太阳能级多晶硅生产工艺及污染防治措施

本文通过分析太阳能级多晶硅的生产企业生产工艺和环境污染环节的相关情况,探讨其污染环节产生的废弃物数量、种类以及排放量,对由此产生的环境污染程度和影响做出准确的预测,并提出相对应的环保措施和对策。     

无机化学中最小自由能原理的教学

针对无机化学教学中经常出现学生对最小自由能原理理解有误的问题,文章借助物理化学的相关知识,用浅显易懂的语言解释了该原理。其关键是对吉布斯自由能变(ΔG)和摩尔反应吉布斯自由能变(ΔrGm)两个不同概念的正确区分。     

太阳能级多晶硅生产工艺研究现状

介绍了改良西门子工艺、强化FBR联合碳化物工艺、混合工艺、新硅烷工艺和卤化硅的热分解或歧化工艺,并分析了每种工艺的流程及特点。     

化学反应自发性判据的反例推导

文章结合常见的化学反应实例,采用反例推导的方式,逐项引出影响化学反应方向的因素,经过综合,最后给出准确的化学反应自发性判据公式。通过具体案例引起学习兴趣,并采用反例法加深同学们对判据因素的印象,以期达到知其所以然的教学效果。     

化学热力学分析中短缺组分概念的应用问题

本文从吉布斯自由概念的定义出发，指出了ΔＧ、ΔＧＴ在热力学分析中的使用条件。本着准确，直观，便利的应用原则，提出了应用于化学热力学分析中的短缺组分概念，并给出了这一概念的应用实例。     

硫酸燃烧炉燃烧反应热力学分析

本文应用吉布斯自由焓最小化方法建立了宝钢化工二期硫酸装置中硫酸燃烧炉酸性气体复杂燃烧反应体系的模型,并进行了热力学分析。结果表明,燃烧温度越高,出口三氧化硫的平衡浓度越低,而硫和NOx的生成呈升高趋势,但硫的生成更主要取决于酸性气体与空气的混合效果和气体在燃烧炉中的停留时间。     

我国多晶硅生产工艺有了革命性进步

11月18日,河北英利集团对外宣布,旗下六九硅业有限公司多晶硅一期项目首次采用新硅烷法生产多晶硅,使我国多晶硅生产工艺有了革命性的进步。     

电子级多晶硅生产技术分析

电子级多晶硅是电子工业生产中的重要内容,在现代工业生产中的应用比较广泛.电子级多晶硅生产企业需要加强对产品质量的保障,提升工业生产效率,优化生产工艺.从我国当前电子级多晶硅生产技术开展情况来看仍然存在很多的不足,需要进一步对电子级多晶硅的生产技术进行改良,促进我国电子工业的稳定发展,提升工业生产效率.主要对电子级多晶硅...     

电子级多晶硅的清洗液选择

对于电子级多晶硅产品而言,其质量判断的关键在于材料表面金属杂质含量情况。就目前来看,当前电子级多晶硅为去除附着在表面的金属杂质,一般都采取以酸为主的清洗工序。通过妥善选择清洗液来控制电子级多晶硅表面金属杂质含量,以提升产品质量。基于此,本文就围绕电子级多晶硅,对其清洗液选择展开重点探讨,并分析影响电子级多晶硅清洗质量的因素,以供参考。     

电子级多晶硅生产技术探讨

介绍了目前国内外电子级多晶硅生产技术的发展状况,重点说明了改良西门子法电子级多晶生产技术原理及其工艺流程,主要包括:氢气制备及纯化、氯化氢合成、低压氯化(三氯氢硅合成)、低温氢化(四氯化硅转化)、精馏、CVD还原、尾气回收和后处理等工序。结合电子级多晶硅生产技术的成功工程应用实践,介绍了电子级多晶硅项目的技术特点。     

电子级多晶硅生产技术

电子级多晶硅是多晶硅经过高度提纯所获得的一种材料,广泛应用于高纯硅制品,是人类现代高科技所不可缺少的一种原材料。而随着人类科学技术的发展,对于原材料质量和纯度的要求也不断提升,对此,也产生了对于电子级多晶硅生产技术的探讨。以全球发展技术状况的阐述作为基础,充分探讨了当前能够获得高质量、高纯度电子级多晶硅的相应生产技术。     

制备太阳能级多晶硅的工艺研究进展

太阳能级多晶硅的制备工艺分为物理法和化学法两大类。物理法包括造渣提纯硅法、利用热交换定向凝固提纯、利用电磁感应等离子技术提纯、CP法等,其中CP法生产的太阳能级多晶硅的纯度接近于化学法。但要生产纯度大于6N的多晶硅,仍需要采用化学法。目前常用的化学法有三氯氢硅氢还原法、硅烷热分解法、四氯化硅氢还原法等。三氯氢硅氢还原法又称改良西门子法,是化学法制备太阳能级多晶硅的主流工艺,不足之处是耗能大、污染严重、运行成本较高。     

工业硅生产过程的热力学分析与优化

为了优化现有矿热炉碳热还原炼硅工艺,提高工业硅的产出量,利用热力学软件HSC,基于平衡常数法,对二氧化硅碳热还原制取工业硅的反应过程进行了热力学计算,并用HSC软件的化学反应平衡模块模拟分析了在煅烧的石英石和碳质还原剂中添加碳化硅对反应的影响.通过软件模拟,分析加入SiC作为原始物料后,不同物料配比对硅产出率的影响.结果表明:在煅烧的石英石和碳质还原剂中添加适量碳化硅可以促进反应的进行,以SiO2、SiC、C为炉料,当输入摩尔比为m(SiO2/C/SiC)=3∶1∶2时,硅产出量相对最高.     

电子级多晶硅生产中氯硅烷精馏工艺的设计和优化

比较目前多晶硅生产中氯硅烷精馏的国内传统工艺和引进国外工艺;通过研究和借鉴,结合专家意见并进行模拟计算,设计和优化氯硅烷精馏工艺;简化流程,降低能耗,减少精制三氯氢硅中的杂质,从而提高多晶硅产品的品质。     

氟硅酸钠制备多晶硅研究进展

本文概述了多晶硅的用途、重要性和主要研究方法,重点介绍了采用氟硅酸钠制备多晶硅的方法,该方法由于能耗低、污染小将是具有良好发展前景的太阳能级多晶硅制备方法.论述了氟硅酸钠制备多晶硅的研究进展与存在的难点,并提出了要实现制备太阳能级多晶硅产业化需解决的问题.     

噻吩水热裂解平衡计算及反应过程分析

采用乘子法,结合Gibbs自由能最小的概念,计算注蒸汽热采地层条件下,噻吩水热裂解反应体系的平衡组成.根据实验数据和计算结果分析反应过程,认为噻吩水热裂解过程中发生了水解、热解、加氢脱硫、加氢饱和及水煤气转换等反应.平衡计算结果表明,当水/噻吩摩尔进料比小于4时,提高进料比有利于脱硫,并生成更多气体;提高反应温度、降低反应压力有利于提高气体产量,但不利于脱硫.当水/噻吩摩尔进料比大于4时,噻吩平衡转化率达100%,温度、压力、进料比对平衡组成的影响很小.     

我国改良西门子法和冶金法多晶硅生产的现状

太阳能的开发和研究成为目前清洁能源的发展的主要方向之一。阐述了改良西门子法的生产技术现状和生产技术存在的问题;高纯多晶硅新生产工艺—冶金法的现状,提出冶金法制取太阳能级多晶硅与工业硅生产有效结合的措施。     

等离子体裂解煤制乙炔碳-氢体系的热力学平衡分析

碳-氢多相多组份体系的化学反应平衡组成可用Gibbs自由能极小化法求得. 计算表明：把C-H体系视为单相体系是不合理的，只有在多相体系下的计算结果才是真正意义上的热力学平衡组成，两种体系在生成乙炔的最佳温度范围和平衡组成两方面都有较大的差别. 得出C-H体系中生成乙炔的最佳温度范围是3400~3800 K的高温区域.     

西门子法生产多晶硅过程中尾气的分离及综合利用

综述了多晶硅生产过程中尾气的分离方法,经过精馏分离后副产物中SiHCl3、HCl和H2可循环利用。并介绍了SiCl4和SiH2Cl2的处理方法,通过分析前人所做的结果发现:副产物SiCl4可用锌还原法进行处理,这样就形成西门子法与锌还原法相结合生产多晶硅的合理方法,既能降低成本,又能回收利用SiCl4,且能完全闭路循环;SiH2Cl2可用来进一步制备多晶硅。