新型大功率快速换频全固化调幅广播发射机

近年来由于功率MOS场效应管技术的发展，各种功率调幅广播发射机真空管都可由固态器件代替。Nautel公司最近研制开发了一种新系列大功率AM发射机，在可靠性、冗余度、性能、广播中可维修性以及总效率等方面都是高水平的优于任何AM广播发射机。     

PDM全固态中波广播发射机的开发与应用

10kW以上大功率中波广播发射机的技术近3O年来发展很快，7O代末，随着半导体器件的发展，MOS场效应管的出现，射频功率合成技术的成熟和保护电路的不断完善，用功率合成方式研制的大功率全固态发射机其高效率和高可靠性博得用户的极大兴趣。PDM全固态发射机采用功率合成技术，用MOS场效应管作为最基本的功率器件，由多个基本功率单元进行功率合成的方式构成不同功率等级的整机。采用PDM脉宽调制技术的全固态中波发射机，整机效率可达75％以上。电声指标远优于电子管整机。SO年代后，上海市广播科学研究所在消化吸收了加拿大Nautel公…     

国外VMOS功率场效应管的解剖与分析

自从具有纵向导电结构的MOS场效应管问世以来,MOS场效应管在功率和频率特性方面有了很大的突破。目前功率MOS场效应管所能承受的电压和电流已能与大功率双极型晶体管相提并论。加上功率MOS场效应管本身具有的特色,比如:高输入阻抗、高功率增益、良好的热稳定性以及无二次击穿现象等等。这一系列的优点使得MOS场效应管在射频功率放大、     

MOS管故障诊断方法及分析

MOS管是全固态调频广播电视发射机功放模块的核心元器件。MOS管的放大能力及输出功率直接决定了发射机的输出功率，而发射机输出功率决定了发射信号的覆盖范围和接收场强的大小。功率放大单元是发射机维护检修工作的关键部位。掌握功放模块的MOS管故障诊断方法，有助于解决发射机功率放大器的故障，使功放模块正常工作。对于MOS管故障的诊断方法较多，各有优缺点，需要根据具体情况选择合适的方法进行故障诊断。对此，详细分析MOS管故障诊断方法、检测方法，为发射机维护人员提供一些参考。     

功率MOSFET的新进展

一、MOSFET发展回顾 功率MOS场效应管相对于双极功率晶体管的优点,已为世人熟知,已被许多用户接受。十年来世界晶体管市场,功率MOS管的份额,已从5％升至49.5％,本世纪末将占优势已成定局。     

基于功率MOS型场效应管的4 kV纳秒脉冲源

为了用固体开关器件替代国外氢闸流管,开展了大功率高速高压半导体固体开关及与其相配的高速高压组合电路研究。利用功率MOS型场效应管的开关原理,提出了对功率MOS型场效应管的栅极"过"驱动技术,提高了功率MOS型场效应管的开关速度,研制出基于功率MOS型场效应管的输出脉冲幅度大于4 kV,前沿小于10 ns,脉冲宽度大于100 ns的高压快脉冲驱动源。     

超高频大功率MOS场效应晶体管

尽管小信号用的硅 MOS 场效应晶体管已经大量生产和大量使用,但功率用的硅MOS 场效应管除了二、三篇报告以外还没有别的报道。高频大功率 MOS 场效应管所以出现较晚的原因,一方面是由于出自 MOS 场效应管的工作原理而使管芯面积增大,也就是说因为 MOS 场效应管的电流通路是在表面极薄的沟道层,所以为了流过大电流,管芯的面积就要增大,以取得电流通过的面积。同时,作为高频功率用的场效应管沟道长度要短,沟道宽度也要显著地加宽,就工厂生产技术水平而言,能否稳定地成品率较高地     

全固态中波发射机功放模块场效应管的更换方法

在使用场效应管作为功率放大器的全固态中波发射机中,由于场效应管长期处于大电流工作状态,又是在发射机功放模块内温度较高的环境下工作。因此,一段时间以后,有些场效应管将会因为种种原因出现故障,使全固态中波发射机总的功率输出减小,对三满播出影响较大。本文介绍在查明场效应管故障的情况下,如何更换故障场效应管方法。以我台东方明珠厂生产的,TS-01B型1kWPDM全固态中波发射机末级场效应管的更换为例进行说明。     

世界最大功率的全固态50千瓦米波电视发射机

东芝公司和东京广播系统公司联合研制的全固态50kW米波(VHF)电视发射机,具有系统简单,可靠性高和减少工作人员劳动强度的特点,它是目前世界上功率最大的全固态米波电视发射机。这种发射机的固体射频放大器系统包括40个外带电源的1.5kW图像功率放大器和10个外带电源的1.5kW伴音功率放大器。1.5kW功率放大器是采用最新设计的高可靠性和经济实用的功率放大器。设计中运用了最新电路技术,采用新型的MOS场效应管。     

功率半导体器件直流参数测试系统的研发

背景 介绍功率半导体器件应用非常广泛,是各种电子系统及仪器的基础,通常包括功率二极管、三极管、MOS场效应管、结型场效应管、可控硅等。目前,功率半导体器件应用单位涉及航天、航空、高等院校、电子研究所等诸多部门。其制造工艺及其设计水平较原来普通器件在功率上有了很大的提高,     

新型电源厚膜块STR-G8656简介

STR-G8656是日本三肯公司的最新厚膜电源集成电路。它内部集成了功率场效应管和控制器以及高精度的误差放大器。输出功率可达200W左右，具有启动电流小，功率MOS管雪崩击穿承受能力高的优点，适合用作25英寸、29英寸的大屏幕彩电。     

全固态广播发射机大功率场效应管的维护浅谈

广播发射机的全固态化技术发展依赖于大功率场效应管制造技术的突破,全固态广播发射机的功放级广泛地采用了金属氧化物半导体场效应管即:MOS-FET.固原市广播电视台引进的海纳公司1kW系列全固态广播发射机的功率放大器采用4块场效应管放大,引用先进的功率合成技术,使单台发射机实现kW级功率输出,本文结合该机运行5年来情况,阐述一下维护大功率场效应管的经验. 1 激励器 激励器是意大利RVR公司生产的30W原装激励器,可以在87.5～ 108MHz之间间隔0.01 MHz任选规定频率,直接频率合成,保证高质量的线性偏差和极小的失真;激励器具有驻波比保护电路,在驻波比高于要求或锁相电路失控时,无功率输出.     

SDB技术制备n／p材料及其在兼容电路中的应用

一、引言 近几年来,功率MOS场效应管及其集成电路的研究越来越引人注目。功率MOS管及其集成电路中最基本的单元是纵向双扩散结构(简称VDMOS)。对于VDMOS的制备,它的难点之一是要求高电阻率的厚外延层,这在国内尚属正在研究的课题。而硅片直接键合(Silicon—Wafer Directly Bonded,简称SDB)的最大优点是在于能较容易地制备这种材料。SDB制备n/p材料的方法来代替普通的外延,对推进功率MOS管的发展将有很大的促进作用。本文专题讨论用SDB技术制备n/p材料以及用SDB材料制备出性能满意的低压P沟器件和高压肖特基器件。     

集成电路中MOS管导通电阻测量方法

MOS管是一种常见的半导体功率器件,随着半导体产业的不断发展和进步,MOS管的各方面性能也得到大幅度的提高,被广泛应用于开关电源、节能灯、电源转换和电源控制等领域。在功率电路中,MOS作为一种多子功率开关器件,其导通电阻是至关重要的参数之一,会影响到应用电路的稳定性和功耗。因此在集成电路测试中对于MOS管导通电阻的精确测量显得尤为重要。对于MOS管导通电阻的测量做了详细分析,并介绍了两种可以准确测量MOS管导通电阻的方法。     

日立VT—747,VT757录像机电源电路分析与检修

日立VT—747与VT-757录像机配用相同的开关电源。该电路的特点是:1.采用功率MOS场效应管作为开关管,所需控制信号功率极小,且开关速度很快:2.电源自激频率的浮动范围为100～180kHz;3.采样信号由光电耦合器件反馈到次级,初次级间完全隔离;4.设置多种保护措施,包括初级场效应管的过流保护和负载短路保护。自激型反     

DX-600发射机功放模块故障判断与维护

【引言】DX—600中波发射机由三部200KW功率单元组成,分别称为PB1、PB2和PB3。每个功率单元有239个射频功放模块,其中等压功放模块220块,二进制功放模块4块,驱动模块14块,前置驱动模块1块,各模块电路相同,可以互换使用。每个功放模块有8个型号为IRFP360MOS场效应管组成全桥式的丁类放大器,具有输入阻抗高、输出功率大、开关速度快等特点。在维护过程中,我们通过不断     

“胆石结合”808S功放的制作

在胆机中,大多用多极束射低频功放管作功率放大一本文介绍一款用8085射频发信管制作的音频功率放大器,尽管是“大材小用”,但好用。808S射频发信管是直径为72mm球形管,功率大,性能稳定,一般用于高频功率放大,808S音频功率放大器的激励级采用性能优异的MOS场效应管,“胆石结合”,新颖别致。     

“Mega”场效应管

据美国RCA公司报导,该公司研制出了一种先进的MOS工艺,这种工艺使六角形单元紧密地组合在一块芯片上.采用此工艺已经批量生产了性能改进的新型功率MOS场效应管.采用称做“Mega FET”的工艺,RCA可以制造出每平方英寸具有一百万个单元的MOSFET,该公司还计划在明年制造出单元密度更高的器件.以前,封装密度被限制在每平方英寸50万个单元的范围内.现在在给定面积内单元数急剧增加,大大减小了功率MOS场效应管的源     

600V/5A场控横向光激双向可控硅开关

SIPMOS(西门子功率MOS)工艺,除用于制造MOS管外,还可制造集双极与MOS功能为一体的器件,如场效应管控制的三端双向可控硅光激开关。该器件有两个反并联的横向闸流管,采用纵向MOS管驱动,高灵敏的光电晶体管为MOS管提供栅压。横向闸流管通过互联的指型结构得以有效地利用芯片面积。 这种光激开关器件的芯片面积为4×4mm~2。正、反向阻断电压均高于600V,2mA的发光二极管(LED)电流即可触发开关,持续电流为5A,电流传输比达2500:1     

新型电导率调制场效应管

美国无线电公司综合MOS功率晶体管、双极型晶体管和闸流管的优点研制成功一种新型MOS场效应功率管,命名为电导率调制场效应管(COMFET),其芯片面积为120平方毫米. 新器件的导通电阻比MOS场效应管小一个数量级;当20安漏极电流流过器件时,测得其电阻小于0.1欧.它的前向截止电压达400伏,反向为100伏,因此