不同相结构Cu－Zn合金脱锌腐蚀的正电子寿命研究

测量了α、β、γ、ε四种单相Ｃｕ－Ｚｎ合金脱锌腐蚀前后的正电子寿命谱．发现脱锌腐蚀速率与材料腐蚀过程中产生的非平衡空位的体积百分比有正变关系．进而时Ｃｕ－Ｚｎ合金脱锌腐蚀的微观机理进行了讨论。     

铝中注N^＋后氮化铝的合成及Cu杂质偏析的研究

＜１００＞Ｓｉ衬底上淀积厚度为７００ｎｍ的铝薄膜（铝中含０．８５ｗｔ．％的Ｃｕ）．以剂量为４．３×１０１７－１．５×１０~（１８）ｃｍ~（－２）４００ｋｅｖＮ＿２~＋或３５０ｋｅＶＮ~＋的注入到铝薄膜中或铝和硅的界面。用扩展电阻测试．背散射和沟道技术以及红外光谱分析研究氮化铝的形成和Ｃｕ杂质在铝薄膜中的深度分布变化．扩展电阻与背出射分析证实了符合ＡｌＮ化学计量比的绝缘层的形成．红外分析说明此绝缘层具有ＡｌＮ的特征吸收峰（６５０ｃｍ－１）．Ｎ＋注入引起的点缺陷导致了Ｃｕ杂质向氮化铝中的偏析．     

不同P含量DZ17G合金的正电子寿命谱

用下电子湮没技术研究了不同Ｐ含量的ＤＺ１７Ｇ合金的电子寿命谱，结果表明，当合金中Ｐ含量≥０．０３ｗｔ％时，形成金属键的自由电子密度明显下降，其缺陷浓度明显增加，从而使合金力学性能下长，当Ｐ含量≤０．０１５ｗｔ％时，合金的体电子浓度变化不大，对合金性能影响较小，认为从不同Ｐ含量对合金缺陷组态和电子结构的影响出发，控制ＤＺ１７Ｇ合金Ｐ含量≤０．０１５ｗｔ％是必要的。     

44GeV或18GeV ^12C离子轰击Cu靶或Pb靶时中子产额的研究

用ＣＲ－３９迭层探测器测量了４４ＧｅＶ或１８ＧｅＶ１２Ｃ离子轰击Ｃｕ靶或Ｐｂ靶时中子产额与入射粒子能量以及靶核质量的关系。当入射能量由１８ＧｅＶ增至４４ＧｅＶ时，Ｃｕ靶的中子产额增大２．１２±０．１９倍，Ｐｂ靶的中子产额增大２．０４±０．１５倍。Ｐｂ靶和Ｃｕ靶中子产额之比在４４ＧｅＶ和１８ＧｅＶ分别为２．５４±０．２０和２．５６±０．２０。     

^68Ge—^68Ga发生器的研制—硅胶柱上^68Ge与Ga,Cu,Zn的分离

测量了硫酸介质中Ｇｅ在硅胶上的分配比及Ｇａ、Ｃｕ、Ｚｎ在硅胶上的吸附。研究了硫酸浓度、Ｇａ浓度及原始溶液中Ｇｅ载体量对Ｇｅ分配比的影响。实验结果表明：用１０ｍｍ×３０ｍｍ硅胶柱，上柱料液为５０ｍＬ０．４μｇ／ｍＬＧｅ－０．２８ｍｏｌ／ＬＧａ－９ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４溶液，淋洗液为３０ｍＬ９ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４，流速为０．８５ｍＬ／ｃｍ２·ｍｉｎ时，Ｇｅ的穿透率为０．３９％，Ｇａ、Ｃｕ、Ｚｎ的去污系数分别为１．８×１０６、５．０×１０６、２．６×１０６。     

乳腺癌和乳腺增生症患者头发中钙及其他微量元素的初步研究

用２３８Ｐｕ源激发Ｘ射线荧法测定３２例乳腺癌和１０５例乳腺增生症女性患者头发中Ｃａ及Ｓｒ，Ｐｂ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ等９种微量元素含量。与５５例正常成年女性头发中微量元素相比，发现乳腺增生症组中的Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ和Ｃａ含量显著下降（ｐ＜０．００１），其他元素无显著差异；乳腺增生症组中的Ｓｒ、Ｍｎ、和Ｃａ含量明显下降（Ｐ＜０．０１），而Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｒ含量显著升高（Ｐ＜０．０５）；乳腺增生症组中的Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ和Ｔｉ含量明显下降而（Ｐ＜０．０５－Ｐ＜０．００１）。     

YBa2Cu3—xSnxOy超导体系的正电子寿命谱研究

研究了Ｓｎ作Ｃｕ位元素替代的ＹＢａ２Ｃｕ３－ｘＳｎｘＯｙ超导体系（ｘ＝０－１．５）的正电子寿命谱，计算了局域电子密度和缺陷浓度的变化，发现了存在于高浓度替代区域（ｘ＝０．８－１．０）的正电子湮没特征，讨论了对超导电性的影响以及相应的物理机制。     

YBa_2Cu_（3－x）Sn_xO_y超导体系的正电子寿命谱研究

研究了Ｓｎ作Ｃｕ位元素替代的ＹＢａ２Ｃｕ３－ｘＳｎｘＯｙ超导体系（ｘ＝０－１．５）的正电子寿命谱，计算了局域电子密度和缺陷浓度的变化；发现了存在于高浓度替代区域（ｘ＝０．８－１．０）的正电子湮没特征；讨论了对超导电性的影响以及相应的物理机制。     

模拟非α中低放废液大体积浇注水泥固化的可行性研究

本文对在我国高放废液分离流程中产生的中低放非α废液的大体积浇注水泥固化,在实验室小试条件下进行了可行性研究。结果表明,经浓缩、脱硝及中和处理后,非低α中放废液可用大体积浇注水泥固化进行处理和处置。推荐的固化配方为：水灰比１．０￣１．１,盐灰比０．１８￣０．２０,及占水泥重量０．５％（ｗｔ）的水泥高效缓凝减水剂。固化体第４２ｄＣｓ的浸出率为１０＾－３￣１０＾－５ｃｍ／ｄ,Ｓｒ的浸出率在３．１×１０＾     

两种聚乙烯材料中的电子束辐照剂量分布测定---优化辐射加工工艺的一种实验方法

利用电子静电加速器和高频高压电子加速器,在１．０～３．０ＭｅＶ能量范围内,测定了两种聚乙烯材料中的剂量深度分布;比较了ＡＩ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｐｂ４种衬底金属板,对受辐照材料吸收剂量深度分布的影响;考察了材料中吸收剂量的边界效应。吸收剂量测量的总不确定度为７．８％。优化电子束辐射加工工艺是实现辐照产品质量控制的一种有用的实验方法。     

Bi_2Sr_2CaCu_2O_（y－x）F_x超导体的正电子寿命研究

室温下测量了Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ－ｘＦｘ超导体的正电子寿命和掺Ｆ量的关系．结合临界温度Ｔｃ的测量．研究了Ｆ在样品中替换Ｏ的位置．以及由此引起的样品电子结构的变化．研究表明．当ｘ＝０．４时．Ｆ主要替换Ｓｒ－Ｏ面的Ｏ．并使Ｓｒ－Ｏ面的电子向Ｃｕ－Ｏ面和Ｂｉ－Ｏ层迁移。     

掺Pb超导体（Bi2—xPbx）Ca2.5Nd0.5Cu2O8＋y的正电子寿命研究

室温测量了（Ｂｉ２－ｘＰｂｘ）Ｃａ２．５Ｎｄ０．５Ｃｕ２Ｏ８＋ｙ超导体的正电子寿命与Ｐｂ含量的关系。在２２１２相发现随着Ｐｄ含量的增加正电子体寿命相应地减小，分析表明，这是由于Ｐｂ替换了Ｂｉ，使电子从Ｃｕ－Ｏ面或其它晶位迁移到Ｂｉ－Ｏ层，并导致Ｂｉ－Ｏ层电子密度增加所致。     

低本底反康普顿HPGe γ谱仪的调试

本文报道的低本底反康普顿ＨＰＧｅγ谱仪．ＨＰＧｅ探测器对￣（６０）Ｃｏ的１３３２ｋｅｖγ射线的相对探测效率为３８．３％．能量分辨率为１．７７ｋｅＶ。在阱型反符合屏蔽下．对放在探测器端面的￣（１３７）Ｃｓ点状薄膜源的峰康比可达６８５．８：１；测量时间１００ｍｉｎ．置信度９５％时．￣（１３７）Ｃｓ点源的最小判断限为１．１２ｘ１Ｏ￣（－４）Ｂｑ。在物质屏蔽和阶型反符合屏蔽下，在５０～２１５２．８ｋｅＶ能区的积分本底为０．３４３ｓ￣（－１）。与无反符合屏蔽时相比，压缩系数大于４．５．对￣（１５２）Ｅｕ体源，谱仪积分非线性为０．０２７％。     

CR-39核径迹探测器的标定试验

采用５０ＭｅＶ／ｕ＾１２Ｃ离子对ＣＲ－３９核径迹探测器进行了标定,初步获得拟合公式ＶＴ＝Ｃ·ＬＥＴＣＲ－３９＾α斜率Ｃ为０．００８３（μｍ／ｋｅＶ）＾１．４８５５μｍ／ｈ）,指数α为１．４８６５。     

中子活化分析法测定热中子诱发^235U裂变中^135Cs的产额

应用裂变反冲法和中子活化分析法测定了热中子诱发＾２３５Ｕ裂变中＾１３５Ｃｓ的裂变产额，主要研究内容包括：＾２３５Ｕ靶的制备，反冲捕集装置的设计加工；用Ａｕ作为中子监测器监测＾１３５Ｃｓ活化时的中子注量率，＾１３７Ｃｓ和＾１３６Ｃｓ的放化分离和测量，以＾１３７Ｃｓ的裂变产额主标准得到＾１３５Ｃｓ的裂变产额值为（６．３４±０．４６）％。     

低放废水蒸残液的水泥固化

本文报道了低放废水蒸残液的水泥固化基础配方及其固化体性能的研究结果。结果表明，水泥浆的流动度、初凝时间均随水灰比、盐灰比的增大而增大，抗压强度则随其增大而降低。推荐的两个固化配方流动度达０．２０ｍ以上，固化体抗压强度大于９ＭＰａ，４２ｄ时总β和（１３７）￣Ｃｓ累积浸出分数在无添加剂时分别为（１．９—２．４）×１０￣（－１）和（１，５—２．４）×１０￣（－１）ｃｍ；添加１５％（ｗｔ）斜发沸石（剂灰比＝０．１５）时分别为７．２×１０￣（－３）和１．０×１０￣（－２）ｃｍ。     

D301—DHDECMP树脂对锕系和镧系元素吸附性能的研究

研究了锕系元素Ａｍ３＋和镧系元素Ｅｕ３＋、Ｎｄ３＋在Ｄ３０１－ＤＨＤＥＣＭＰ树脂上的交换容量、吸附速率及溶液酸度对分配比的影响，并对Ｄ３０１－ＤＨＤＥＣＭＰ树脂吸附Ｅｕ、Ｎｄ前后的红外光谱图作了分析和比较。实验表明：Ｄ３０１－ＤＨＤＥＣＭＰ树脂和ＤＨＤＥＣＭＰ萃取剂在ＨＮＯ３介质中均对锕系和镧系元素具有较强的吸附能力。分配比随着溶液中硝酸浓度的增加而增加，在ＨＮＯ３浓度大于８ｍｏｌ／Ｌ时，分配比有所回落；到１０ｍｏｌ／Ｌ时，再随酸度升高而上升。Ｄ３０１－ＤＨＤＥＣＭＰ树脂对Ａｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｎｄ３＋具有很好的吸附动力学性能，在１ｍｉｎ内即可达到吸附平衡。在酸性介质内对Ｅｕ、Ｎｄ的交换容量分别为０．２８、０．２２ｍｍｏｌ／ｇ干树脂     

人发中微量元素与某些呼吸系统疾病关系的研究

用仪器中子活化法测定了正常人和慢性支气管炎,肺气肿,肺心病患者头发中Ｃａ,Ｍｇ,Ｆｅ,Ｓｅ,Ｃｕ,Ｚｎ等１９种元素的含量。测得患者发中Ｃａ,Ｍｇ含量低于正常人,Ｆｅ,Ａｓ,Ｃｏ等含量高于正常人;慢性支气管炎急发期患者发中Ｃａ,Ｍｇ含量低于缓解期患者,Ｆｅ含量高于缓解期患者,均有显著性差异（Ｐ＜０．０５－０．０１）。人发Ｃａ与Ｍｇ呈高度正相关（Ｐ＜０．００１）。还测定了用于治疗慢性支气管炎的中药“咳     

ICP—AES法测定陶瓷UO2燕块粉末标准物质中Al,Ba,Co,Ta,Ti和V

采用２３７季铵萃淋树脂和萃取色谱分离技术，在６．５ｍｏｌ／ＬＨＮＯ３介质中定量分离陶瓷ＵＯ２芯块粉末标准物质中铀与待测杂质元素。用ＩＣＰ直读光谱仪同时测定流出液中Ａｌ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｔｉ和Ｖ。分析结果均在标准值的置信区间内，相对标准偏差ｓｒ〈７．５％。ｂｃ ｓｕ ３００ｍｇ时，测定下限为（０．０１６－０．２５０）×１０＾－６。     

500kW考验回路水中F－和Cl－离子的低压离子色谱分析

建立了用低压离子色谱法测定水中微量Ｆ－和Ｃｌ－离子的新方法．该方法快速、简单、准确。Ｆ－和Ｃｌ－离子的检测限分别为０．００５μｇ／ｍＬ和０．０１μｇ／ｍＬ，相对标准偏差分别为１．７％和３．６％，回收率分别为９８％和１０３％．该方法特别适用于５００ｋＷ回路水中微量Ｆ－和Ｃｌ－离子的快速同时测定