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阐述了电子束曝光技术及电子束抗蚀剂在微电子器件制造中的重要性,着重介绍了电子束正性抗蚀剂P(MMA-MAA)的研制过程及为使之达到实用化所进行的各项研究及其结果和应用情况。 相似文献
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纳米光刻对于纳米电子学的研究与发展具有非常重要的意义。分子尺寸为0.7纳米且可发生电子束诱导聚合的富勒烯(主要是C60),可以作为电子束抗蚀剂,用于电子束纳米光刻,制作纳米级精细图形。这类抗蚀剂主要有三种类型:纯C60、、C60衍生物及C60与常用抗旬剂形成的纳米复合抗旬剂。介绍了这方面工作的研究现状、存在的问题及发展前景。 相似文献
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电子束抗蚀剂图形结构的倒塌与粘连 总被引:1,自引:0,他引:1
首先从实验现象出发,阐述了纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构发生倒塌与粘连的主要几何因素及其关系。除了结构的几何因素外,结合"Beam Sway"模型分析了抗蚀剂微细结构在制作过程中的受力情况。在上述工作的基础上,提出了克服纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构倒塌与粘连的相应措施。其中,通过实验验证了超临界CO2干燥技术对于电子束抗蚀剂ZEP520A用于制作周期200nm及150nm、深宽比超过4的光栅图形结构具有良好的效果。 相似文献
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现在刻蚀主要利用g线(436nm)和i线(365nm)来光刻。为了适应未来微细化的要求,正在研究超分辨刻蚀、短波长曝光的深紫外刻蚀以及电子束刻蚀(见图1)。本文就刻蚀所需要的抗蚀剂,特别是化学放大抗蚀剂的最新动向和今后的课题作以叙述。 相似文献
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在研究液体抗蚀剂受力分析的基础上,对液体抗蚀荆的甩胶原理,甩胶后抗蚀剂的液面形状、抗蚀剂涂层厚度与抗蚀剂黏度和马达转速之间的关系等进行了研究。结果表明,涂层表面形状为平面;随着马达转速的增加,涂层厚度逐渐减小;而随着抗蚀剂黏度的增大,涂层厚度却逐渐增大。在此基础上,以Epoxy618为液体抗蚀剂进行了甩胶实验,得出了不同黏度下的转速.厚度曲线,验证了研究结果的正确性。最后给出了3μm厚的液体抗蚀剂Epoxy618经SDS—Ⅱ型电子束曝光机曝光后固化所得线条的JXA-8800R电子探针图。 相似文献
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应用LB技术制备了厚度为20-100nm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)超薄高分辨率电子束抗蚀层。应用改装的日产S-450扫描电子显微镜(SEM),研究了PMMA LB膜的曝光特性和刻蚀条件。结果得到线宽0.15μm的铝掩模光栅图形,表明此种超薄膜具有良好的分辨率和足够的抗蚀性。 相似文献
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