新型封装器件的密封剂真空涂布

回顾过去十多年,电子工业呈现出令人咋舌的突飞猛进的局面,这不仅仅是指应用于商业类和消费类电子产品的数量和品种,就集成电路来说,随着其功能度的进一步增强,发生了意义深远的变化。为了满足不断增强的对电子产品小型化、可携带化和柔性化     

无铅封装的测试解决方案

本文对无铅封装器件的测试问题进行了分析,并描述了ECT公司的解决方案。     

氟碳加压检漏法用于光电器件的一些问题及探讨

氟碳加压检漏法,灵敏度高,可靠性好,已被列为机电部元器件密封性检测的标准方法。但在用于半导体光电器件时却出现漏孔严重堵塞、光学窗口炸裂、指示液易污染等问题。本文根据长期观察、实践,对上述破坏性现象进行了分析、验证,并在如何避免其发生及妥善处理方面作了有益的探讨。     

贴片式功率器件的散热计算

自上世纪90年代开始,贴片式封装器件逐步替代了穿孔式封装器件。近年来,除少数大功率器件还采用穿孔式封装外,极大部分器件都采用贴片式（SMD）封装。由于贴片式功率器件封装尺寸小,不能采用加散热片的方法来散热,只能用印制板的敷铜层作为散热（一定的面积）。因此在贴片式功率器件的应用中需要在印制板（PCB）布局前,考虑所需的敷铜层散热面积。[第一段]     

声表面波器件用的表面安装封装管壳

主要阐述某种声表面波(SAW)器件用的表面安装型封装管壳的结构设计过程，以及适应大批量生产的工艺改进及创新。     

微声学器件封装特性研究

分别采用TO-CAN和SMT形式对微声学器件进行了封装，并对封装后的器件进行了耦合腔测试和指向性测试。测试结果表明，通过减小前入声孔直径大小，能够抑制微音频器件的高频响应；另外通过采用不同的封装结构参数，能够实现∞形和心脏形指向性的微超声器件。     

有害气泡的动态IR检测法

为了判断玻璃封装整流器件内是否存在有害气泡而研究了一种在线动态I_R检测法。该方法是根据有害气泡的物理特性,通过对动态I_R随时间和温度的变化规律进行分析而实现。文章给出了判定有害气泡存在的两组I_R-t曲线族,并介绍了具体的检测方法。应用该检测法成功地判定从荷兰进口的大批玻封硅堆中存在大量有害气泡。     

环氧树脂灌封料及其工艺和常见问题

文章主要介绍了目前电子封装材料的新方向——环氧树脂灌封料(又名液体环氧树脂封装料)。从环氧树脂灌封料的性能要求、主要组分及作用、制造工艺以及在封装过程中常见的问题及解决方法等方面对环氧树脂灌封料进行了全面的综述。     

基于CQFP 64线外壳的封装寄生参数研究

封装寄生效应对高频器件性能的影响越来越明显.为了在高频器件设计中充分考虑寄生参数的影响,需对封装的寄生效应进行模拟,以便保持高频电路封装后信号的完整性.利用Anfost公司的软件Q3D和HFSS,对CQFP 64管壳的引脚和键合线进行电磁仿真分析,提取出三维封装结构的RLC参数和高频下的S参数;分析管壳在封装前后、不同频率、不同封装环境下寄生参数的变化情况;将仿真结果与实验结果进行了对比,为设计人员设计产品提供依据.     

有机发光器件(OLED)封装技术的研究现状分析

有机发光器件(OLED)诞生至今,封装方式一直是提高其寿命和稳定性的重要因素之一,也是当前研究的热点。从最初的后盖式封装发展到现在的薄膜封装,其寿命和稳定性也随之提高,人们幻想的柔性显示也成为了现实。新的有效封装方法的出现使有机发光器件从实验室走进了人们的日常生活,并有望成为下一代显示器的主流。文章重点介绍了当今主要的封装技术和方法,提出了结合传统后盖式封装和薄膜封装的混合封装方法。     

有机发光器件(OLED)封装技术的研究现状分析

有机发光器件(OLED) 生至今,封装方式一直是提高其寿命和稳定性的重要因素之一,也是当前研究的热点.从最初的后盖式封装发展到现在的薄膜封装,其寿命和稳定性也随之提高,人们幻想的柔性显示也成为了现实.新的有效封装方法的出现使有机发光器件从实验室走进了人们的日常生活,并有望成为下一代显示器的主流.文章重点介绍了当今主要的...     

当前的球形触点阵列封装

球形触点阵列(Bau Grid Array，简称BGA)封装比其它同期的“细间距”封装在设计和生产方面具有很多优点。通过精密的设计，使得BGA的电、热性能优于四侧引脚扁平封装(QFP)和插脚阵列封装(PGA)。例如，由于引出端与硅芯片之间的距离减小而改进了电性能。     

需求意外增长，CSP和PBGA封装器件面临短缺

季节性需求意外增长，导致全球芯片级封装（CSP）和PBGA产品出现短缺。有些消息亦指出，引线框和基板等芯片封装材料的供应也日益紧张，而且价格上涨。这种情况已促使一些转包商转嫁成本和提高部分封装的价格。     

MOSFET发展中的革命阶跃

SGS-THOMSON微电子公司是世界上第四大的MOSFET供应商,它正推出一种全新的MOSFET工艺,这种工艺将晶体管呈带状布局在芯片上,代替了传统的单元几何形状。尤其是,这种工艺将器件的导通电阻降低了20％。由于明显降低了漏-栅极电容,所以还能改进动态性能。这十年,此新工艺代表着一个里程碑,在其他有名的制造商的晶体管中占首位。而且,推出两种新型的TO-220和TO-247封装,为用户提供的产品,除了MOSFET本身性能提高了以外,功率密度也明显增加。     

分立器件封装及其主流类型

分立器件封装也是微电子生产技术的基础和先导。本文介绍国内外半导体分立器件封装技术及产品的主要发展状况,评述了其商贸市场的发展趋势。     

半导体光源器件的金属化耦合封装

本文介绍长波长光源器件的金属化耦合封装工艺,并通过工艺试验和生产实践,对采用新工艺制作的产品进行了可靠性考核,其结果表明这种工艺是成功的。尤其是采用YAG激光焊接技术,较好的解决了光纤定位工艺。