电喷硅溶胶衬垫制备4π薄膜源

前言为了制备4πβ-γ绝对测量用的薄膜源,许多科学工作者在金属化的VYNS膜上制备一个亲水性好、能使放射性离子均匀分布、自吸收小的源衬垫方面做了很多工作。胰岛素,抗静电剂,硅胶,聚四氟乙烯粉或真空喷镀一氧化硅,都曾被选用作为源衬垫材料。1973年洛温撤尔(G.C.Lowenthal)等人采用双针头高压电喷阴、阳离子交换树脂悬浮液,制备了β计数效率高,重现性好的4π薄膜源。我们采用低压单针头电喷     

~(57)Co放射性标准溶液制备及活度测量

选用~(56)Fe(d,n)~(57)Co和~(57)Fe(d,2n)~(57)Co两个核反应,采用能量为8.7MeV氘核辐照电镀在铜片上的天然铁靶来制备~(57)Co,采用TBP-苯萃取和阳离子交换联合法分离纯化~(57)Co,得到的~(57)Co溶液的纯度用高纯锗γ谱仪鉴定,γ杂质含量小于0.2％。用电喷涂法在金属化的VYNS薄膜上电喷涂硅胶悬浮液形成衬垫层,称重制源,在高气压4πβ-γ符合装置上,对     

4πβ+4πγ计数法测量166Hom活度

描述了4πβ+4πγ活度测量方法的基本原理,以及4πβ+4πγ活度测量装置的构成和性能指标.将原有的166Hom国际比对溶液制成VYNS薄膜源进行比活度测量,计算得到166Hom的总探测效率均大于99.99%,比活度的算术平均值为130.17(1±0.21%)Bq/mg.国际比对推荐结果为130.10(1士0.4%)Bq/mg,二者符合很好.     

~(57)Co放射性标准溶液制备及活度测量

选用~(56)Fe(d,n)~(57)Co和~(57)Fe(d,2n)~(57)Co两个核反应,采用能量为8.7MeV氘核辐照电镀在铜片上的天然铁靶来制备~(57)Co,采用TBP-苯萃取和阳离子交换联合法分离纯化~(57)Co,得到的~(57)Co溶液的纯度用高纯锗γ谱仪鉴定,γ杂质含量小于0.2％。用电喷涂法在金属化的VYNS薄膜上电喷涂硅胶悬浮液形成衬垫层,称重制源,在高气压4πβ-γ符合装置上,对不同的工作气压和坪曲线的工作电压对测量的影响进行了研究。最后,在选定的条件下,用改变甄别阈的方法来进行效率外推,准确测定了~(57)Co溶液的比活度值,测定的总不确定度为±1.2％(3σ),通过国内比对证明,该溶液是均匀稳定的,定值准确可靠。     

电喷涂硅胶薄层底衬制备4πβ薄膜源

引言为了制得高计数效率的4πβ薄膜源,除了尽量减小源斑上固体物质的含量外,还必须控制源斑上晶体粒子大小(一般小于1微米)并均匀地分布于源上。为此,洛温撒尔(G.C.Lowenthal)用电喷涂阴,阳离子交换树脂到金属化的VYNS薄膜上制成薄树脂底     

~(99m)Tc的活度绝对标定

本文介绍了用4πβ-γ符合方法测定~(99m)TC绝对活度的技术及测量结果。并观测了2.12,140.5和142.6 keV跃迁的γ射线和内转换电子在4πβ计数管中的探测效率随VYNS膜厚度的变化。从而得到2.12 keV射线完全吸收后~(99m)Tc每一次衰变在4πβ计数管中的“β”计数贡献为0.1117±0.0005。     

~(103)Ru β衰变率的绝对测量

一、引言用放化法测定重核裂变时~(103)Ru的绝对裂变产额,需要准确测出~(103)Ru的绝对衰变率。由于~(103)Ru的子体~(103m)Rh是一个半衰期为56.12分钟的亚稳态,放射出内转换电子而到达~(103)Rh基态。一般β计数装置无法将~(103)Ru的β粒子和~(130m)Rh的内转换电子区分开。所以测量到~(103)Ru-~(103m)Rh的混合计数后,必须设法扣除~(103m)Rh的贡献,才能计算出~(103)Ru的绝对衰变率。我们在4πβ-γ符合装置上,利用效率外推法对~(103)Ru的衰变率进行了绝对测量。本工作是用蒸馏法快速提取纯的~(103)Ru放射性溶液制备出薄膜源,进行4πβ-γ符合测     

在VYNS膜上真空沉积金的方法

用高压喷射法制源时,要求在衬底表面形成一均匀电场,同时,作4πβ测量时也要求有一均匀电场。而做源衬底材料的VYNS膜是不导电的,必须沉积上一层导电物质。我们用真空蒸发方法,将金沉积在VYNS膜上,效果良好。这种沉积金的VYNS膜可以做源的衬底或复盖膜。     

电喷涂离子交换树脂薄衬垫层制备4π薄膜源

本文把两根医用皮下注射针头锡焊在普通的圆珠笔铜头上,加上几千伏直流高压,使阴、阳离子交换树脂酒精悬浮液在圆珠笔铜头中混合,并喷涂在金属化的VYNS薄膜上、形成树脂的薄衬垫层,制备了高计数效率、重复性较好的4π薄膜源。在电喷涂时,将喷头垂直向上,克服了最初一滴液体喷到薄膜上引起的树脂堆叠现象,从而改善了树脂分布的均匀性。用此法制备了~(60)Co、~(95)Zr、~(95)Nb、~(99)Mo、~(144)Ce-~(144)Pr、~(147)Nd和~(153)Sm薄膜源,均能满足高准确度的绝对测量的要求。     

用4πβ-γ符合法和液体闪烁计数法标定~(60) C。活度

在放射性活度绝对测量方法中,4πβ-γ符合法和液体闪烁计数法是应用较广的两种方法。4πβ-γ符合法出于不受源的自吸收、吸收和散射等因子的影响,具有很高测量准确度。液体闪烁计数法由于放射性溶液和闪烁液均匀混合,不需要作自吸收校     

四种源托材料~(241)Am薄源的制备及简便测量

将镀金的VYNS膜,分别套在有机玻璃片,不锈钢片、玻璃片及紫铜环上,采用电喷涂法,电喷涂硅溶胶源衬垫,制备了四种不同材料的~(241)Am薄源。分别采用α-γ符合法,2π栅网电离室法测量放射性绝对强度、材料的反散射系数及能量半宽度分辨率。结果表明,由于有机玻璃源刚性好,几何形状规则,反散射系数小,致据的精度及分辨率都达到令人满意的要求。它与通常采用的VYNS薄源相比,具有机械加工简单、成本低、不     

放射性标准溶液的制备和定量分装

本篇报告与后面二篇报告详细介绍了毫居里~(60) Co 标准源的制备方法.其过程如下:(1) 将一枚钴丝分成三段,用两台高压电离室测量其相对强度,并用微量天平称量三段钴丝质量;(2) 取其中较弱的钴丝溶解于分析纯浓盐酸中,加入适量钴载体,制成放射性钴标准溶液(母液);(3) 取定量母液,用去离子水定量稀释,制成不同浓度的4πβ-r 符合计数器专用薄膜源和液体闪烁计数器用的液体源,测量标准液的比活度(Bq/mg);(4) 根据比活度,稀释比及4πr 高压电离室测量值算出两枚钴丝强度,两枚钴丝分别封装在不锈钢管中,管径3 mm,管壁厚0. 45mm,包装自散射为0. 07%-0. 1%.并用法制晶体NaI(T1) (8″×4″)检验其核纯度,无其他放射性杂质存在.两枚钴源的活度总不确定度为0. 71%。     

用于放射性核素活度测量的高效γ射线探测系统

井型 NaI(T1)闪烁探测器用作γ核素活度绝对测量,具有探测效率高、位置依赖性小等优点。除了能精确测定简单衰变纲图的γ核素活度外,还可确定复杂衰变纲图γ核素的活度,以及进行混合核素的分析,总不确定度可达0.1%。这种探测器对于点源、体源、厚源、溶液源等均可测量。避免了4πβ-γ符合法测量时制备专用薄膜源的困难,大大缩短了测量周期。     

一种提高液体闪烁绝对测量探测效率的方法

介绍了如何提高3H、14C样品的探测效率,进行了计量技术的研究.使用4πβ(LS)活度国家基准刻度3H、14C溶液的放射性活度.     

~(90)Sr-~(90)Y放射性活度的绝对测量

一、测量原理~(90)Sr-~(90)Y的衰变纲图比较简单。但它是一个纯β发射体,所以对它的放射性强度的绝对测量用一般的4πβ-γ符合法就比较困难。本工作采用4πβ-γ符合效率示踪法测~(90)Sr-~(90)Y的放射性强度。测量方法的基本原理是把待测的~(90)Sr-~(90)纯β发射体与放射性强     

用Tri-Carb 3100TR液体闪烁计数器测量~3H(正十六烷)、~(14)C(正十六烷)液体闪烁猝灭系列源的活度

用美国珀金埃尔默公司生产的型号A310001,出厂编号432801液体闪烁计数器对有机溶液~3H(正十六烷)、~(14)C(正十六烷)液体闪烁猝灭系列源进行了绝对测量,测量结果与4πβ(LS)活度基准装置测量的数据比较在1%以内符合.     

用双振荡仪测量死时间和符合分辨时间

一、前言4πβ-γ符合,包括4πβ(PC)-γ符合、4πβ(PPC)-γ符合和4πβ(LS)-γ符合等是放射性核素活度计量学中最主要的测量方法,死时间和偶然符合的修正是两项重要的修正。由于放射性活度测量正向高计数率发展,因此,准确测量死时间和符合分辨时间对于     

用4πβ计数法绝对测定~(228)Ac

本文介绍了无载体~(228)Ac的制备。4πβ计数源的源托采用6～7微克/厘米~2的聚氯乙烯—醋酸乙烯酯聚合物膜,镀金厚度为6～10微克/厘米~2。用鸡蛋白作浸润剂,所制得的源,膜吸收系数不超过1%。源液量为10～40毫克之间在误差范围内无自吸收影响。还测定了~(228)Ac的比放射性强度,相对标准偏差不超过1.3%,准确度好于2%。由于~(228)Ac半衰期短(6.13小时),测量时必须进行衰变校正,本文总结了一套校正方法,实验证明,该方法简便、可靠。采用鸡蛋白作浸润剂制出的源,比一般用胰岛素作浸润剂制出的源,物质颗粒较细,分布均匀,有效的减少了自吸收影响。     

厚样品~(170)Tmβ放射性的绝对测定

一、引言β放射性的绝对测定广泛应用于核物理、核化学、核工程和核技术应用等方面。除适用于薄膜源的4πβ-γ符合法外,要绝对测定出一个样品的β放射性,都必需知道β探测器的效率。效率中通常包含有两个因素:1.样品中发射出的β粒子在到达探测器路程中可能遇到的样品自身、样品与探测器间的空气以及探测器窗的吸收和散射。2.样品相对探测器所张的有效立体角大小。样品的β放射性自吸收和散射同样品的厚度和成分有着十分密切的关系。对薄样品,通过对自吸收等的修正,可以定出β放射性绝对强度。但     

182Taγ射线发射概率的测定

182Ta发射低能和高能两组γ射线,半衰期适中,是HPGe探测器效率刻度的合适标准源之一.本工作通过反应堆活化得到了182Ta放射源,制备了VYNS薄膜源.活度由4πβ 4πγ计数相加装置绝对测量,γ射线的发射率由已刻度效率曲线的HPGe探测器测量,从而得到了γ射线绝对发射概率,不确定度为0.6～1.5%.