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用Sol-Gel方法制备了三种SiO2凝胶,并以此制造了多孔SiO2厚膜湿度传感器。其电容量-湿度关系呈开关特性,转变点约在85%RH。 相似文献
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厚二氧化硅光波导薄膜的制备 总被引:2,自引:1,他引:1
随着光通信的飞速发展,Si基SiO2平面光波导集成器件的应用更加重要和广泛。在Si基上制备高质量的厚SiO2薄膜,是制作SiO2光波导及其集成器件的基础。本文介绍了Si基厚SiO2薄膜的几种制备方法。 相似文献
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多孔硅制备工艺的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
多孔硅的发光性能与其制备工艺密切相关,本文着重讨论了阳极氧化技术、表面再处理、硅衬底的电学性质等因素对多孔硅质量的影响,给出了合适的工艺条件。 相似文献
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设计了多孔硅电致发光器件,讨论了工艺条件对器件I—V特性影响。试验中已观察到微弱的电致发光。认为利用多孔硅制备可见光发光器件是可行的。 相似文献
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利用有效折射率法分析了Ge0.05Si0.95/Si脊形光波导的光场分布,得到了这种光波导在传输单模时内脊高b、外脊高h和脊宽W的合理取值,还为其它光波导器件的设计奠定了基础。 相似文献
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本文叙述了多孔硅的制备、多孔形态层的形成机理,以及多孔硅的光致发光现象和理论解释,并且讨论了目前存在的一些问题。 相似文献
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对当前硅光集成技术的热点、制备大断面低传播损耗单模脊形光波导进行了三维理论模拟设计。脊的上覆盖层是空气(大折射率台阶,非对称情况)或纯硅层(对称情况),均能得到符合实际的模拟结果。改变脊形光波导的高宽几何尺寸或折射率分布值,模拟结果呈现单模、双模或更高阶模的电场分布及光强分布。用相应条件指导硅脊形光波导的实际制备,实测结果表明模拟结果是准确的。 相似文献
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详细讨论了两种新的多孔硅发光机制理论(无序Si网络结构和聚硅烷/氢化物发光)以及相应的实验支持。通过分析多孔硅的各种发光机制和多孔硅微结构研究,作者认为多孔硅不是仅有一种发光机制,不同的微结构和成分构成会产生不同的发光机制,其中量子限制效应和聚硅烷/氢化物发光是受到较多实验支持的,分别有微结构和成分决定的发光理论。 相似文献
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本文较详细地描述了多孔硅的电致发光(EL),以及发光的量子限制效应的机制,并且讨论了目前已经制备出的几种多孔硅发光二级管:Ps/电解液型,Schot-tky-Like,PN结等二极管。最后,讨论了多孔硅作为半导体光电材料所存在的一些问题。 相似文献
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碳化硅材料的特性,制备及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文概述了宽禁带半导体碳化硅的电学特性、结晶多型体和能带结构,较全面地总结了碳化硅晶体的生长方法和薄膜制备工艺,并对其主要应用也作了扼要的介绍。 相似文献
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介绍了用阳极氧化腐蚀形成多孔硅的工艺,并分析了它的微结构,实验测定了多孔硅光致发光谱(PL),由PL谱的峰值位于可见光区,不同于Si的带隙能量;用纳米量子限制效应(Q-CE),解释了多孔硅中进入量子线中电子和空穴能量增量为ΔEc和ΔEv,于是多了孔硅有效带宽成为E=E。+ΔE。而E。是Si的带宽为l.08eV,ΔEc和上ΔEv分别为h2/4meq2和h2/4mhq2,由此计算与实验结果一致。 相似文献