InSb晶体表面碟形坑缺陷

文章用金相显微镜观察、统计了InSb晶片扩散前、后,经择优腐蚀后呈碟形坑的表面 微缺陷。结果显示这类缺陷的一部分是InSb晶体原生缺陷,一部分由扩散诱生。分析后认为由扩散诱生这类缺陷的原因主要为晶片表面粘污,已证实清洗更洁净的晶片,能有效抑制扩散过程中诱生的这类缺陷。     

用激光束控制直径的拉制晶体自动装置

1 引言采用引上法从一致熔融材料的熔体中生长大尺寸单晶是一种较好的方法。用这种方法可在较短的时间里获得满足化学和结晶学质量的晶体。在引晶期和晶体扩大到所希望的直径以后,晶体外形的变化受到非常敏感的进入和散出热流的交换以及拉晶速率变化的共同作用的影响。因此在通常情况下,引上法生长过程要求持续地加以监视。瞬间的生长条件不容易辨别,因而直径的变化只有在晶体提拉过一段距离之后才能被发现。     

Cd扩散对InSb晶体质量的影响

InSb材料在Cd扩散后于表面产生了密度较高的小浅坑，对小坑的成分进行了分析，，并根据结果对小坑的成因作了初步的推断。实现发现坑中Cd浓度约44%。     

Zn,Cd在InSb中的扩散

研究了Ｚｎ、Ｃｄ源量对ＩｎＳｂ扩散结深的影响。在相同的扩散条件下，扩散源Ｚｎ、Ｃｄ的量少于一定值时，结深将随源量减少而急剧减少，此一定值随扩散温度的升高而增大，但当扩散源量大于该定值后，结深则与源量无关。     

InSb晶体经激光照射后高速转换成透光态

英国赫里奥特-瓦特大学发现了InSb晶经激光照射后髙速转换成透光态的现象。由于没有测量转换速度的装置，所以未经测定，该大学物理学教授Stanley Smith先生相信转换速度为10^-12秒左右。     

不同Te掺杂量对InSb晶体性能的影响

InSb原料因含受主杂质,制备出的InSb晶体通常呈P型特性,其迁移率低无法满足低温(77 K)时红外探测器需求.为了获得高迁移率特性,通过直拉法(Cz)生长了不同Te掺杂量的InSb:Te晶体.利用霍尔测试仪测量晶体电学特性,结果表明,InSb:Te晶体在77 K下的导电类型为N型.随着Te掺杂浓度从1016 cm-...     

Co2+:LaMgAl11O19晶体拉制成功

西南技术物理研究所光电材料研发中心全体科研人员用提拉法成功生长出了直径20mm、长90mm掺Co2+的LaMgAl11O19(Co2+:LMA)晶体(见下图)。这是本材料研发中心成立以来拉制出的第1根新型晶体。     

基于Ce∶YAG晶体的掺Ce光纤拉制技术

基于管棒法(Rod-in-Tube)技术,以Ce∶YAG晶体作为芯棒,纯石英玻璃管作为套管,利用石墨炉、拉丝塔拉制了掺铈(Ce)光纤.通过X射线能谱(EDX)分析拉制而成的光纤,得到光纤的纤芯变为玻璃材料,而不再是晶体状态,这表明光纤拉制过程中芯棒与套管之间存在扩散现象.光纤在314nm光泵浦的情况下,产生约67nm (FWHM)光谱宽度的荧光辐射.     

光子晶体光纤拉制参数对包层气孔结构的影响

分析了光子晶体光纤(PCF)拉丝工艺参数对光纤毛细管及最终结构的影响,结果表明,通过调节温度、送料速度和拉制速度等参数可以在一定程度上调整最终的气孔结构,但难以拉制出结构完善的PCF.为此提出了惰性气体施压法,实验表明,通过调节施压量的同时结合上述参数的调节,可有效控制光纤的结构参数,拉制出横纵向均匀性良好的PCF.     

分子束外延InAlSb/InSb晶体的质量研究

InAlSb/InSb薄膜材料的晶体质量会直接影响器件的性能。提高薄膜材料的晶体质量可以有效降低器件的暗电流,提高探测率和均匀性等。主要报道了掺铝锑化铟分子束外延技术的初步研究结果。通过采用多种测试方法对InAlSb分子束外延膜的晶体质量进行了分析,找出了影响晶体质量的因素,提高了InAlSb分子束外延的技术水平。实验结果表明,通过优化生长温度、束流比、升降温速率以及退火工艺等生长条件,可以获得高质量的InAlSb分子束外延膜。     

掺硒InSb单晶中的缺陷

采用光学显微、透射式电子显微以及x射线形貌等方法研究了提拉法生长的掺硒InSb单晶的结构完整性。硒浓度用质谱法测定,处在1×10~(17)～9×10~(19)厘米~(-3)的范围内。业经证实,直到最高硒浓度时,硒的存在并未影响晶体的位错结构,但产生大量沉淀物而呈现波纹状对比度。沉淀物的大小为0.5～3.8微米。从对比度的计算得出,沉淀物的晶格参数与基质的晶格参数相差0.02～0.05埃。此外,在硒浓度高(9×10~(19)厘米~(-3))的晶体中出现了具有对称应变场的微粒。     

InSb的Zn扩散及其在红外探测器阵列中的应用

在355～455℃的密封安瓿中,对利用Zn和Sb元素在n-型InSb中扩散Zn进行了系统的研究。把数据整理成扩散源中Sb与Zn的克分子比N_(Sb)/N_(Zn)的函数,就能清楚地了解扩散特性。如果Zn源足够,当N_(Sb)/N_(Zn)≤0.5或N_(Sb)/N_(Zn)≥5时,扩散深度是一个常数,而与装入安瓿的Zn或/和Sb源的总量无关。当N_(Sb)/N_(Zn)≥5,可以重复地获得高度平整的扩散前沿及高质量的p-型层。但是,当N_(Sb)/N_(Zn)≤0.5时,就只能得到一个很粗糙的扩散前沿和有许多损伤的p-型层。用上述结果,制备了3～5μm的InSb8元光伏探测器列阵。     

能把光子约束在晶体中的折变晶体材料

日本京都大学研究人员已证明，能对光进行三维约束的一种结构──光子晶体可用普通工艺技术制造。以前，这种结构只适用于微米到毫米波长范围，但研究人员用他们的新方法已制作了对10um辐射工作的稳定器件。不需要用新技术就能制作适用于更短通讯波长的类似器件。这种器件由于能抑制光在其结构中的传播而防止了自发发射和不希望方向的能量泄漏。它们的应用有可能导致零阈值半导体激光器的产生。有很多方法可进行光约束，以致仅在一个方向即腔镜和量子点方向振荡，两者均能提供约束。光子晶体利用折射率的周期性变化产生三维约束，这不太像法…     

激光束在各向异性晶体中的自聚焦

对高斯激光束在非线性各向异性晶体中的自聚焦研究是在光束沿三根主轴之一传播时进行的。当（1)光束的电矢量与强度梯度平行和(2)当电矢量与强度梯度方向垂直时，二维光束的聚焦是不同的。对三维（最初是圆柱形对称）光束来讲，是发生非对称聚焦，恒定强度在给定传播距离内的轮廓是一个椭圆。     

光子晶体在光通信中的应用

妻亨首先介绍了新型材料光子晶体的基本特点,然后探讨了含有光子晶体的光器件在光通信系统中的各种应用。     

方解石晶体超声套料工艺实验

方解石易于解理,用作激光器的分束器及一些偏光棱镜时在切割、粗磨及抛光的过程中,容易开裂,尤其对解理面进行各种加工时容易出现严重的“掉肉”现象,而导致晶体严重损坏。在光学冷加工中,较容易损坏方解石晶体的工序是切割,这是因为切割时,高速旋转的刀片与一定粒度的金刚石,对晶体作挤压性强行剥落,由于压力和局部发热,使方解石晶体损坏严重,即使使用自动调整进给的内圆切割机切割,也常因进给速度调整不合适,而导致晶体解理。因此较安全的切割方法,通常采     

在含有InSb非晶过渡层的GaAs衬底上用分子束外延生长InSb薄膜

在（１００）取向半绝缘ＧａＡｓ衬底上，采用独特的含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步分子束外延（ＭＢＥ）生长了异质外延ＩｎＳｂ薄膜。ＩｎＳｂ外延层表面为平滑镜面，外延层厚度约为６μｍ，导电类型为ｎ型，室温（３００Ｋ）和液氮（７７Ｋ）霍尔载流子浓度分别为ｎ＿（３００Ｋ）：２．０×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）和ｎ＿（７７Ｋ）：２．４×１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）；电子迁移率分别为μ＿（３００Ｋ）：４１０００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）Ｓ＿（－１）和μ＿（７７Ｋ）：５１２００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）Ｓ￣（－１）。ＩｎＳｂ外延层双晶衍射半峰宽为１９８ａｒｃｓ，最好的ＩｎＳｂ外延层的半峰宽小于１５０ａｒｃｓ。采用ＩｎＳｂ非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度，改善了ＩｎＳｂ外延层的质量。     

超声振动复合精研加工

提高产品的生产率和质量是工业生产始终追求的目标。随着科学技术和工业生产的发展,对各种精密机械零件的加工精度和表面质量的要求日益提高;同时,在机械制造中更广泛地采用不锈钢、耐热钢、及钛合金,甚致非金属硬脆材料等各种难加工材料,这对切削加工技术都提出了更高要求,给