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相似文献
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1.
MIM隧道发光结的光谱分析及负阻现象   总被引:1,自引:1,他引:1  
在MIM隧道发光结的研究过程中,结的发光是SPP快模还是慢模起主要作用,一直是许多学者争论的主题。本文利用扫描电子显微镜估计MIM隧道结的表面粗糙度,然后根据对结的发光光谱的数据分析,得出快模在发光中占主要地位的结论,并以此解释MIM结I—V特性中的负阻现象。  相似文献   

2.
3.
论述作为一种新型发光器件的MIM隧道结的发光机理,报告了该器件的发光现象和I-V特性曲线中负阻现象的实验观察。数据显示,结中表面等离极化激元(SPP)与粗糙度的耦合是引起光发射的主要方面,SPP对隧穿电子的阻塞作用导致了电子输运中的负阻现象。此外,还观察到了直接辐射的紫外峰。  相似文献   

4.
在普通MIM隧道发光结的基础上,制备了多层膜结构MIM发光结。这种结构的发光结含有两层氧化物绝缘层及双层MgF2。其发光性能优良,发光效率达10-6-10-5量级。测试表明,其光谱谱峰较普通MIM结有蓝移现象,并且I—V特性中存在强烈的负阻现象(NRP)。  相似文献   

5.
简介金属-绝缘层-金属(MIM)隧道结的基本结构、工艺流程及发光机理。利用原子力显微镜(AFM)观察MIM隧道结的表面形貌,发现结表面存在规则有序的自然粗糙度。根据AFM照片估计粗糙度尺寸,再利用小金属颗粒隧道结的偶极子共振发射天线理论,计算结发光光谱峰值,理论与实验符合较好。  相似文献   

6.
本文用spp(surface-plasmon-polariton)的色散关系的量子力学表示式,讨论了薄膜MIM隧道结的起始发光电压(阈值电压);描述了几种系统MIM结的I-V特性曲线、发射光谱特性曲线,负阻效应及稀土元素的作用.  相似文献   

7.
制备了含两层绝缘层的双势垒结构隧道发光结,介绍了其结构特点,分析了电子在结中的共振隧穿特性。结合电子隧穿特性及结的发光机理,对结I-V特性中负阻现象的产生及其与表面等离极化激元激发发光的关系进行了研究。  相似文献   

8.
本文介绍金属-绝缘体-金属(MIN)结的基本结构以及发光机理,根据电流波动理论计算得到的表面等离子极化激元(SPP)慢模能量分布与测量光谱的比较,得出发光中慢模起主要作用的结论,并以此来说明MIM结I-V特性的负阻现象。  相似文献   

9.
设计并研制成功了具有电阻栅结构的n-InGaP/p-GaAs/n-GaAs负阻异质结双极晶体管.研制出的器件I-V特性优于相关文献的报导;得到了恒定电压和恒定电流两种模式的负阻特性曲线;对两种模式负阻特性产生的物理机制进行了解释;最后对此器件的应用前景进行了预测.  相似文献   

10.
设计并研制成功了具有电阻栅结构的n-InGaP/p-GaAs/n-GaAs负阻异质结双极晶体管.研制出的器件I-V特性优于相关文献的报导;得到了恒定电压和恒定电流两种模式的负阻特性曲线;对两种模式负阻特性产生的物理机制进行了解释;最后对此器件的应用前景进行了预测.  相似文献   

11.
MIM(Metal-Insulator-Metal)与MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)隧道发光结为新型全固态薄膜发光器件,在对基本结构简单介绍后,结合发光光谱,着重对MIM与MIS结发光所涉及的几种发光机制进行了分析讨论。  相似文献   

12.
磁控溅射制备Co/Al2O3/FeNi磁隧道结   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用磁控溅射设备和光刻技术,采用金属等离子体氧化法,设计制作了10μm×15μm的Co/Al2O3/FeNi磁隧道结,并在77K下对其输运特性进行了研究。测得了11%的隧道磁电阻。随着外加电压增加,隧道结的磁电阻单调减小。测量了样品的I-V特性曲线,发现随着外加电压的增加,曲线逐渐偏离线性,电阻变小,这与理论相符合。电阻随温度变化曲线表明电阻随温度升高而减小,而且在210K处有一个拐点。表现出典型的隧穿过程的特征。  相似文献   

13.
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD.主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,V<,p>降低到了0.41 V.同时常温下测试了其中一种设计结构的敏感单元在四种不同发射极面积下的I-V特性曲线.最后对器件阱结构和发射...  相似文献   

14.
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2.4,峰值电流密度达到36.8kA/cm2.进行直流参数测试,得到RTD的I-V特性曲线,对量子阱宽度和帽层厚度对I-V特性的影响进行了分析.  相似文献   

15.
共振隧穿二极管的设计、研制和特性分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2.4,峰值电流密度达到36.8kA/cm2.进行直流参数测试,得到RTD的I-V特性曲线,对量子阱宽度和帽层厚度对I-V特性的影响进行了分析.  相似文献   

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