氧化锌压敏陶瓷及其粉体的制备现状与展望

本文综述了目前氧化锌压敏陶瓷发展的动态,并着重介绍了氧化锌粉末的制备,同时提出了今后的研究方向。     

氧化锌压敏陶瓷及其粉体的制备现状与展望

本文综述了目前氧化锌压敏陶瓷发展的动态，并着重介绍了氧化锌粉末的制备，同时提出了今后的研究方向。     

氧化锌压敏陶瓷及其粉体的制备现状与展望

综述了目前氧化锌压敏陶瓷发展的动态，并着重介绍了氧化锌粉末的制备，同时提出了今后的研究方向。     

氧化锌压敏陶瓷研究现状

本文论述了氧化锌压敏陶瓷的用途和发展趋势,以及压敏陶瓷的原理、配方和制备工艺,并着重讲述了纳米氧化锌压敏陶瓷粉末的制备。     

氧化锌压敏材料研究与发展进展

本文简要回顾了ＺｎＯ压敏陶瓷的历史，阐述了ＺｎＯ压敏陶瓷的特点以及当前ＺｎＯ压敏陶瓷基础性研究的现状，最后对其进展进行了展望。     

掺杂Fe2O3对氧化锌压敏陶瓷压敏特性的影响

本文研究了分别掺杂微量Fe2O3杂质对ZnO压敏陶瓷的压敏特性的影响。研究结果表明:随Fe2O3掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷的压敏电压V1 mA和非线性系数先下降,后升高,最小值出现在Fe2O3摩尔掺杂量为1.00%;并从理论上详细地探讨了产生这些影响的原因。     

氧化锌压敏陶瓷材料介电性能的研究

通过实验对ＺｎＯ压敏陶瓷元件的介电特性进行了研究,在微观结构的基础上导出晶粒间界的电容公式,与由实验作出的Ｃ－Ｖ曲线,两者基本一致,提出了控制压敏电阻器固有电容的方法,在理论的指导下,采用适当的配方和工艺,可以制得介电性能良好的适应不同要求的压敏电阻器。     

ZnO压敏陶瓷的非线性功能添加剂

本文采用单元掺杂与多元掺杂的方法，系统研究了几种过渡金属氧化物添加剂在控制ＺｎＯ压敏陶瓷非线性方面的作用，并根据金属阳离子外壳层电子结构稳定性和缺陷化学反应进行了分析，认为阳离子具有不饱和外层电子结构且半径与Ｚｎ＾２＋离子相近的过渡金属氧化物能改善ＺｎＯ压敏陶瓷非线性。     

氧化铟对ZnO压敏陶瓷压敏特性及微观结构的影响

用粒度为０．１－０．３ｍｍ的氧化锌偻末为原料，制得了氧化锌压敏陶瓷片，研究了Ｉｎ２Ｏ３掺杂对其压敏特性和微观结构的影响。结果表明；这种氧化锌粉末具有很高的烧结活性，适合作低压压敏电阻器。     

氧化锌在特种陶瓷中的应用

氧化锌是一种白色粉末,受热易变黄,冷却后又恢复白色。其晶体属六方晶系、纤锌矿结构,溶于酸、碱及氯化铵溶液,不溶于水和醇,易分散在橡胶和乳胶中,是天然橡胶、合成橡胶的补强剂、活化剂,也是白色胶料的着色剂和填充剂,在玻璃、医药、涂料、化学电源、彩色显     

Fe2O3在ZnO压敏陶瓷中的作用

研究了Fe_2O_3对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。试验表明,Fe_2O_3添加的摩尔含量小于0.1％能提高ZnO压敏陶瓷的非线性和压敏电压;但当其添加量大于0.1℃时,非线性急剧下降;Fe_2O_3添加量大于1％时,压敏电压下降。通过X射线衍射等微观分析,认为过量Fe_2O_3使ZnO压敏陶瓷非线性下降的原因主要是由于Fe_2O_3与ZnO在晶界处形成了具有低电阻率(ρ=10~2Ω·cm)的尖晶石相ZnFe_2O_4     

Er2O3掺杂ZnO压敏陶瓷的制备及其电学性能

研究了Er₂O₃掺杂对ZnO–Bi₂O₃–Sb₂O₃–Co₂O₃–MnO₂–Cr₂O₃–SiO₂压敏陶瓷微观结构和电学性能的影响。Er₂O₃掺杂后,部分Er固溶于富Bi相中,对ZnO压敏陶瓷的晶界特性和电学性能产生了较大影响。随着Er₂O₃掺杂量从0.09%(质量分数)增大到0.35%,样品晶界电阻率不断减小,漏电流密度不断增大,双Schottky晶界势垒高度和非线性系数先增大后减小,击穿场强不断增大;当Er₂O₃掺杂量为0.27%时,所得ZnO压敏陶瓷非线性系数达到54.4±1.5,击穿场强为(470.1±2.8) V·mm^–1,漏电流密度为(1.9±0.1)μA·cm     

ZnO压敏陶瓷导电机理的发展与掺杂氧化物的作用

近２０年来，有关ＺｎＯ压敏陶瓷研究方面的报道很多，本文从ＺｎＯ压敏陶瓷的导电机理及掺杂氧化物的作用方面进行了综合评述。     

掺杂Fe2O3对氧化锌压敏陶瓷微结构的影响

利用正电子湮没辐技术测试ZnO压敏陶瓷符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱,研究了分别掺杂微量Fe2O3杂质对ZnO压敏陶瓷微结构的影响。研究结果表明:随Fe2O3掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷的漏电流和Doppler展宽的商谱谱峰先升高后降低,掺杂量为1.00%出现最大值。     

烧结温度对低压ZnO压敏陶瓷显微结构及电性能的影响

利用ＸＲＤ，ＳＥＭ等技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－ＴｉＯ３系低压压敏电阻材料的相民及显微组织，并对不同烧结温度下的电性能进行了研究。结果表明，在１１５０－１２００℃范围内，可通过改变烧结温度调材料的压敏电压值，而材料的非线性系数ａ变化不大。     

氧化锌压敏陶瓷材料高能低压化机理的研究

本研究了氧化锌压敏陶瓷材料元件高能低压和优非线性化的机制；分析了热处理对元件能量容量等性能的影响；研究了Al2O3添加剂对元件电性能的效应，并研制了一种具有较好电性能的低压氧化锌压敏电阻元件。     

掺杂TiO_2制备低压ZnO压敏陶瓷

主要研究了晶粒助长剂TiO2、烧成条件等对ZnO低压压敏陶瓷电性能的影响。结果表明:TiO2的掺入能显著促进晶粒生长,降低压敏电压V1mA,但掺入量超过一定值后一方面会生成阻止晶粒继续生长的晶界反应层,促使压敏电压又有所升高,另一方面会生成钛酸铋立方相而引起富铋晶界相含量的减少,导致非线性特性下降。提高烧成温度可以促进晶粒生长,降低压敏电压,但温度过高时由于铋的挥发加剧,利用提高烧成温度降低压敏电压会引起非线性特性和漏流等性能的劣化。     

氧化铟对ZnO压敏陶瓷压敏特性及微观结构的影响

用粘度为0．1～0．3mm的氧化锌粉末为原料，制得了氧化锌压敏陶瓷片，研究了In_2O_3掺杂对其压敏特性和微观结构的影响、结果表明：这种氧化锌粉末具有很高的烧结活性，适合作低压压敏电阻器。当烧结温度一定（1240℃）时。阀值电压Vc随着In_2O_3含量的增高而增加，其原自是由于In_2O_3含量的增加，在高温时烧结体内In_2O_3的分解量增加，从而使烧结体中的孔隙率增加。导电性降低。     

TiO2压敏陶瓷的研究

本文研究了Nb2O5和Sb2O3施主掺杂对TiO2瓷的半导化和电客一压敏复合功能特性的影响。施主掺杂的最佳量是0．5mol％。结果表明，Nb2O5掺染能较大的降低TiO2瓷的电阻率和提高其介吃常数。掺杂Nb2O5或Sb2O3的TiO2瓷，均呈现优升的吃工一屯流的非域性失系，具有较低的初始电压，低的泄漏屯流和校大的非线性系数。     

氧化锌变阻器陶瓷

介绍了用于制作变阻器的氧化锌陶瓷,阐述了含不同掺杂添加材料的非欧姆性状机理,并分析了材料性状与其结构的关系。