50μm/50μm精细线路制作探讨

随着未来手机及数码相机等3G/4G产品的轻、薄、小型化与多功能化发展趋势，线路的精细化程度逐步转向亚微观、微观的微米级尺度，线路的精密要求也大大提高。文章通过典型的三阶三压板的制作过程，从物料选择、设备选择、线路解析度、蚀刻均匀性控制、面铜均匀性控制、线路补偿等方面探讨50μm/50μm精细线路HDI板最佳制作方法，对细线路的制作有一定的参考价值。     

0.5μm光刻采用大数孔径i线步进机

采用几种实用ｉ线抗蚀剂０．４８ＮＡｉ线５×镜头具有０．５μｍ线间对成像能力，焦深大于１μｍ。这种镜头与０．４０ＮＡ的ｉ线镜头对比，０．４０ＮＡ的ｉ线镜头对于≥０．７μｍ的线间对图形具有较好的焦深，而０．４８ＮＡｉ线镜头对于〈０．４７μｍ的线间对图形具有较好的焦深，并且可将截止分辨率延伸到０．３５μｍ。并探讨了这种镜头吸热效应的相对不灵敏性和这种镜头内Ｈｅ气体的过压作用。假设模拟制作了０．５μｍ线间     

7.5μm像元间距红外探测器三维电极的制备与应用

采用现有读出电路电极生长设备和直写式光刻设备开发了三维电极的制备工艺。在制备过程中,首先在读出电路表面制备三维电极,在碲镉汞芯片端生长铟饼,然后通过倒装互连工艺可以实现7.5μm像元间距的1k×1k碲镉汞芯片与读出电路的互连。可变参数包括金属生长角度、生长速率、生长厚度以及金属种类等。经研究发现,通过该工艺制备的7.5μm像元间距的三维电极高度可达到3.8μm,高度非均匀性小于3%,可以经受7.6×10^-5 N的压力。三维电极的应用,降低了倒装互连工艺对HgCdTe芯片平坦度和互连设备精度的要求,大幅提高了7.5μm像元间距红外探测器的互连成品率。     

8μm～14μm长波红外相干辐射技术

8μm~14μm长波红外相干辐射在大气激光遥感与通信、高分辨分子指纹光谱及国家安全等诸多领域具有重要应用价值。概述了几种可获得8μm~14μm相干辐射的光源, 主要有CO₂气体激光器、半导体量子级联激光器、红外自由电子激光器、红外超连续谱光源和非线性变频中红外固体激光器等。分别介绍了不同技术的基本原理及国内外进展, 并分析比较了各自的优缺点、发展方向及应用适用范围。其中, 非线性变频中红外固体激光器具有8μm~14μm连续调谐, 可飞秒、皮秒、纳秒及连续波运转, 重频1Hz~GHz可调的突出优势, 且全固化结构、可靠性高、光束质量好, 将成为发展实用化与精密化长波红外相干辐射光源的最佳选择。     

0.25μm高精度T型栅制作工艺研究

基于双层胶i线光刻工艺,对0.25μm T型栅制作技术进行了优化,采用Relacs工艺处理方法缩短了栅长,满足了栅长精度要求,通过工艺优化解决了双层胶之间不同胶层间的互溶问题。通过优化制作流程,形成了工艺规范,解决了工艺中存在的一致性及稳定性差的问题,最终采用双层胶工艺制作成功形貌良好的0.25μm高精度T型栅。工艺优化结果表明,与其他0.25μm T型栅制作工艺方法相比,双层胶i线光刻工艺具有制作效率高和精度高的优点,基于其制作的T型栅结构有利于金属淀积和剥离,栅根及栅帽形貌良好,为GaAs及GaN 微波器件及MMIC制作提供了可靠的工艺技术。     

脉冲VCP电镀技术的发展与应用前景分析

垂直连续电镀线与脉冲电源的结合创造出一种新的印制电路板电镀设备,与传统龙门式脉冲电镀线或直流垂直连续电镀线相比,其较好的镀铜均匀性和深镀能力表现,在5G高端PCB产品的加工方面有较明显的品质和成本优势.文章结合市场调研和工厂实际应用数据,论述了脉冲VCP电镀技术的发展与应用前景,为PCB行业的电镀设备选型提供参考依据.     

基于数学模拟可视化解决电镀均一性问题

电镀是PCB产品的生产过程中的核心流程,而电镀的核心点在于控制板件在镀铜过程中镀铜的均一性,所以对电镀而言控制镀铜均匀性至关重要。我们基于数学模拟的方法找到一种控制解决电镀均一性的方法,该方法不但能解决龙门电镀、垂直连续电镀线体电镀过程中均一性的问题,而且基于数学模拟可视化从源头优化设计电镀线体设备,使电镀线体在不同环境使用下都具有最佳的均一性效果。基于数学模拟的方法还能设计优化电力线分布,从而解决电镀过程中由于电力线分布所引起的板件外观等问题。     

205.7μm底铜厚铜PCB板制作工艺开发

通过内外层多次蚀刻,使用特定的板料和叠层压板、运用特殊设计的钻刀钻孔、LINE MASK加正常印油的两次印油方式制作阻焊,确定在目前条件下制作内外层铜厚137.2μm~205.7μm的厚铜板的基本制作工艺。通过工艺开发确定目前能够制作最大底铜205.7μm的厚铜板。     

利用触摸面板光刻银胶实现20μm布线间距

正日本太阳油墨在"第三届尖端电子材料EXPO"(1月18～20日,东京有明国际会展中心)"上展出了用于静电容量式触摸面板布线材料的光刻银胶。该公司此次公开的布线图案样品实现了20μm/20μm线宽/线间距(L/S),电阻率为5.0×10—5Ω·cm。     

1.3μm固体激光器研究进展

1.3μm波段固体激光器在多领域均有着重要作用,本文介绍了近20年来国内外不同晶体材料输出1.3μm波段激光的研究进展,包括几种常用的晶体如YAG、YVO₄、GdVO₄以及其他晶体。通过分析认为,对新材料、新机制的探索与应用是未来1.3μm波段激光器的主要发展方向。     

高厚径比微小孔镀层均匀性改善研究

文章针对我公司垂直电镀线电镀高厚径比微小孔产品镀层均匀性不佳的状况,通过一系列实验分析,增加电镀前的处理方式提高了高厚径比微小孔产品的贯孔率,在阳极增加挡板,以及在浮架侧面进行开孔等改造措施,改善了电镀均匀性,使其均匀程度得到了提高。这有着较大的现实意义。     

有关电镀均匀性问题

主要对电镀均匀性的影响因素进行了分析,并提出了一些改善建议及控制措施等,为改善电镀均匀性问题提供一定的参考。     

PCB通孔镀铜添加剂

高厚径比小孔通孔电镀是PCB电镀铜的重要环节。文章将介绍一种在普通高酸低铜电镀液中加入一种吡咯与咪唑的含氮杂环聚合物的通孔电镀铜添加剂,经过通孔电镀和CVS实验结果,证明该电镀液对厚度与孔径比达到10:1的小孔(Φ=0.25 mm)的通孔电镀能力达到百分之八十五以上,具有很好的实用价值。     

电镀锡工艺成本的管理与改善

在印制电路板制程中,有采取图形电镀铜／锡,碱性蚀刻的办法形成线路图形;锡层仅仅是作为碱性蚀刻的保护层,在蚀刻形成线路后,用硝酸退锡剂将其处理掉。文章首先,从镀锡工艺的加工参数方面进行着手,结合碱蚀工序的加工特点,结合产品的设计特点,分析锡层合理厚度。其次,从电镀锡工艺的物料使用方面分析是采用锡球还是锡棒,哪种成本更合理,操作更简便,产品质量更有保证。     

不同浓度添加剂对铜镀层性能的影响

目前,随着集成电路规模的不断发展,传统的铝互连技术已由铜互连技术取代。铜的超填充主要采用Damascene工艺进行电镀。在电镀液中有机添加剂（包括加速剂、抑制剂和平坦剂）虽然含量很少,但对镀层性能的影响至关重要。本文以Enthone公司的ViaForm系列添加剂为例,研究了不同添加剂浓度组合对脉冲铜镀层性能的影响。     

Eutectic Sn-Ag solder bump process for ULSI flip chip technology

A novel eutectic Pb-free solder bump process, which provides several advantages over conventional solder bump process schemes, has been developed. A thick plating mask can be fabricated for steep wall bumps using a nega-type resist with a thickness of more than 50 μm by single-step spin coating. This improves productivity for mass production. The two-step electroplating is performed using two separate plating reactors for Ag and Sn. The Sn layer is electroplated on the Ag layer. Eutectic Sn-Ag alloy bumps can be easily obtained by annealing the Ag/Sn metal stack. This electroplating process does not need strict control of the Ag to Sn content ratio in alloy plating solutions. The uniformity of the reflowed bump height within a 6-in wafer was less than 10%. The Ag composition range within a 6-in wafer was less than ±0.3 wt.% Ag at the eutectic Sn-Ag alloy, analyzed by ICP spectrometry. SEM observations of the Cu/barrier layer/Sn-Ag solder interface and shear strength measurements of the solder bumps were performed after 5 times reflow at 260°C in N₂ ambient. For the Ti(100 nm)/Ni(300 nm)/Pd(50 nm) barrier layer, the shear strength decreased to 70% due to the formation of Sn-Cu intermetallic compounds. Thicker Ti in the barrier metal stack improved the shear strength. The thermal stability of the Cu/barrier layer/Sn-Ag solder metal stack was examined using Auger electron spectrometry analysis. After annealing at 150°C for 1000 h in N₂ ambient, Sn did not diffuse into the Cu layer for Ti(500 nm)/Ni(300 nm)/Pd(50 nm) and Nb(360 nm)/Ti(100 nm)/Ni(300 nm)/Pd(50 nm) barrier metal stacks. These results suggest that the Ti/Ni/Pd barrier metal stack available to Sn-Pb solder bumps and Au bumps on Al pads is viable for Sn-Ag solder bumps on Cu pads in upcoming ULSIs     

电镀震动器基础研究

电镀生产实践中,电震机制(振动器,Shock,超声波)在PCB电镀过程中对孔内和板面的气泡有很大的改善,对深镀能力的提升也有很明显的效果,再加上其安装简单、维护方便,因此在PCB电镀过程中,是一个很有用的工具。本文通过对电震机制进行基础探讨,并针对此设计进行改善、控制。     

应用于集成电路制造的电镀金工艺控制

介绍了集成电路制造中的电镀金应用、电镀金工艺流程、电镀金原理、电镀药水、电镀设备类型、电镀金工艺参数的控制以及金镀层的性能表现。     

Utilization of electroplating to lock fibers for use in opticaldevice packaging

An electroplating technique for permanently fixing single-mode fibers into position in optical device packages is described. In this technique, the fiber is mounted in a metal tube and aligned to an optical device mounted on a metal substrate. The fiber is in close proximity to the substrate and a flexible conductive gel is used to connect the two electrically. The fiber, gel, and substrate thus form the plating cathode. When immersed in a plating bath with an anode inserted, metal can be deposited across the gel, forming a strong metal bridge between the fiber and substrate, locking the fiber into position. Under appropriate conditions, misalignments within ±1 μm during the plating process have been observed. This technique was used to package a laser diode transmitter, which locked the laser-to-fiber alignment to within 0.7 μm, or 0.1 dB of the optimum coupled power     

3mm波段四次谐波混频器阵的研究

采用微带结构研制出3毫米波段8路四次谐波混频器阵。该混频器核心器件采用型号为MS8251的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对。设计了一种便于组阵结构的四次谐波混频器,把混频器分解为反向二极管对模块和双工器模块。反向二极管对模块和双工器模块电路分别设计和安装在厚度为0.127mm和0.254mm的RT/Duriod 5880基片上。实测混频器的最低变频损耗为17dB。