光学微细加工技术的发展和我所的历史使命

<正> 光学微细加工技术的飞速发展 目前,世界微电子器件正朝着高集成化、高功能化和高可靠性的理想境界发展,不断缩小图形线宽,增大晶片尺寸,采用新的设计结构,从而导致微细加工设备更新速度加快。半导体工业的附加值和技术含量正不断移向微细加工领域,设备的作用越来越重要,半导体设备工业已成为向整个半导体     

移相掩模技术及其发展前景

移相掩模技术的出现和在高密度微电子器件研制中的成功应用,是近几年来光学微细加工技术发展的最主要成果。本文在具体介绍移相掩模基本原理、结构工艺改进以及最新应用成果的基础上,展望了光学微细加工技术的发展前景。并指出,在大力研制高性能实用步进曝光设备的同时,重点研究移相掩模或移相光刻技术,已成为迅速改变我国光学微细加工技术落后面貌的必由之路。     

光学微细加工设备及工艺的进步与微电子技术的高速发展

本文根据多年来光学微细加工技术的发展情况评述了光学微细加工目前及未来在微电子产业中的战略地位。并对光学微细加工设备涉及到的关键技术进行了系统分析。最后,作者从行业角度出发,就如何高速高效发展我国的光学微细加工技术提出了几点建议。     

微光刻与微/纳米加工技术

介绍了微电子技术的关键工艺技术——微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与微/纳米加工技术面临的挑战与需要解决的关键技术问题,并介绍了光学光刻分辨率增强技术、下一代光刻技术、可制造性设计技术、纳米结构图形加工技术与纳米CMOS器件研究等问题。近年来,中国科学院微电子研究所通过光学光刻系统的分辨率增强技术(RET),实现亚波长纳米结构图形的制造,并通过应用光学光刻系统和电子束光刻系统之间的匹配与混合光刻技术及纳米结构图形加工技术成功研制了20～50nm CMOS器件和100nm HEMT器件。     

微/纳米级微电子机械系统制造新技术

论述了微电子机械制造中的主要技术,包括表面微细加工、体微细加工、光刻-电铸-注塑(LIGA)、硅直接键合技术等,并讨论了这些新技术在MEMS产品中的应用前景.     

微细加工设备与工艺的发展研究

阐述了发展微细加工设备是发展微电子产业的基础和先行。微细加工设备在军事上的应用、光刻制版和光学制版设备的技术突破及发展趋势。     

激光直写系统制作掩模和器件的工艺

激光直写系统是国际上９０年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用，可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺，并给出利用激光直写工艺做出的一些掩模和器件的实例     

MEMS加工技术及其工艺设备

微电子机械和纳米技术的研究覆盖了亚微米到纳米尺寸的特征范围,它主要依靠光刻和图形转换设备和工艺获得,但又不仅限于半导体加工范畴。光学光刻设备、感应耦合等离子体刻蚀,金属的溅射涂覆,金属的等离子体增强CVD、介质隔离、掺杂注入、粒子柬微写设备和X射线源可以看作MEMS和纳米技术的机械加工手段,其各有独具的优势限制。现正被用于定制的MEMS器件到真空微电子器件和新颖的纳米工具的研究与开发应用。抗蚀剂喷涂技术为复杂形貌的MEMS器件光刻提供了高均匀性作图的厚胶基础。对于MEMS技术进入产业化的主要技术瓶颈-MEMS封装技术研究与开发已成为当今世界各国关注的热点。同时,对于MEMS器件的测试技术的研究,目前在国际上也引起了高度的重视。     

光刻技术在微细加工中的应用

介绍光刻技术中的曝光设备与技术,光刻工艺及工艺控制在集成电路微细加工中的应用。     

电子束曝光技术发展概况

电子束曝光技术是近30年来发展起来的一门新兴技术,它集电子光学、精密机械、超高真空、计算机、自动控制等近代高新技术于一体,是推动微电子技术和微细加工技术进一步发展的关键技术之一,电子束曝光技术已成为一个国家整体技术水平的象征。先进的电子束曝光机主要用于0.1～0.5微米的超微细加工,甚至可以实现纳米线条的曝光。电子束曝光技术广泛地应用于高精度掩膜、移相掩膜及X射线掩膜制造;新一代集成电路的研究及ASIC的开发;新器件、新结构     

光刻技术在微电子设备的应用及发展

介绍了光刻技术在微电子领域的应用，具体分析多种短波长光刻技术的最新进展，并对在0．1μm之后用于替代光学光刻的下一代光刻技术的发展趋势作了展望．     

光刻技术在微电子设备的应用及发展

介绍了光刻技术在微电子领域的应用,具体分析多种短波长光刻技术的最新进展,并对在0.1μm之后用于替代光学光刻的下一代光刻技术的发展趋势作了展望。     

采用梯形棱镜波前分割的激光干涉光刻技术

光学光刻技术在微细加工和集成电路(IC)制造中一直是主流技术。随着IC集成度的提高,要求越来越高的光刻分辨力,但光学光刻的分辨极限受光刻物镜数值孔径(NA)和曝光波长(λ)的限制。激光干涉光刻技术具有高分辨、大视场、无畸变、长焦深等特点,其分辨极限为λ/4,在微细加工、大屏幕显示器、微电子和光电子器件、亚波长光栅、光子晶体和纳米图形制造等领域有广阔的应用前景。阐述了激光干涉光刻技术的基本原理。提出了一种采用梯形棱镜作为波前分割元件的激光干涉光刻方法。建立了相应的曝光系统,该系统可用于双光束、三光束、四光束和五光束等多光束和多曝光干涉光刻。给出了具有点尺寸约220nm的周期图形阵列的实验结果。     

21世纪及1999年微电子技术展望

展望２１世纪及１９９９年微电子技术的发展。认为２１世纪初的微电子技术仍将以硅基ＣＭＯＳ电路为主流工艺,但将突破目前所谓的物理“限制”;集成系统将取代目前的集成电路得以迅速发展;微电子技术将与其它技术结合形成一系列新的增长点,微光机电系统（ＭＯＭＥＳ）、ＤＮＡ芯片等将得到突飞猛进的发展。１９９９年的微电子技术交城超微细光刻技术、铜互连及低ｋ互连绝缘介质,高ｋ栅绝缘介质、ＳＯＩ技术、ＧｅＳｉ和ＧａＮ技     

激光在微电子器件制造中的应用

本文简要综述激光辅助的加工技术在微电子器件制造中的应用,包括激光修复电路和掩模、激光制版、激光光刻,以及激光直接投影作图加工等情况。值得注意的是,作为微细加工关键设备的以准分子激光器为光源的分步重复光刻机近年来有了突破性进展,达到的分辨率为0.5～0.25μm,视场约15mm×15mm,能对Φ200mm的硅片以每小时十几片的生产率进行光刻,这已为生产16M DRAM(动态随机存储器)作好准备。     

微光刻与微/纳米加工技术(续)

<正>2下一代光刻技术虽然光学光刻技术为微电子技术突飞猛进的发展立下了汗马功劳,创造了一次又一次的人间奇迹,然而目前集成电路特征尺寸也越来越接近物理极限。为开发研究新一代的光刻技术,近年来世界     

微电子机械系统的研究进展

本文从微电子机械系统（MEMS）的基本加工技术和MEMS器件等方面介绍了MEMS的发展过程;综述了国内外MEMS加工技术,特别是新型MEMS器件与系统方面的最新研究进展,介绍了欧美日等发达国家和我国为MEMS的发展所作的努力,提出了“只有产业界及时介入才是中国MEMS研究的唯一出路”。     

组装EUVL实验设备研究的最新成果

1 前言先进微电子器件加工中,投影光刻不断地获得越来越小的极限尺寸。为了克服光衍射的限制,已经设计出具有较大数值孔径和较短工作波长的先进光刻机。到2007年工作波长将缩短到13nm左右的极紫外(EUV)波长。     

《微纳电子技术》征稿启事

<正>本刊收录微/纳米电子器件与技术、纳米材料与纳米结构、MEMS器件与技术、显微、测量、微细加工技术与设备方面的研究论文,同时兼顾微/纳米技术的推广与应用。考虑到微电子技术将在很长时期内与纳电子技术并存,本刊从2007年起增设微电子器件与技术栏目。     

《微纳电子技术》征稿启事

<正>本刊收录微/纳米电子器件与技术、纳米材料与纳米结构、MEMS器件与技术、显微、测量、微细加工技术与设备方面的研究论文,同时兼顾微/纳米技术的推广与应用。考虑到微电子技术将在很长时期内与纳电子技术并存,本刊从2007年起增设微电子器件与技术栏目。