25μm Au丝引线键合正交试验研究

通过分析键合工艺参数,为25μm Au丝引线键合的应用提供实验依据。采用正交试验法对键合工艺参数进行试验研究。起决定性作用的是因素间的交互作用和劈刀的安装长度,其次为压力、超声功率、超声时间、热台温度、劈刀温度。各因素影响力大小为A>B>F>C>D>E,较优工艺方案为A_2B_2C_1D_2E_1F_1,回归模型为Y=13.124+0.731A-0.393B-0.057C+0.022D+0.013F。除以上主要影响因素,Au丝弧度也是需要考虑的。给进一步研究引线键合提供重要依据。     

混合集成电路金丝热超声球焊工艺及应用发展

混合集成电路工艺已成为今后电源和器件等微型化模块快速发展的关键瓶颈,在简要介绍内部引线键合技术的基础上,重点讨论HIC和MCM中广泛应用的直径25.4μm金丝热超声球焊工艺的技术特点、材料特性、工艺过程、工艺控制、工艺设计、目检要求、强度测试和应力试验,介绍了该工艺在近期的应用与发展.     

超细间距引线键合第一键合点工艺参数优化试验研究

引线键合是应用时间最长、技术最为成熟且目前市场占有率最高的芯片连接技术,但应用于超细间距引线互连还有许多技术有待研究.目前除了需要不断提高键合机硬件性能外,开发满足超细间距引线键合要求且性能稳定的键合工艺十分必要.本文对超细间距引线键合第一键合点质量的影响因素进行了深入的分析.采用正交试验法对相关因素进行了研究试验,取得了相应的试验结果,为深入了解第一键合点质量的影响机理和规律提供了依据.     

φ300mm/0.18μm的光刻工艺及设备

综述了３００ｍｍ／０１８μｍＣＤ对光刻工艺的要求以及光刻设备的发展。     

LTCC基板金丝热超声楔焊正交试验分析

引线键合是微组装技术中的关键工艺,广泛应用于军品和民品芯片的封装。特殊类型基板的引线键合失效问题是键合工艺研究的重要方向。低温共烧陶瓷(LTCC)电路基板在微波多芯片组件中使用广泛,相对于电镀纯金基板,该基板上金焊盘楔形键合强度对于参数设置非常敏感。文章进行了LTCC基板上金丝热超声楔焊的正交试验,在热台温度、劈刀安装长度等条件不变的情况下,分别设置第一键合点和第二键合点的超声功率、超声时间和键合力三因素水平,试验结果表明第一点超声功率和第二点超声时间对键合强度影响明显。     

基于正交试验的芯片堆叠封装引线键合工艺研究

选取0.2032 mm (8 mil)金线采用热压超声键合工艺进行烧球、拉力和线尾等一系列正交试验,分析各个键合参数对键合质量的影响。研究结果表明,最优的引线键合工艺窗口为键合温度180℃或190℃、键合功率35 mW、键合时间15 ms或20 ms、键合压力0.12 N、烧球电流3200 mA、烧球时间350μs和尾丝长度20μm。在影响键合质量的各因素中,键合功率和键合压力对键合质量的影响显著,过大的键合功率会引起键合区被破坏,键合强度降低,过小的键合功率因能量不足会引起欠键合,键合强度降低。过大的键合压力会引起键合球变形而导致键合强度降低,过小的键合压力因欠键合而导致键合强度降低。     

LTCC电路基板上金丝热超声楔焊正交试验分析

进行了LTCC基板上金丝热超声楔焊的正交试验,在热台温度和劈刀安装长度等条件不变的情况下,分别设置第一键合点和第二键合点的超声功率、超声时间和键合力三因素水平,试验结果表明第一点超声功率和第二点超声时间对键合强度影响明显。     

InSb红外探测器芯片金丝引线键合工艺研究

InSb红外探测器芯片镀金焊盘与外部管脚的引线键合质量直接决定着光电信号输出的可靠性,对于引线键合质量来说,超声功率、键合压力、键合时间是最主要的工艺参数。从实际应用出发,采用KS公司4124金丝球焊机实现芯片镀金焊盘与外部管脚的引线键合,主要研究芯片镀金焊盘第一焊点键合工艺参数对引线键合强度及键合区域的影响,通过分析键合失效方式,结合焊点的表面形貌,给出了适合InSb芯片引线键合质量要求的最优工艺方案,为实现InSb芯片引线键合可靠性的提高打下了坚实的基础。     

青山遮不住，毕竟“西”流去——看台湾0．18μm半导体技术将首次对大陆开放

2006年8月初，台湾“经济部”放出消息称将公布台商投资大陆的最新管理办法，其中，0．18um半导体技术将有望对大陆首次开放。该消息引起了业界的极大关注，更为台湾工商界热切期盼。8月10日，北京一家主流媒体报道，最快8月底，台商热盼的西进大陆政策解禁令将签出，而以台积电、力晶、茂德为首的一线芯片代工商将先行一步，集体登陆沪上。     

面向毫米波射频互联的超低弧金丝球焊工艺方法研究

引线键合工艺是实现毫米波射频（RF）组件互联的关键手段之一。随着毫米波子系统的快速发展,毫米波组件的工作频段越来越高,对射频通道互联金丝的拱高提出了新的要求。过高的引线弧度会使得系统驻波变大,严重影响电路的微波特性。球焊工艺由于引线热影响区的存在,难以满足射频互联中短跨距、低弧高的需求。采用弯折式超低弧弧形工艺,通过对25μm金丝热超声球焊成弧过程中各关键参数的优化试验,将热影响区折叠键合在第一焊点上,在保证引线强度的前提下,实现了300μm短跨距、80μm超低弧高的金丝互联,为球焊工艺在毫米波射频组件互联中的应用提供了实现思路。     

台湾有望年底前开放半导体0．18μm登陆大陆

来自中国台湾的消息，台湾工商时报周一报道，考虑到台湾半导体企业进大陆投资公司的市场竞争力，制程门槛将一并由此前的0．25μm进一步放宽为0．18μm。消息称，如决定放宽制程门槛，则已获准赴大陆投资的台极电等也将适用此项政策。力晶和茂德科技大陆投资建设Ф200mm厂方案也有望在12月中旬获得审议通过。     

10Gb／s0．18μm CMOS限幅放大器

采用SMIC0．18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb／s限幅放大器。该放大器采用了带有级间反馈的三阶有源负反馈放大电路。在不使用无源电感的情况下,得到了足够的带宽以及频率响应平坦度。后仿真结果表明,该电路能够工作在10Gb／s速率上。小信号增益为46．25dB,-3dB带宽为9．16GHz,最小差分输入电压摆幅为10mV。在50Ω片外负载上输出的摆幅为760mV。该电路采用1．8V电源供电,功耗为183mW。核心面积500μm×250μm。     

用于优化集成电路制造工艺条件的正交试验方法

本文采用正交试验方法，在原有设备和技术不变的条件下，用很少的试验次数，优化出一种汽车专用ＩＣ生产的最佳工艺条件；并找到了器件参数随工艺条件的变化规律，使该电路在大批量生产过程中，降低成本，提高了经济效益。该方法也可用于半导体新品ＩＣ试制工艺条件的优化。     

中芯国际应用安捷伦EDA软件提供0．18μm工艺全新设计工具集

中芯国际集成电路制造有限公司近日宣布其一套全新的ADS(高级设计系统)设计工具集投入使用，该工具集可帮助实现0．18μm技术工艺上的微波、射频、混合信号／射频、模拟及数字等集成电路的设计。该工具集包含了无源和有源元件，可应用安捷伦科技最新版本的ADS进行仿真。中芯国际此前与安捷伦科技密切协作，共同提高这套工具集在准确性与可应用性方面的性能，以提高设计精确性、高效性，以及缩短产品的设汁开发时间。     

0.35μm CMOS多晶硅栅刻蚀工艺研究

本文主要研究0.35μm CMOS多晶硅栅刻蚀工艺中“硅LOSS”及“T腰”问题的形成机理.在不改变产品工艺流程的前提下,对多晶硅栅刻蚀工艺进行优化,提出“两步ME法”优化了刻蚀形貌,改善了硅LOSS、T腰的问题.满足0.35μm CMOS多晶形貌及工艺要求,具有一定的理论指导和实际意义.     

基于1.55μm激光雷达的晴空风切变结构研究北大核心CSCD

晴空风切变是公认的航空危险天气。为了研究155μm激光测风雷达对晴空风切变的探测效果,利用激光测风雷达数据,结合自观系统实时风场数据,对2022年2月13日影响银川机场的晴空风切变过程进行详细分析。激光雷达探测结果表明风切变发生前高空偏北风有下沉特征,动量下传导致地面北风增强;此次风切变由东北风与西南风交汇形成,东北大风呈楔形从近地层嵌入,形成水平风切变,随后向西南传播影响机场跑道。预报员利用激光测风雷达可以提前15min对此次风切变进行预警。     

采用正交试验对光刻进行工艺参数优化

本文简要介绍了选用新型负性光刻胶RFJ-220替代RFJ-110的原因，以及采用正胶试验法，通过样品线宽／线间距比作为判断的方法来确定RFJ-220型负性光刻胶的最佳工艺参数的试验情况，为光刻工艺研究及使用打下了良好的基础。     

功率器件引线键合参数研究

引线键合作为芯片封装的关键工艺,其键合质量直接影响器件性能.功率器件普遍采用粗铝丝超声楔形键合,对芯片区域第一键合点和第二键合点键合工艺参数进行了系统研究,并以剪切力作为衡量键合质量的方法,采用单因子分析法,研究各个参数对键合点强度的影响,利用正交试验方法,确定最优参数,并比较两类键合点的差异,为该领域引线键合工艺参数...