DL—78型单晶炉的热场和减压工艺

本文论述了硅单晶生长炉从1公斤级增长到15公斤级时，其热场设计的基本方法及大容量、长时间拉晶过程中采用的减压工艺。指出在随器件要求而增加硅片直径时，硅单晶锭的直径和长度应成比例增加，即硅单晶长度：直径应大于10:1，而在晶体生长中，坩埚直径。晶体直径应大于2．5：1。在大容量、长时间的晶体生长条件下，保持2．7×103Pa左右的炉压、一定的氩气流量和合理的氩气导流结构是避克拉晶过程中SiO在空间凝聚或在炉内物件表面沉积的必要条件．     

光加热单晶炉

光加热炉也叫弧象炉、辐射加热炉。该设备以辐射源作加热器。辐射线经—特殊设计的聚焦镜聚焦,对材料加热、熔化、进而制备单晶。此加热法具有电阻加热、高频电流加热、等离子体加热、电子束加热法的优点,而避免了其缺点。本文着重介绍了光加热单晶炉的加热特性,工艺特性。目前,用此设备已初步制备了硅、锗、钇铁柘榴石单晶等十多种晶体材料。     

单晶炉的钼棒

正专利申请号:CN201120264856.1公开号:CN202187079U申请日:2011.07.25公开日:2012.04.11申请人:合肥景坤新能源有限公司本实用新型公开了一种单晶炉的钼棒,包括有棒体,棒体的上端固定套装于拉丝套内,所述棒体的上端侧壁上开有弧形的钩槽,拉丝套内设有横穿过钩槽的销轴,拉丝套的上端连接有钢丝,棒体的下端     

光加热单晶炉通过鉴定

上海有色金属研究所研制的一种新型的晶体生长设备——光加热单晶炉最近通过了鉴定。该设备的加热方式是光热,(主要是红外光)。光加热与电阻加热、高频电流加热、等离子体加热、电子束加热等比较,光加热兼有这些加热方法的优点,而避免了其缺点。     

TDR-50型软轴提拉单晶炉的设计特点

一、引言 TDR-50型单晶炉是我国第一台软轴CZ单晶炉,它是自1981年到1983年通过基础实验研究,结合我国生产单晶炉的经验而研制成功的。样机经过工业运行和检测鉴定证明,在主要精度和性能指标方面,达到了国际上同类设备七十年代末期水平。为我国CZ法生产75毫米硅单晶提供先进设备。 七十年代后期,国际上大型CZ单晶炉     

光加热单晶炉的设计

一、前言光加热单晶炉是一种新型的晶体生长设备,其加热能源为光辐射。光加热国外已普遍应用于材料加工(焊接、热处理等)、物理测试(热膨胀仪、张力测定、热导率测定等)、晶体制备(半导体、氧化物、金属     

介绍一种新炉型—间接加热熔锌炉

以往锌精馏熔化炉都是火焰直接加热的,它的优点是:火焰直接加热锌液面,热效率高,结构简单。但它的缺点是锌氧化严重,产出率低,金属损耗大,而且扒渣量大,劳动条件差,锌挥发随烟气带出,污染环境。根据以上情况,葫芦岛锌厂于1977年10月在7~#炉上,将火焰直接加热熔化炉改为间接加热熔化炉,采用槽形碳化硅拱顶结构,将火焰与锌液隔     

交流伺服系统在单晶炉上的应用

用先进的交流伺服系统改造老、旧设备的电气传动，使40单晶炉重新得到应用，节约了费用，满足了生产需要。     

单板机在锗单晶炉温度控制中的应用

1.问题的提出我厂是生产鍺单晶的专业工厂,采用直拉法生长单晶。为了获得高质量的单晶,除了保证单晶炉温场设计合理,机械运行稳定外,还要用精确控制炉温的方法来间接控制单晶的生长速率,实现单晶的等径生长。整个拉晶过程,分为升温化料、引晶放肩、等径生长、收尾结束四个阶段,其温度变化的工艺曲线如图1。目前,国内通常都采用精密温度控制仪(型号为DWT—702,简称702分机)控制单晶炉炉温,用人为改变设定值来实现图1     

微型机在单晶炉热系统设计中的应用

本文采用PC—1500微机用BASIC语言编程,利用程序设计来达到直接了解单晶炉热系统各参数与熔料功率、熔料时间的关系,并对参数进行适当调整,以便一次达到实际要求值,克服了繁杂的人工计算。     

直拉单晶炉循环冷却水水质控制

本文介绍了直拉单晶炉循环冷却水系统，对影响循环冷却水质的因素进行了分析，论述了控制循环水水质的一种方法，并对控制效果进行了说明。     

蓝宝石单晶炉隔热屏内胆损坏机理

通过研究金属钼(Mo)在真空环境下蒸发速率和饱和蒸气压与温度的关系,探讨了蓝宝石单晶炉Mo隔热屏内胆的损坏机理.结果表明,蓝宝石单晶炉的核心工作温度在2100℃以上,每炉的高温阶段时间超过120 h,隔热屏内胆在高真空环境下产生蒸发,由电子显微结构可以看到Mo片表面疏松、多孔,厚度逐渐变薄、剥落,失去隔热作用.利用金属...     

高压风处理炉结

火法炼铜生产过程中,磁性铁炉结的生成及其对生产的危害,是一个普遍存在的问题。反射炉沉淀区、鼓风炉前床、闪速炉沉淀池等,都有炉结生成的现象。炉结使熔池日益缩小,造成冰铜面假象,使生产人员     

软轴单晶炉晶体生长的固有干扰因素分析

随着半导体产业技术发展,提高单晶材料生长的成晶率和晶体内在品质越来越重要。国内目前普遍采用软轴单晶炉进行锗、硅单晶棒生产,软轴单晶炉相对硬轴单晶炉具有结构紧凑,运行可靠、设备成本低等的优点,但是软轴单晶炉由于软轴系统类似于单摆和弹簧振子的结构特点,容易产生固有共振干扰,存在对晶体品质不利的影响因素。对这些干扰因素、解决措施进行了简要分析和讨论。     

新型稀磁性半导体材料CoxZn1—xS与CoxZn1—xSe单晶的制备

本实验首次利用碘做媒介剂,采用化学气相输运法制得稀磁性半导体Co_xZn_(1-x)S和Co_xZn_(1-x)Se(0相似文献   

P型GaSb单晶研制

GaSb单晶是制备光电器件的重要衬底材料。GaSb价带自旋轨道的分裂可以得到使空穴离化系数增大的能级,明显改善了波长大于1.3μm的APD的信噪比。其它如AlGaSb APD、GaAlAsSb LED与LD、AlSb/GaSb超晶格、高度电子器件InAs/GaSb超晶格、低阈值HET、FET、HBT等器件也采用GaSb为衬底。此外,GaSb单     

砌筑炉型适应操作炉型的探讨

我厂七五年以来,在认真贯彻执行毛主席关于学习无产阶级专政理论、反修防修的推动下,在七三年取得发动群众大搞技术革新,改造热风炉提高风温、稳定炉况、不断提高生产水平的基础上,在七五年225天的生产中,生产生铁8819吨,平均日产39·2吨,利用系数3·007,平均焦比0·615吨,与历史最好水平的七三年比较,利用系数提高29%,焦比降低223公斤/吨铁,下降26·6%,成本也下降到224元/吨铁,实现了利用系数三、焦比六字头的战斗誓言。其中炉型改造是一项重大的技术改     

宝钢1号高炉操作炉型的控制

简要阐述了宝钢1号高炉并罐式无料钟炉顶布料偏析和铜冷却壁对操作炉型的影响,重点阐明了合理操作炉型的控制。1号高炉操作炉型控制的关键措施,一是保证合理的炉腹煤气量,合理调整送风制度,即炉腹煤气量指数控制在57.6~65.4m/min;风速270~275m/s,炉缸回旋区环带面积约占炉缸截面积的50%,炉身平均煤气流速在2.5~2.7m/s;二是探索合理的装料制度,确保焦炭平台宽度控制在2.35~2.55m,并采用溜槽和料罐周期性切换模式,以保持充沛的中心气流和合理的边沿气流。     

唐钢1号高炉特殊炉型操作实践

对唐钢1号高炉开炉以来的基本制度选择进行了总结。认为高炉基本制度的选择,应根据原燃料变化、冷却形式变化及炉型的演变进行适当调整,才能达到稳定顺行的目的。     

济钢JN43—80型伙炉加热制度

对济钢焦化厂３＾＃，４＾＃焦炉进行热工标定，结果表明两座焦炉各部位结构严密，漏气率小，高向及横向加热均匀，焦炭成熟等指标良好，但耗热量偏高。