一种可制作任意纳米图形的新技术

提出一种可制作纳米量级任意微细结构图形的新方法。该方法利用特别设计制作的原子束计算全息片来操纵原子运动,在基底堆积形成纳米图形;弥补了原子光刻技术中利用激光驻波场控制原子堆积只能制作单一量子点、线等周期性图形的不足。扼要介绍了原子束全息的基本原理,给出该项技术的实现方案,并进行了模拟研究。结果显示:当原子波长为12nm时,得到了占空比1∶1的50nm线条、60nm方孔以及1郾2μm×1郾2μm大小的汉字图像,表明该技术不仅可以制作点、线等规则图形以及像拐角线这样的周期性图形,还可以制作不规则的非周期性的任意图形,特征线宽均能达几十纳米。     

操纵原子束的激光系统研究

重点分析了操纵原子束进行纳米结构加工中激光系统的设计特点 ,包括激光器件的选择、发射功率与激光波长等参数的确定。用其结论设计出了焦距 1 93 .3mm ,F/ # =1 .9,λ =0 .67μm的扩束准直光学系统和缩束倍率 1 0×的缩束光学系统。研究结果表明 ,该系统可以通过控制原子实现纳米图形制作 ,并且具有使用方便、寿命长、成本低的优点。     

原子束全息技术制作任意微细图形研究

从波粒二象性原理出发，研究了用氖原子束计算全息技术制作任意纳米结构的基本原理和方法，克服了用激光梯度场控制原子堆积，只能制作单一点、线等周期性纳米结构的不足。分析讨论了原子全息与光学全息的区别，指出只有经激光冷却的原子束才满足全息技术所要求的相干条件和衍射条件。最后采用罗曼Ⅲ型迂回位相编码方法设计了氖原子束计算全息片，介绍了操纵氖原子束制作纳米任意结构的实验系统。     

激光驻波透镜聚焦原子束制作超微细图形研究

介绍将原子束激光准直技术和驻波聚焦沉积技术用于制作纳米级图形的基本原理和实验系统设计，研究了驻波透镜对原子束的聚焦特性，数值结果显示在原子束高度准直的情况下，原子束在置于焦平面处的基底上所沉积的条纹半高宽为l0nm左右，可以实现纳米级超微细图形的制作。     

韩国开发出大量生产纳米粒子的新技术

汉城大学工业学院应用化学系教授玄泽焕领导的研究小组,在实验中首先加热由铁原子和氯、水分子组成的原料物质,分离出作为纳米粒子核的铁原子。然后,使二次分离出的铁原子附于第一次分离出的铁原子表面,便制成了纳米级粒径的粒子。如果变换原料物质,则可制作出由锰、钴和锌原子组成的纳米粒子。该研究小组在2～3h通过一个完整工序制作出了总重量达40g、粒径约10nm的磁性氧化铁微粒,制作成本仅为250韩元(1美元约合1050韩元)。以前用传统方法通过一个完整工序只能生产几g同规格的纳米粒子,生产成本却达10万韩元以上。据研究人员测算,如果将上…     

Cr原子在高斯型激光驻波场中汇聚沉积的仿真研究

在激光汇聚原子束沉积纳米光栅的研究中,半经典理论是一种简单而有效的方法。利用半经典理论模型,对Cr原子在高斯型激光驻波场中的汇聚沉积进行了模拟分析和研究。通过龙格－库塔法数值模拟出在不同失谐量Δ、激光功率P、Cr原子束的横向纵向速度、基片摆放位置zf和高斯光束束腰ω0条件下,Cr原子沉积光栅结构的变化,根据所得各光栅图形参数,分析了不同因素对Cr原子沉积的影响。     

激光准直铬原子束三维仿真分析

为了获得高准直度的中性铬原子束,设计了一个由三组激光束组成的激光准直场对高温铬原子束进行准直。应用蒙特卡罗随机方法模拟实际状态下原子的初始状态,更好地体现了实际状态中原子运动的不确定性以及原子同位素对实验的影响。以原子在激光准直场中的受力情况为依据,定量分析了实际状态中性铬原子束在激光准直场作用下的运动特性,及其在三维空间的运动轨迹和原子落点状态的三维分布。研究显示,经准直后铬原子束在 x 方向最大发散角减小至1．5 mrad,y 方向最大发散角减小至1．6 mrad,且原子通量提高至准直前的两倍。研究结果不仅为实验提供了更详尽的数据资料,更为后续制作更精确的纳米光栅和纳米点提供了更理想的冷原子束。     

纳米压印技术进展及应用

半导体加工几十年里一直采用光学光刻技术实现图形转移,最先进的浸润式光学光刻在45 nm节点已经形成产能,然而,由于光学光刻技术固有的限制,已难以满足半导体产业继续沿着摩尔定律快速发展.在下一代图形转移技术中,电子束直写、X射线曝光和纳米压印技术占有重要地位.其中纳米压印技术具有产量高、成本低和工艺简单的优点,是纳米尺寸电子器件的重要制作技术.介绍了传统纳米压印技术以及纳米压印技术的新进展,如热塑纳米压印技术、紫外固化纳米压印技术、微接触纳米压印技术、气压辅助纳米压印技术、激光辅助压印技术、静电辅助纳米压印技术、超声辅助纳米压印技术和滚轴式纳米压印技术等.     

驻波透镜聚焦原子束制作纳米图形研究

介绍了将激光驻波聚焦原子束技术用于制作纳米级图形的基本原理和实验系统设计。研究了驻波透镜对原子束的聚焦特性及像差 ,数值结果显示原子束在置于焦平面处的基底上所沉积的条纹半高宽为 10nm左右 ,可以实现纳米级超微细图形的制作。同时给出了实验装置及初步实验结果     

驻波透镜聚焦原子束制作纳米图形研究

介绍了将激光驻波聚焦原子束技术用于制作纳米级图形的基本原理和实验系统设计。研究了驻波透镜对原子束的聚焦特性及像差，数值结果显示原子束在置于焦平面处的基底上所沉积的条纹半高宽为10nm左右，可以实现纳米级超微细图形的制作。同时给出了实验装置及初步实验。     

用于非球面测试的位相型计算全息图制作

本文对计算全息图元件的设计和制作成算法和软件,研究了采用高速电子束直写系统制作大面积、非周期性复杂光刻图形技术,在此工作的基础上,采用湿法腐蚀铬、感应耦合等离子体刻蚀石英玻璃两步图形转移的方案,制作出了图形区直径为64 mm、最外环线条宽度为2.0μm、刻蚀深度为690 nm的位相型计算全息图元件,并对加工结果进行了测量.结果表明,本方案所制作的计算全息图元件具有良好的加工质量,符合应用的需求.     

高斯电子束曝光系统

电子束光刻技术是纳米级加工技术的主要手段,在纳米器件加工、掩模制造、新器件新结构加工中扮演举足轻重的角色。虽然现在最先进的电子束聚焦技术可以得到几个纳米的电子束斑,但是由于邻近效应问题,依然很难使用电子束光刻技术得到接近其理论极限的纳米尺度图形,对电子束曝光系统的基本原理及其邻近效应校正技术进行了研究,并得到一些比较理想的曝光结果。     

以Si为衬底GaAs异质外延工艺及其在半导体激光器中应用的研究进展

本文较系统地评述了 MOCVD 或 MBE 实现以 Si 为衬底 GaAs 异质外延工艺,及其在半导体激光器中应用的研究进展。叙述了以 Si 为衬底异质外延的工艺关键,使用 GaAs/Si 材料制备激光器的发展水平,降低外延层中位错密度和应力可能的方法。最后,介绍了该技术及其用于制备高性能激光器的发展动向。     

HDI印制电路板中的激光钻孔工艺研究及应用

文章研究采用CO2激光器研究了HDI印制电路板制作微孔的技术，通过金相显微镜分析了CO2激光器制作的盲孔的锥形度、孔壁角度和孔壁平整性。讨论了激光参数对孔的影响，用优化试验优化参数进，一步确定了真圆度和上下孔径比最优的脉冲能量、脉冲宽度、脉冲次数和光罩尺寸。得到了不同孔径微孔的制作最优工艺参数。     

用于T形栅光刻的新型移相掩模技术

根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。     

直接成像技术在PCB中的应用

电子产品日趋小型化、轻量化、多功能化，使电路板线路密度增加，从而对电路板的制作技术有了更高的要求，普通的接触曝光成像技术不能满足高密度电路的要求，激光直接成像（LDI）技术正迎合了精细线路的要求，而在PCB制作中得到应用。介绍了LDI的成像原理、存在的优缺点及其在PCB制作中的应用。     

36英寸表面传导电子发射显示器

介绍36英寸表面传导电子发射显示器(SED)的工作原理、基本结构、关键制造工艺、主要特性以及SED的发展前景。     

STM钨针尖电化学加工及其装置的改进

本文报导利用自由落体的原理，设计了一种新的针尖和液面脱离装置制作了STM钨针尖，并与利用步进电机提升针尖的方法进行了比较。分析和实验说明，本方法脱离速度较快，简单经济，效果良好。     

GaAs MESFET的压力敏感特性

本文研究了ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ对应力的敏感特性，分析了敏感原理。对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ用作力学量传感器的可能性进行了讨论。     

基于圆光栅莫尔条纹的CGH元件对准

在双计算全息（CGH）检测非球面的方法中,两片CGH元件位置的精确对准是确保高精度测量的必要前提,针对一凸双曲面检测系统,提出了在主CGH的外围刻制四组圆光栅付的方法来实现该系统中CGH元件的精确对准,其原理基于两个栅线频率相近的同心圆光栅重叠能产生莫尔条纹,通过观察条纹的变化来判断两光栅（一组光栅付）的相对偏移,各组光栅付若同时达到同心,两元件亦便对准。通过对圆光栅进行建模,分析了莫尔条纹产生的原理,仿真模拟了Ф5mm口径内分别包含49个和50个同心圆（周期50μn）的两圆光栅在不同偏移时的条纹图,且实际制作了这样的两个圆光栅,并采集了两光栅重叠后的条纹图,其结果表明,眼睛很容易分辨出1／20周期即2．5μm的偏移。