,各环之间 2 π光程的相位差致使零偏压下近乎不透明 ,而在负偏压下则透明。该装置用…     

移动通信用GaAs微波单片集成电路的CAD技术研究

介绍了一个移动通信用 Ga As MMIC集成电路 CAD系统。该系统包括单片电路器件模型系统和 CAD软件包。应用该系统已完成多个移动通信电路的优化设计 ,取得良好效果。     

InGaAs/GaAs多量子阱SEED面阵结构特性与设计

讨论了谐振腔中的 DBR对 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED面阵光反射特性的影响 .采用 In Ga As/ Ga As作为多量子阱 SEED器件的有源区 ,从而获得了 980 nm工作波长 .设计和分析了 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构 .多量子阱材料是用 MOCVD系统生长 ,利用微区光反射谱、PL 谱以及 X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析 ,测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量 ,证明了器件结构的设计和分析是准确的     

GaAs/AlGaAs多量子阱材料差分反射光谱

介绍了一种新型的空间调制光谱技术—差分反射 ( DR)光谱技术 .利用振动光束差分反射测试系统 ,获得了 Ga As/Al Ga As多量子阱材料的 DR谱 ,初步分析了 DR信号的产生机制 .通过与材料的 PR谱及反射光谱的一阶微商谱比较分析 ,论证了 DR光谱技术用于多量子阱量子化跃迁观测的理论可行性 ,并从实验角度证明了 Ga As/Al Ga As多量子阱材料的 DR谱具有反射率谱对能量的一阶微商线型特征     

高消光比偏振不灵敏电吸收调制器

用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器 ,应用应变 In Ga As/In Al As材料做多量子阱 ,实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性 ,以及其高消光比 (>40 d B)和低电容 (<0 .5 p F) ,保证了器件可以应用于高速率的传输系统 (>10 GHz)