低温等离子体灭菌实验研究

相对于传统的灭菌方法来讲,利用低温等离子体灭菌有许多优点。本文详细介绍了一个低温等离子体灭菌实验装置,并运用此装置对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌进行了灭菌实验研究。通过对灭菌D值的比较发现大肠杆菌(革兰氏阴性菌)较之金黄色葡萄球菌(革兰氏阳性菌)易于灭杀。     

电感耦合等离子体源的研究进展

在简要回顾传统高密度等离子体源的基础上,重点介绍了新一代的低温高密度等离子体--电感耦合等离子体源(ICP)的放电机理,并结合最近的研究进展,系统分析了ICP的性能影响因素,总结了ICP目前存在的问题,展望了其应用前景.     

固体电子学中的等离子体技术

本文回顾了低温等离子体技术的现况,介绍了反应离子刻蚀在材料表面加工、清洗及SAW窄带器件调频等方面的应用.本文还对等离子体显影、阳极化、聚合及PCVD等作了简要讨论.因为低温等离子体技术具有省能、省料、污染少、设备简单等优点,其应用将日益广泛,这是一种对固体电子学有重要意义的技术.     

低温等离子体去除室内气态污染物的发展现状

本文介绍了室内气态污染物的来源和特点,阐明了等离子体的概念、存在状态以及分类,列举了低温等离子体的制备方法、部分化学反应的机理以及在去除室内空气污染物方面国内已取得的成果,并提出了今后需要进一步研究的问题。     

氮化铝薄膜的低温沉积

介绍了一种ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积AlN薄膜的新方法.在ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀Al靶,以低于80℃的衬底温度在Si衬底上沉积了AlN薄膜.结合样品表征和等离子体光谱分析,探讨了膜层沉积的机理,等离子体中活性氮物质的存在是Al-N化合的重要因素,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成.     

低温等离子体对光缆护套表面处理后印字效果浅析

本文简要分析了光缆护套表面标志在施工、维护中的重要性,给出了当前光缆表面喷码存在的一些不足之处,介绍了低温等离子体在高分子材料表面改性中的作用原理和特点,对比试验了光缆护套表面喷码标志的耐磨损性能,试验结果表明：经等离子体处理的光缆护套表面喷码标志的耐磨损性能明显优于未经等离子体处理的普通光缆.     

氮化铝薄膜的低温沉积

介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,等离子体中活性氮物质的存在是 Al- N化合的重要因素 ,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成     

几种制备非晶硅膜的新CVD技术

本文在介绍等离子体增强型CVD(PECVD)、光-CVD制备非晶硅膜的同时,首先概述了国内熟知并使用较多的低压CVD技术,其次简单地介绍了国外近几年报导的电子迴旋共振微波等离子体低温CVD(简称MPCVD)、CLT—CVD、均质CVD等技术制备非晶硅膜的状况及设备市场。     

一种高功率因数介质阻挡放电电源的设计

DBD电源是目前获取稳定的低温等离子体的主要手段，为了解决目前网侧功率因数偏低，输入电流畸变率较大等 问题设计了一种新型DBD电源。它主要由整流级、调压级、逆变级、高频高压变压器和等离子体放电管组成。首先介绍了电源的基本原理和工作方式，详细分析了三相 VSR的拓扑结构和控制策略，搭建实验平台验证了系统能够实现单位功率因数，且输入电流明显正弦化。最后DBD电源在放电管中发生了介质阻挡放电，产生了低温等离子体，证明电源设计的有效性。     

高频高压电源电晕放电研究

本文报告了一种高频高压电源，利用交直流叠加技术，产生高频快速上升沿的交流脉冲，满足产生低温等离子体的需求。实验表明，交直流叠加电源能够产生良好的低温等离子体     

等离子清洗技术(二)

文章对等离子清洗技术做了全面介绍,不仅介绍了有关等离子的基本概念、低温等离子体制备技术及其相关装置,而且着重介绍了它在精密清洗中的应用及其注意事项,指出等离子清洗技术在淘汰ODS清洗剂过程中能够发挥重要作用     

等离子清洗洗技术(一)

文章对等离子清洗技术做了全面介绍,不仅介绍了有关等离子的基本概念、低温等离子体制备技术及其相关装置,而且着重介绍了它在精密清洗中的应用及其注意事项,指出等离子清洗技术在淘汰ODS清洗剂过程中能够发挥重要作用     

常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶

介绍了一种新型的常压射频激励低温冷等离子体喷射装置,利用电流和电压探针研究了该等离子体的放电特性,利用热电偶研究了喷射出的等离子体束流温度,得到其放电与传统的真空室中电容耦合放电具有一致的特性.利用该等离子体装置在大气压下对AZ9918光刻胶进行了干法刻蚀实验,用电镜观察了刻蚀留胶前后硅表面的效果,研究了放电等离子体功率以及衬底温度对刻蚀速率的影响,在放电功率为300W时,得到刻蚀速率接近500nm/min.     

常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶

介绍了一种新型的常压射频激励低温冷等离子体喷射装置,利用电流和电压探针研究了该等离子体的放电特性,利用热电偶研究了喷射出的等离子体束流温度,得到其放电与传统的真空室中电容耦合放电具有一致的特性．利用该等离子体装置在大气压下对AZ9918光刻胶进行了干法刻蚀实验,用电镜观察了刻蚀留胶前后硅表面的效果,研究了放电等离子体功率以及衬底温度对刻蚀速率的影响,在放电功率为300W时,得到刻蚀速率接近500nm/min．     

低温等离子技术在空气净化领域的发展现状及其应用前景

空气是人类赖以生存的物质基础,因此空气质量的好坏与人们的生活健康息息相关。伴随着空气质量问题的日益突出,空气净化技术正受到越来越广泛的关注和重视。低温等离子体技术因为其低能耗、高效率、无二次污染等一系列优点,成为了空气净化技术中非常具有研究价值的一项多学科交叉技术。从低温等离子体在净化空气污染的作用机理出发,对目前国内外最新的低温等离子体的制造、污染物净化应用进行了总结,对比了各项技术的利弊,并在最后对低温等离子体技术在空气污染治理方面的前景做出分析和展望。     

面向三维集成的等离子体活化键合研究进展

三维集成技术已成为促使半导体芯片步入后摩尔时代的重要支撑。晶圆直接键合技术无需微凸点和底充胶填充工艺,依靠原子间相互作用力即可实现高密度与高强度互连,是三维集成发展的重要研究方向之一。其中等离子体活化作为一种高效的表面处理手段,是晶圆低温键合的关键。针对等离子体活化低温键合技术在半导体芯片同质或异质键合中的研究进展进行了综述,主要介绍了等离子体活化在硅基材料直接键合及金属-介质混合键合中的作用机理和键合效果,进而对该技术的未来发展趋势进行了展望。     

低温等离子体电源逆变电路的设计与实现

本文设计出了应用低温等离子体电源的逆变硬件电路,该逆变电路以C8051F系列单片机为载体,实现两路PWM波移相控制,产生幅值可调的高频交流电压,并且作为低温等离子体主电路电源使用。     

几种制备非晶硅膜的CVD新技术

在介绍光—ＣＶＤ制备非晶硅膜的同时，简要介绍国外近几年报导的电子回旋共振微波等离子体低温ＣＶＤ（简称ＭＰＣＶＤ）、ＣＬＴ—ＣＶＤ、均质ＣＶＤ等技术制备非晶硅膜的状况及设备市场     

ICP源MOSFET射频振荡器

介绍了ICP（感应耦合等离子体）C类射频振荡器的设计和调试结果.低温等离子体的应用已经非常广泛.以感应耦合方式将射频能量送入中性气体中激发等离子体,已经成为重要的等离子体源类型之一.传统的功率射频发生器大多使用电子管,体积大,也比较笨重.在射频发生器和等离子体装置之间需要设置射频传输线和匹配箱.以MOSFET代替传统的电子管作为有源器件组成的振荡器,体积很小,可以与等离子体源直接连接,省去了射频传输线和传输线终端的匹配箱.振荡器的频率为13.56 MHz,输出功率为200 W.试验结果达到了设计要求.     

用氧等离子体激活处理的低温硅片直接键合技术

针对在ＭＥＭＳ加工中所要求的低温键合,提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术。研究了低温ＳＤＢ的特性并得出了经过氧等离子体处理的硅片界面能比常规同条件的ＳＤＢ提高近１０倍的结论。最后详细探讨了其键合机理。