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镁合金微弧氧化陶瓷层表面的电泳成膜机理 总被引:2,自引:0,他引:2
研究镁合金微弧氧化(PEO)陶瓷层表面的电泳成膜机理;分析工艺参数对复合膜层耐蚀性的影响.采用扫描电镜、示波器和盐雾试验机等分别研究复合膜层的表面和截面形貌、电泳过程中电流变化规律及腐蚀防护性能.结果表明:在电泳成膜过程中,微弧氧化陶瓷层微孔处被击穿,电泳回路产生电流,电泳漆带电粒子先在微孔处沉积,然后向周围移动并沉积,当电流降为0时,电泳过程结束.随着陶瓷层厚度和粗糙度的增加,陶瓷层被击穿时间延长,电泳漆粒子沉积时间缩短.微弧氧化陶瓷层的腐蚀速率是微弧氧化/电泳涂装复合膜层的6.286倍,说明镁合金微弧氧化陶瓷层经电泳处理后,其耐蚀性得到了显著的增强. 相似文献
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采用等离子体电解氧化技术在铝硅合金表面制备了陶瓷层,电解液为磷酸盐系列.利用轮廓仪、SEM和XRD对陶瓷层的粗糙度、形貌和相组成进行了研究.结果表明,PEO处理过程可分为4个典型阶段.随处理时间延长,陶瓷层的厚度近似线性增长,表面缺陷增大增多,粗糙度显著增加,达到9.5 μm.PEO处理初期只生成γ- Al2O3,一定时间后α-Al2O3出现,其相对含量逐渐增多. 相似文献
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采用等离子体电解氧化(PEO)工艺在Mg-9Gd-3Y镁合金表面制备了复相陶瓷层。通过微观结构分析及电化学测试技术研究了PEO陶瓷层的微观组织及腐蚀行为。结果表明,偏铝酸盐体系中PEO法制备的陶瓷涂层主要由MgO和MgAl2O4相组成,还有少量MgF2相,其中MgAl2O4尖晶石相约占陶瓷层的19.87%,且由非贯通的等离子体放电微孔与喷射沉积复相氧化物组成。浸泡初期,PEO陶瓷层表现出较好的耐蚀性;浸泡后期,陶瓷层腐蚀电流密度Icorr逐渐增大,陶瓷层电阻Rct快速减小,144 h后陶瓷层的保护能力迅速下降,且陶瓷层表面出现点蚀及裂纹萌生;浸泡过程中,交流阻抗谱由浸泡0~72 h的两个容抗弧转变为浸泡144~300 h的单容抗弧和感抗弧组成,表明腐蚀介质已渗透整个陶瓷层,并萌生点蚀。腐蚀产物主要由Mg(OH)2相组成。陶瓷层的腐蚀主要由等离子体放电微孔开始,逐渐向四周蔓延并形成放射状裂纹而加速腐蚀。 相似文献
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LY12铝合金微弧氧化膜层的形成与生长机制 总被引:6,自引:0,他引:6
在硅酸钠电解液中利用交流脉冲微弧氧化电源对LY12铝合金进行表面处理,研究微弧氧化初期成膜和后期生长膜层的微观结构差异,探讨铝合金微弧氧化陶瓷层的形成与生长机制。结果表明:初期成膜过程中发生电化学沉积反应,形成电解液中溶质元素的氧化物,增大铝合金表面的阻抗值;后期生长过程中,基体铝与OH-放电所产生的活性氧发生化合反应,形成Al2O3陶瓷层,溶质元素消耗极少;铝合金样品表面获取的预制备膜重新参与陶瓷层的生长,可明显缩短微弧氧化起弧时间、降低起弧电压,同时提升击穿电压的稳定值。 相似文献
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采用ZrO_2溶胶改性的等离子体电解氧化(PEO)技术在Al-12.5%Si合金表面制备Al_2O_3-ZrO_2陶瓷层,研究ZrO_2溶胶对PEO陶瓷层形成机制的影响。采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、红外光谱仪(FTIR)和激光粒度仪等研究了ZrO_2溶胶的微观组织结构、粒径及荷电性以及陶瓷层的微观形貌、成分及物相。结果表明:荷负电的ZrO_2溶胶粒径为50~60 nm,烧结后以四方相t-ZrO_2存在,含有少量m-ZrO_2。ZrO_2溶胶改性的PEO涂层较未改性的涂层均匀、致密,并且生长速率提高。由于ZrO_2溶胶吸附在基体表面形成凝胶层,凝胶层的高电阻使PEO初期更易产生火花放电,促进了Al_2O_3膜的形成。ZrO_2溶胶改性的PEO涂层由Al_2O_3、c-ZrO_2、t-ZrO_2和少量的SiO_2组成,而溶胶改性前SiO_2的含量较高。ZrO_2凝胶颗粒在等离子体放电产生的高温下进入放电通道,与电化学反应形成的Al_2O_3烧结形成Al_2O_3-ZrO_2复合陶瓷层。 相似文献
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目的研究不同电压、电流和氧化时间下,钽表面微弧氧化陶瓷层的生长机理与耐磨性能的变化。方法通过微弧氧化技术在钽金属表面制备陶瓷层,并采用扫描电子显微镜观察陶瓷层的表面形貌,采用摩擦磨损试验仪对陶瓷层的摩擦学性能进行研究,探讨放电电压、放电频率、氧化时间对陶瓷层摩擦系数的影响。结果在电压400 V、频率1000 Hz、氧化时间20 min条件下获得的陶瓷层表面质量最好;在电压350 V,频率1000 Hz,氧化时间10 min条件下获得的陶瓷层耐摩擦性能最好。结论对钽金属表面进行微弧氧化处理,可以显著降低钽金属表面的摩擦系数,提高耐磨性能。 相似文献
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为描述等离子体电解氧化(PEO)过程中单个弧光放电通道内部及周围温度场分布,构建圆柱形放电通道模型.采用高速摄像机和概率统计方法,测定铝合金PEO膜层生长典型阶段弧光放电的弧斑密度及通道尺寸等特征参数:通过计算单个弧光的延迟寿命(140 μs)以及能量,获得模型参数.采用Ansys软件模拟单个弧光放电通道内部及周围温度场分布,计算得出弧光通道中心温度超过2×104K,从传热学角度解释了PEO陶瓷层中γ-Al2O3和α-Al2O3的生成过程以及陶瓷层微结构的形成原因. 相似文献