新型亚纳秒切断半导体开关器件研制

介绍了一种新型亚纳秒切断全固态高功率脉冲开关器件,阐述了其工作机理。该器件利用器件体内等离子体特殊的恢复过程来完成电流的迅速切断。采用多层Si片叠加的制造工艺技术,单个器件反向工作峰值电压大于2 kV,电流切断时间小于800 ps,脉冲峰值功率可达80 kW。该器件具有易串并联、抖动小等优点。基于该器件制作的脉冲发生器具有体积小、可靠性高、使用寿命长、脉冲重复频率高、输出波形稳定等特点。当采用器件串联电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲。采用该器件制作的脉冲发生器在国防、医疗等领域具有广阔的应用前景。     

四硼酸锂在高频窄带滤波器上的应用探讨

该文采用四硼酸锂晶片制作了高频(1.1GHz)声表面波滤波器,插入损耗3.7dB,带宽3.8 MHz,带外抑制大于50dB。阐述了器件的设计及工艺过程,对晶片表面处理、器件制作、SiO2保护膜、器件的温度特性等进行了实验分析,并讨论了在器件设计中需考虑的因素。实验结果表明,采用干法刻蚀工艺能获得良好的叉指电极形貌。在器件表面加镀SiO2保护膜能提高器件可靠性及温度稳定性。     

四硼酸锂在高频窄带滤波器上的应用探讨

该文采用四硼酸锂晶片制作了高频(1.1GHz)声表面波滤波器,插入损耗3.7dB,带宽3.8 MHz,带外抑制大于50dB。阐述了器件的设计及工艺过程,对晶片表面处理、器件制作、SiO2保护膜、器件的温度特性等进行了实验分析,并讨论了在器件设计中需考虑的因素。实验结果表明,采用干法刻蚀工艺能获得良好的叉指电极形貌。在器件表面加镀SiO2保护膜能提高器件可靠性及温度稳定性。     

GaAs MESFET器件低频噪声机理的实验研究

本文介绍了GaAs MESFET器件低频噪声测量系统,以及该器件低频噪声的特点。在分析器件中低频噪声可能来源的基础上,首次采用高能电子辐照技术并结合变温噪声测量、变频C-V等方法,对器件低频噪声产生机理进行了实验研究。     

平面型光无源器件的制造技术

一、前言随着单模光纤传输系统的发展,单模光纤无源器件的需求将会增加。制造单模光纤无源器件的技术目前有二种。一种是在多模器件制造技术的基础上,进一步提高制造精度,制造出单模无源器件;另一种就是应用集成电路工艺,研制平面型的光无源器件。所谓平面型无源器件,是指采用铌酸锂等衬底材料,经沉积、光刻、扩散等集成电路工艺,并与单模光纤耦合而成的具有转换、波长分割复用或耦合等功能的无源器件。这种     

基于聚合物电介质的并五苯场效应晶体管

采用顶接触结构分别在SiO2、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)绝缘层上制备了以并五苯为有源层的两种有机场效应晶体管(OFET),其中SiO2绝缘层采用热生长法制备,PMMA绝缘层采用溶液旋涂法制备。与常规基于无机绝缘层的器件相比,采用聚合物为绝缘层后,不但器件的制作工艺简化和成本降低,而且器件性能大幅提高,经测试,器件的迁移率提到0.153cm2/Vs,而阈值电压降低6V。采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等对器件性能提高的原因进行了详细分析。     

千瓦级LDMOS大功率器件研制

<正>南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构,通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等,突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题,成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率器件。图1显示了所研制器件的芯片照片、器件照片     

4.4～4.8GHz 15W硅脉冲功率晶体管

硅微波功率晶体管具有功率大、可靠性好等优点,是非常重要的半导体器件,在电子设备中有着广泛应用,其典型应用主要在通信、雷达等领域。从性能上,该类器件一直向更高的频率和更大的输出功率两个方向发展,以满足更多的实际使用要求。南京电子器件研究所近期在φ1100mm硅圆片加工线上制作出4.4～4.8GHz15W硅脉冲功率晶体管。该器件在工作电压28V、脉冲宽度100μs、占空比10%时,全带内输出功率大于15W,功率增益大干7dB。该器件着重加强对芯片的微波性能设计.兼顾输出功率、功率增益、带宽、过激励、过饱和性能和抗失配抗烧毁能力等诸多因素进行芯片优化,并利用ISE软件对关键工艺进行工艺模拟设计和优化。器件采用NPN硅外延环台面梳状结构,发射极和基极线宽0.5μm。每个器件由5个芯片经匹配而成,总发射极周长42000gm。在工艺上采用了多层金属布线和0.5μm精细加工等先进工艺技术。在内匹配方面采取适当的措施减少管壳寄生参数对器件微波性能的影响,提高输出功率,展宽频带,从而最终实现了器件的频率和功率性能。目前在S波段频率以下的应用中,硅微波功率器件占优势,在C波段以上则主要采用GaAs器件。然而在脉冲应用中,GaAs...     

RF LDMOS功率器件关键参数仿真

在RF LDMOS功率器件中,击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件的关键参数,为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是相互矛盾和相互制约的。文中研究了几个参数之间的关系和优化方案。现在RF LDMOS功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠性以及脉冲应用等方向发展。所研制器件采用沟背面源结构,采用场板技术降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表明,在漏源工作电压6V、频率520MHz、连续波的测试条件下,输出功率达到5.6W,增益大于12dB,效率大于55%。     

小型宽带连续波行波管

微波系统的设计者经常处于困境,不得不使他的创造性仅限于反映现有可用微波器件的水平。显然,获得现有器件的功率、频率和频宽等方面的技术发展状况决定了整个系统所能达到的性能。用于此领域的器件通常不再是实验室的珍品,提交成批生产之前,必须对这些器件进行试验和分析,以确定其再生产的能力、成本和可靠性。此外,在系统定型之前就必须确定基本的设计原则:是采用固体器件还是采用电子     

与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟

采用工业标准 0 6 μmCMOS工艺设计了以反向击穿硅 p n结为基础的光发射器件 .讨论了该器件的光发射机理 .利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟 ,包括器件的正向和反向I V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等 .结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件 ,在光互连等领域具有广阔的应用前景.     

体积小重量轻的SiC微波脉冲功率晶体管

采用自主开发的工艺加工技术和设计方法,直接将两个微波SiC MESFET管芯在管壳内部进行并联,实现了器件在S波段脉冲状态下(工作频率2GHz,脉冲宽度30μs,占空比10%)输出功率大于30W、功率增益12dB、功率附加效率大于30%的性能指标。由于直接采用管芯并联结构,省略了内匹配网络,器件的体积和重量较以往的Si微波双极功率晶体管大为降低;采用高温氧化技术克服了传统MESFET工艺中PECVD介质产生较高界面态的不足,减小了器件的泄漏电流,提高了器件性能。器件的研制成功,初步显示了SiC微波脉冲功率器件在体积小、重量轻、增益高、脉冲大功率输出和制作工艺简单等方面的优势。     

与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟

采用工业标准0.6μm CMOS工艺设计了以反向击穿硅p-n结为基础的光发射器件.讨论了该器件的光发射机理.利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟,包括器件的正向和反向I-V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等.结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件,在光互连等领域具有广阔的应用前景.     

电视发射设备的发展动态

新一代电视发射机的设计特点,是以新一代的电真空器件和超高频大功率晶体管等新器件为基础,在电路组成上采用了中频调制技术、大功率固体化技术以及共同放大技术等新的系     

军品用塑封器件质量控制研究

塑封器件具有体积小、重量轻、易购买等优点,不可避免地被军工领域所采用。为保证军工产品质量,应针对塑封器件结构特点、主要失效机理及其质量现状,从采购渠道、入厂检验、贮存环境以及使用环节等方面入手,把控塑封器件的质量。     

采用LVDS实现成功通信的秘诀

低电压差分信令(LVDS)器件目前拥有多种版本可供选择.通常在同一系统中会共存不同版本的器件,这就造成了互操作性问题.在实际可用的版本中,设计人员可选择LVDS、基于总线的LVDS以及M-LVDS(多点LVDS)等不同器件版本.但这些器件是否可以在同一系统中协同工作呢?当设计人员在一个系统中混合采用不同技术时,应当解决哪些问题呢?结合采用相似却又不同的器件时,会有哪些限制呢?     

无损氦质谱检漏

用于集成电路的管壳,除在散热、电气性能和机械强度等方面应满足器件要求外,还要求尽可能密封。对气密性封装来说,密封性通常是可以保证的。然而由于零部件质量或工艺操作等种种因素,个别器件往往出现漏气。这种漏气的器件,在使用过程中由于周围气氛的侵入,从而引起器件性能的劣化甚至完全失效。从而大大降低了产品的可靠性水平。通常采用对器件100％进行潮湿试验的办法,淘汰因气密性不好而早期失效的器     

多晶硅薄膜晶体管自加热效应温度分布的有限元模拟

采用有限元方法模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下器件的温度分布．通过对器件沟道温度分布的稳态及瞬态模拟,研究了器件功率密度、衬底材料类型和器件宽长等关键因素的影响．确认了改善器件自加热退化的有效途径,同时有助于揭示多晶硅薄膜晶体管自加热退化的内在机制．     

《SPRITE红外探测器及其应用译文集》简介

《SPRITE红外探测器及其应用译文集》由中国兵器工业第211研究所根据搜集的国外最新文献资料组织翻译而成,计有SPRITE探测器论文、专利、技术报告等30余篇,内容包括SPRITE器件的机理、设计、制造工艺及系统应用。 SPRITE(Signal Processing in the Element)器件是一种新型的碲镉汞光电探测器。它与传统的探测器件不同,这种器件能在器件内部同时完成探测和时间延迟与积分两项功能,因而在简化电子学电路的复杂结构、简化探测器制造工艺、减小体积、降低成本诸方面均显示出独特的优越性。采用SPRITE器件的红外成像系统已在工业、农业、军事等领域获     

高亮度金刚石薄膜场发射荧光管的制作

利用微波等离子化学气相沉积法,制备出类球状微米金刚石聚晶薄膜作为场发射阴极材料。通过采用低熔点玻璃粉烧结工艺,从器件封装、器件烧结、器件排气和器件烤消等方面进行了探索和创新,实现了场致发射荧光管的高真空封装。综合采用这套技术,已经研发出的真空场致发射荧光管,在5.45 V／μm电场下,光的亮度达到了11 000 cd／m2。为将来设计制作矩阵寻址场发射平板显示器件奠定了基础。