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陈鹏 《电子产品可靠性与环境试验》2014,32(6):62-68
综述了盐雾试验技术对试验结果的影响,并从盐雾的腐蚀原理、影响盐雾腐蚀的因素,包括试验温湿度、盐溶液浓度、样品放置角度、盐溶液PH值、盐雾沉降量和喷雾方式,以及试验结果的表述等方面对提高盐雾试验结果的有效性进行了探讨。 相似文献
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阐述了测量不确定度评估的意义,并以盐雾试验为例,评估测量不确定度分量如配置盐溶液、盐溶液PH值、盐雾沉积量、试验箱温度、样品的放置与恢复条件、试验后的检测等对盐雾试验结果的影响,提出了控制各分量的措施。 相似文献
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盐雾腐蚀对不同封装形式集成电路性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
通过分析塑料封装、陶瓷封装、玻璃封装和金属封装集成电路的材料成分,得出它们抵抗盐雾的腐蚀能力。根据市场的使用情况,选用塑封、陶封、玻封三种封装形式的集成电路按照6种不同的试验条件进行盐雾试验。文章通过对试验后的结果进行比较和分析,得出在正常盐雾腐蚀条件下, 它们性能受到影响的大小;在不同盐雾溶液和不同的温度条件下,陶瓷封装电路的性能也发生了变化。最后对塑料封装、陶瓷封装、玻璃封装电路的抗盐雾腐蚀能力进行了总结。 相似文献
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郑关林 《光纤与电缆及其应用技术》1997,(5):54-58
本文从盐雾试验的方法和目的着手,探讨盐雾试验是如何显示金镀层质量,并结合微电池腐蚀原理提出盐雾试验机理。根据剖析的盐雾试验的机理,作者从微电池腐蚀的两个微观因素糙度等。结合这些宏观条件,作者探讨了金镀层耐盐雾试验的有效方法。 相似文献
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大气盐雾与电子产品盐雾试验 总被引:1,自引:0,他引:1
对自然界中盐雾的形成和特点及其对电子产品的影响进行了综述,并对电子产品、设备、元器件以及材料的盐雾试验参数进行了对比。根据盐雾试验的应用范围,通过材料、元器件、组件及整机的逐级检验,介绍了提高产品的耐盐雾腐蚀性能,评价电子产品长期耐盐雾性能的研究方法。 相似文献
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孟德文 《电子材料与电子技术》1999,26(1):34-36
EMI丝网衬垫的腐蚀效应在整个电磁屏蔽工程中是非常关键的问题,本文就丝网衬垫的腐蚀效应作了探讨。并对EMI衬垫在潮湿盐雾环境下的应用提出合理化建议。 相似文献
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廖绍华 《电子产品可靠性与环境试验》1995,(2)
日本电子元器件可靠性中心环境试验所新添置了一台ISO—3—CYR型盐雾循环试验箱,该试验箱系根据IEC、ISO、JIS、MIL等标准的要求,而由日本力”试验机厂制造。 以前所进行的连续盐水喷雾试验,其目的是调查电子元器件和电子设备的保护膜的均匀性并进行比较,但并不适用于电子元器件和设备在含盐分的大气中使用的一般性腐蚀试验。 环境试验所这次所添置盐雾循环试验箱,能进行盐雾和湿度组合的循环试验,作连续性盐雾试验时,能有效地再现含实际盐分的自然环境,与一般的大气条件比较,可获得加速的结果。 相似文献
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本文论述了四种牌号的不锈钢盐雾试验1000小时后的对比结果,对盐雾条件下不锈钢的腐蚀机理做了探讨,解释了不锈钢材料的在盐雾条件下的一些现象。推荐了在沿海地区使用的不锈钢材料的成分与牌号及措施。 相似文献
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用人工加速腐蚀试验考核了三种防银变色剂的抗硫腐蚀特性;采用中性盐雾腐蚀试验和三年亚热带湿热大气暴露试验研究银层和镀金属抗盐雾腐蚀性能。 相似文献
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集成电路外壳的抗盐雾腐蚀能力是由材料、冶金、电镀工艺及镀层结构等多种因素决定的。对三种底材的三种镀层结构进行抗盐雾对比试验,并对三种结构的失效概率进行了统计分析。结果表明,在镀层达到一定厚度后,采用镍与金的交叉镀层结构抗盐雾能力最强,最差的是镍层加金层结构的镀层外壳。 相似文献
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潘宇 《电子产品可靠性与环境试验》1998,(3):42-45
本文叙述了当今世界流行的加速腐蚀试验方法,如ASTM-B117恒定盐雾,Prohesion湿热干燥循环、由盐雾/高湿组成的多功能循环腐蚀等试验以及进行这些试验的试验箱,并将这些试验方法及结果与天然户外暴露试验进行了比较。 相似文献
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梁鸿卿 《现代表面贴装资讯》2006,5(5):49-53
对低温无铅焊料合金(Sn—Zn)做了下列测试:盐雾测试、气体腐蚀测试和风化测试。同时通过对实验后的表面及断面的分析,探讨了腐蚀因素及对基底铜板的影响。结果表明:环境中的腐蚀性物质(硫磺和氯)与焊料中的Zn优先反应,在表面形成腐蚀生成物。然而,Zn是靠形成腐蚀物质而发挥了牺牲保护防蚀作用的,因此对基底铜板显示出高于Sn—Pb共晶焊料的耐蚀性。 相似文献
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AZ91D化学镀Ni-P结构耐蚀性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用金相、SEM、TEM、XRD、盐雾、电化学测量系统研究了镁合金AZ91D的化学镀Ni-P镀层组织结构及耐蚀性能,结果表明,化学镀镍层为胞状致密结构,镀层厚度均匀,与基体结合良好.P的质量分数为6.68%,为中P镀层,镀层阻抗为0.6 Ω,镀层组织为非晶加少量微晶;镀层耐腐蚀性能良好,连续盐雾8 h未出现腐蚀斑点.盐雾腐蚀速率明显低于基体的腐蚀速率.化学镀镍磷层的最小腐蚀电流密度为4.52μA/cm2,腐蚀电位为-250 mV.低于200℃退火,镀层的耐腐蚀性能有所提高,而高于200℃退火,其耐腐蚀性能随温度提高而降低. 相似文献
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绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器可在高温(高于125 ℃)下工作。通常情况下构成惠斯通电桥的电阻单独处于压力敏感区,以提高其灵敏度,但在其工作期间压力传感器器件区电阻重掺区与金属引线连接处存在一定高度差,在加压加电高温环境下此处热应力变大,金属引线因过热而出现金属引线断裂或失效,无法满足高温需求。在此基础上研究了一种硅引线技术,使其与压敏电阻处于同一高度层,金属引线平铺在硅引线上端,经退火后形成良好的欧姆接触。实验测试表明,该方案能使压力传感器在300 ℃高温环境下正常工作,金属引线与电阻区连接完好,传感器敏感区应力降低接近50%,且优化后传感器灵敏度符合设计要求。 相似文献